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公開番号2025058567
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023168572
出願日2023-09-28
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20250402BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】高周波信号の搬送に適した配線回路を備える配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第1導体層12、第1絶縁層11、および、第1ビア導体13を含む第1ビルドアップ部10と、第3導体層32、第3絶縁層31、および、第3ビア導体33を含む第1ビルドアップ部30と、第2導体層22、第2絶縁層21、および、第2ビア導体23を含む、第2ビルドアップ部30と、を含んでいる。第1ビア導体13の径は第2ビア導体23の径より小さく、第2ビア導体23の径は第3ビア導体33の径より小さく、第1導体層12は第1のシード層121と第1のめっき膜層122とを備え、第2導体層22は第2のシード層221と第2のめっき膜層222とを備え、第1のシード層121はスパッタ膜を含み、第2のシード層221は無電解めっき膜を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面、および、前記第１面と反対側の第２面を有し、
交互に積層される第１導体層および第１絶縁層、並びに、前記第１絶縁層に形成された第１ビア開口を充填する第１ビア導体を含み、前記第１面を備える第１ビルドアップ部と、
交互に積層される第３導体層および第３絶縁層、並びに、前記第３絶縁層に形成された第３ビア開口を充填する第３ビア導体を含み、前記第２面を備える第３ビルドアップ部と、
前記第１ビルドアップ部と前記第３ビルドアップ部との間に配置され、交互に積層される第２導体層および第２絶縁層、並びに、前記第２絶縁層に形成された第２ビア開口を充填する第２ビア導体を含む、第２ビルドアップ部と、
を含む配線基板であって、
前記第１ビア導体の径は前記第２ビア導体の径より小さく、
前記第２ビア導体の径は前記第３ビア導体の径より小さく、
前記第１導体層および前記第１ビア導体は、前記第１絶縁層の表面および前記第１ビア開口の内面を被覆する第１のシード層と、前記第１のシード層上の第１のめっき膜層とを備え、
前記第２導体層および前記第２ビア導体は、前記第２絶縁層の表面および前記第２ビア開口の内面を被覆する第２のシード層と、前記第２のシード層上の第２のめっき膜層とを備え、
前記第１のシード層はスパッタ膜を含み、前記第２のシード層は無電解めっき膜を含む。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記スパッタ膜は、銅と、アルミニウムと、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つと、を含有する合金により形成される下層と、銅から形成される上層とを含む。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記第３導体層が金属箔を含み、前記第１導体層および前記第２導体層は金属箔を含まない。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層は第１配線を含み、前記第１配線の配線幅が前記第２導体層に含まれる配線の最小の配線幅よりも小さく、前記第１配線の配線間の間隔が前記第２導体層に含まれる配線の配線間の最小の間隔よりも小さい。
【請求項５】
請求項４記載の配線基板であって、前記第１配線のアスペクト比が２．０以上、４．０以下であり、前記第１配線の配線幅が３μｍ以下であり、前記第１配線の配線間の間隔が３μｍ以下である。
【請求項６】
請求項４記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部は前記第１面に露出する複数の導体パッドを含み、前記第１面はそれぞれ前記導体パッドを含む複数の部品搭載領域を有しており、前記複数の部品搭載領域のうち異なる部品搭載領域に配置されている前記導体パッドが、前記第１配線を介して接続されている。
【請求項７】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビア導体が接続する下側の導体層の上面における前記第１ビア導体の径は、略１０μｍである。
【請求項８】
請求項１記載の配線基板であって、前記第３ビルドアップ部における前記第３絶縁層の総厚は、２００μｍ以上である。
【請求項９】
請求項１記載の配線基板であって、前記第３絶縁層が芯材を含む。
【請求項１０】
