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公開番号2025063283
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-15
出願番号2025009712,2024080030
出願日2025-01-23,2013-07-03
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 86/60 20250101AFI20250408BHJP()
要約【課題】H₂Oを酸化物半導体層中に含有させるための構造を提供する。
【解決手段】第1の導電層上に絶縁層を有し、前記絶縁層上に第1の酸化物半導体層を有
し、前記絶縁層上に第2の酸化物半導体層を有し、前記第1の酸化物半導体層上に第2の
導電層を有し、前記第1の酸化物半導体層上に第3の導電層を有し、前記第2の導電層上
及び前記第3の導電層上に無機絶縁層を有し、前記無機絶縁層上に樹脂層を有し、前記第
1の酸化物半導体層は、前記第1の導電層と重なる領域を有し、前記樹脂層は、前記第1
の酸化物半導体層と接触せず、前記樹脂層は、前記無機絶縁層の有する孔の内側において
、前記第2の酸化物半導体層と接触する部分を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスタ、液晶素子及び容量素子を画素に有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記液晶素子が有する画素電極と常に導通している表示装置であって、
前記トランジスタのゲート電極としての機能を有し、かつ、ゲート配線としての機能を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上に配置された領域を有し、かつ、前記トランジスタのチャネル形成領域を有する第１の半導体膜と、
前記第１の導電膜上に配置された領域を有する第２の半導体膜と、
絶縁膜を介して前記第１の半導体膜上に配置された領域を有し、かつ、前記画素電極としての機能を有する第２の導電膜と、
前記第２の半導体膜上に配置された領域を有し、かつ、前記第２の半導体膜の上面と接する領域を有する第３の導電膜と、
前記絶縁膜を介して前記第３の導電膜の上方に配置された領域を有し、かつ、隣接する画素の前記画素電極としての機能を有する第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記隣接する画素が有する前記容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の半導体膜は、前記隣接する画素が有する前記容量素子の他方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電膜及び前記第４の導電膜のそれぞれは、前記絶縁膜の上面と接する領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の導電膜と重ならない領域において、前記第３の導電膜の上面と接する領域を有し、
前記第２の半導体膜は、前記第１の導電膜と重ならない領域を有し、
前記第２の半導体膜は、前記第２の導電膜と重りを有さず、
前記第２の半導体膜は、前記第３の導電膜と重ならない領域を有する、
表示装置。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
トランジスタ、液晶素子及び容量素子を画素に有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記液晶素子が有する画素電極と常に導通している表示装置であって、
前記トランジスタのゲート電極としての機能を有し、かつ、ゲート配線としての機能を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上に配置された領域を有し、かつ、前記トランジスタのチャネル形成領域を有する第１の半導体膜と、
前記第１の導電膜上に配置された領域を有する第２の半導体膜と、
絶縁膜を介して前記第１の半導体膜上に配置された領域を有し、かつ、前記画素電極としての機能を有する第２の導電膜と、
前記第２の半導体膜上に配置された領域を有し、かつ、前記第２の半導体膜の上面と接する領域を有する第３の導電膜と、
前記絶縁膜を介して前記第３の導電膜の上方に配置された領域を有し、かつ、隣接する画素の前記画素電極としての機能を有する第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記隣接する画素が有する前記容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の半導体膜は、前記隣接する画素が有する前記容量素子の他方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電膜及び前記第４の導電膜のそれぞれは、前記絶縁膜の上面と接する領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の導電膜と重ならない領域において、前記第３の導電膜の上面と接する領域を有し、
前記第２の半導体膜は、前記第１の導電膜と重ならない領域を有し、
前記第２の半導体膜は、前記第２の導電膜と重りを有さず、
前記第２の半導体膜は、前記第３の導電膜と重ならない領域を有し、
前記第３の導電膜のうち、前記第２の半導体膜と接する領域は、前記第１の導電膜と重なりを有する、
表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３の導電膜は、積層構造を有する、
表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
技術分野は半導体装置に関する。
続きを表示（約 760 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には酸化物半導体層を有するトランジスタが記載されている。
【０００３】
特許文献１の段落００１２には「水素元素はキャリアを誘発する２つの要因を双方有し
ているため、水素元素を含む物質は酸化物半導体層を高純度化してＩ型に近づけることを
妨げる元素であるといえる」と記載されている。
【０００４】
特許文献１の段落００１３には「水素元素を含む物質とは、例えば、水素、水分、水酸
化物、水素化物等である」と記載されている。
【０００５】
特許文献１には酸化物半導体層中に水素元素を含む物質が含有されるとトランジスタの
しきい値電圧がマイナス側にシフトすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１１－１４２３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載されているように、Ｈ
２
Ｏ（水）は酸化物半導体層を高純度化してＩ
型に近づけることを妨げる分子である。
【０００８】
しかし、本発明者は酸化物半導体層にＨ
２
Ｏを敢えて含有させることにもメリットがあ
ると考えた。
【０００９】
そこで、以下に開示する発明は、Ｈ
２
Ｏを酸化物半導体層中に含有させるための構造を
提供することを第１の目的とする。
【００１０】
また、新規な構造を有する半導体装置を提供することを第２の目的とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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