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公開番号2025066726
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-23
出願番号2024231679,2023192269
出願日2024-12-27,2013-02-25
発明の名称トランジスタ
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250416BHJP()
要約【課題】回路規模を小さくでき、消費電力を小さくできるロウレベルの信号をシフトする半導体装置を提供する。
【解決手段】基本回路は、第1の端子が第1の配線11と電気的に接続され、第2の端子が第2の配線12と電気的に接続された第1のトランジスタ101、第1の端子が第3の配線13と電気的に接続され、第2の端子が第2の配線と電気的に接続された第2のトランジスタ102、第1の端子が第4の配線15と電気的に接続され、第2の端子が第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第3のトランジスタ103、第1の端子が第5の配線17と電気的に接続され、第2の端子が第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ゲートが第6の配線16と電気的に接続された第4のトランジスタ105及び第1の端子が第3の配線と電気的に接続され、第2の端子が第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された第1のスイッチ104Sを有する。
【選択図】図10
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁表面上の領域を有するゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置する領域を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置し且つ前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に位置する領域を有する第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上に位置する領域を有する第２の導電膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体膜と接する領域を有し且つ酸素を有するトランジスタ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置及び表示装置等に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、同じの極性のトランジスタで構成されるシフトレジスタ回路の開発が活発に進めら
れている（特許文献１参照）。特許文献１のシフトレジスタ回路は、Ｎチャネル型のトラ
ンジスタで構成されている。そして、クロック信号がハイレベルになったときに、そのク
ロック信号を出力することにより、ハイレベルの信号を順次出力する。しかし、特許文献
１のシフトレジスタ回路は、クロック信号を出力するため、ロウレベルの信号を順次出力
することができない。
【０００３】
また、特許文献１のシフトレジスタがＰチャネル型のトランジスタで構成した場合、ロウ
レベルの信号を順次出力することができるようになるものの、ハイレベルの信号を順次出
力することができなくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００４－１０３２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、Ｎチャネル型のトランジスタで構成されたシフトレジスタ回路において、ロウ
レベルの信号を順次出力することが求められている。また、Ｐチャネル型のトランジスタ
で構成されたシフトレジスタ回路において、ハイレベルの信号を順次出力することが求め
られている。
【０００６】
そこで、本発明の一態様は、Ｎチャネル型のトランジスタで構成され、ロウレベルの信号
を順次出力するための回路を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、
Ｐチャネル型のトランジスタで構成され、ハイレベルの信号を順次出力するための回路を
提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路規模を小さくすることを
課題の一とする。また、本発明の一態様は、消費電力を小さくすることを課題の一とする
。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、ソース及びドレインの一方が第１の配線と電気的に接続され、ソース
及びドレインの他方が第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、ソース及
びドレインの一方が第３の配線と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第２の
配線と電気的に接続された第２のトランジスタと、ソース及びドレインの一方が第４の配
線と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第２のトランジスタのゲートと電気
的に接続された第３のトランジスタと、ソース及びドレインの一方が第５の配線と電気的
に接続され、ソース及びドレインの他方が第３のトランジスタのゲートと電気的に接続さ
れ、ゲートが第６の配線と電気的に接続された第４のトランジスタと、第１の端子が第３
の配線と電気的に接続され、第２の端子が第１のトランジスタのゲートと電気的に接続さ
れた第１のスイッチと、を有する半導体装置である。
【０００８】
なお、上記本発明の一態様は、第１の端子が第１の配線と電気的に接続され、第２の端子
が第１のトランジスタのゲートと電気的に接続された第２のスイッチを有していてもよい
。
【０００９】
なお、上記本発明の一態様は、第１の端子が第３の配線と電気的に接続され、第２の端子
が第２のトランジスタのゲートと電気的に接続された第３のスイッチを有していてもよい
。
【００１０】
なお、上記本発明の一態様において、第１乃至第４のトランジスタは、チャネル形成領域
に酸化物半導体を含んでいてもよい。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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