請求項９記載の配線基板であって、前記芯材がガラス繊維である。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１の表面および第１の表面と反対側の第２の表面を備えるコアレス基板が開示されている。コアレス基板は交互に積層された複数（３層）の絶縁層を含んでいる。各絶縁層の上下に設けられる配線は無電解めっき法で形成される給電層を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１０／０１０９１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示のコアレス基板では、３層の絶縁層それぞれの上下に設けられる配線は、無電解めっき法で形成されている。比較的微細なパターンに形成される配線について給電層が無電解めっき法によって形成される場合、配線が所望のパターンに従って形成され得ない場合があると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面、および、前記第１面と反対側の第２面を有し、交互に積層される第１導体層および第１絶縁層、並びに、前記第１絶縁層に形成された第１ビア開口を充填する第１ビア導体を含み、前記第１面を備える第１ビルドアップ部と、交互に積層される第３導体層および第３絶縁層、並びに、前記第３絶縁層に形成された第３ビア開口を充填する第３ビア導体を含み、前記第２面を備える第３ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部と前記第３ビルドアップ部との間に配置され、交互に積層される第２導体層および第２絶縁層、並びに、前記第２絶縁層に形成された第２ビア開口を充填する第２ビア導体を含む、第２ビルドアップ部と、を含んでいる。前記第１ビア導体の径は前記第２ビア導体の径より小さく、前記第２ビア導体の径は前記第３ビア導体の径より小さく、前記第１導体層および前記第１ビア導体は、前記第１絶縁層の表面および前記第１ビア開口の内面を被覆する第１のシード層と、前記第１のシード層上の第１のめっき膜層とを備え、前記第２導体層および前記第２ビア導体は、前記第２絶縁層の表面および前記第２ビア開口の内面を被覆する第２のシード層と、前記第２のシード層上の第２のめっき膜層とを備え、前記第１のシード層はスパッタ膜を含み、前記第２のシード層は無電解めっき膜を含む。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、少なくとも、比較的寸法の小さいビア導体を含む第１ビルドアップ部において、導体層はシード層としてスパッタ膜を含んでいる。また、第１ビルドアップ部に含まれるビア導体よりも寸法の大きいビア導体を含む第２ビルドアップ部において、導体層はシード層として無電解めっき膜を含んでいる。従って、第１ビルドアップ部を構成する導体層において、高周波信号の搬送に適した比較的精密でインサーションロスの少ない微細な配線回路を備えることが可能な、配線基板が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
図１に示される配線基板の部分拡大図。
図１に示される配線基板の部分拡大図。
図１に示される配線基板の部分拡大図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
一実施形態の配線基板が図１、並びに、図２Ａ～２Ｃを参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１を示す断面図である。図２Ａは、図１に示される配線基板１における、一点鎖線で囲われる領域IIａの拡大図である。図２Ｂは、図１に示される配線基板１における、一点鎖線で囲われる領域IIｂの拡大図である。図２Ｃは、図１に示される配線基板１における、一点鎖線で囲われる領域IIｃの拡大図である。なお、配線基板１は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層および絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、並びに、配線基板１に含まれる導体層および絶縁層それぞれの数に限定されない。また、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。
【０００９】
実施形態の配線基板１は、交互に積層された導体層および絶縁層によってそれぞれ構成される第１ビルドアップ部１０、第２ビルドアップ部２０、および、第３ビルドアップ部３０を含む積層構造を有している。配線基板１は、その厚さ方向と直交する２つの表面（第１面１Ｆおよび第１面１Ｆと反対側の第２面１Ｂ）を有している。
【００１０】
第１ビルドアップ部１０は一方の面１０Ｆおよび一方の面１０Ｆと反対側の他方の面１０Ｂを有している。第２ビルドアップ部２０は一方の面２０Ｆおよび一方の面２０Ｆと反対側の他方の面２０Ｂを有している。第３ビルドアップ部３０は一方の面３０Ｆおよび一方の面３０Ｆと反対側の他方の面３０Ｂを有している。図１に示されるように、第１ビルドアップ部１０の一方の面１０Ｆが第１面１Ｆを構成している。第２面１Ｂは、第３ビルドアップ部３０の他方の面３０Ｂにより構成される。
（【００１１】以降は省略されています）

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