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10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025054192
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-07
出願番号
2024138516
出願日
2024-08-20
発明の名称
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人
住友化学株式会社
代理人
弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類
G03F
7/004 20060101AFI20250328BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約
【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造し得る酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される塩を含有する酸発生剤及びレジスト組成物。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025054192000187.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">34</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">160</com:WidthMeasure> </com:Image> [式中、Q
1
、Q
2
、R
1
及びR
2
はそれぞれH原子、F原子、アルキル基等;zは0~6の整数;X
1
及びX
2
は、*-CO-O-、*-O-CO-等;Wは環状炭化水素基を有する炭化水素基;R
10
は式(IC)で表される基;Z
+
は有機カチオン;R
A
は飽和炭化水素基;u1は0~2、s1は1又は2、t1は0又は1、s1+t1=1又は2;L
12
は、単結合又は置換/非置換の炭化水素基、該基中の-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。]
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。
TIFF
2025054192000174.tif
20
130
[式(I)中、
Q
1
、Q
2
、R
1
及びR
2
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。
zは、0~6のいずれかの整数を表し、zが2以上のとき、複数のR
1
及びR
2
は互いに同一であっても異なってもよい。
X
1
は、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、C(R
1
)(R
2
)又はC(Q
1
)(Q
2
)との結合部位を表す。)を表す。
Wは、炭素数3~36の環状炭化水素基を有する炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい(但し、X
2
と結合する-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わらない。)。
X
2
は、**-CO-O-、**-O-CO-又は**-O-(但し、**は、Wとの結合部位を表す。)を表す。
R
10
は、式(IC)で表される基を表す。
Z
+
は、有機カチオンを表す。]
TIFF
2025054192000175.tif
25
71
[式(IC)中、
R
A
は、炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。
u1は、0~2のいずれかの整数を表し、u1が2である場合、複数のR
A
は同一であるか、相異なる。
s1は、1又は2を表す。
t1は、0又は1を表す。但し、s1とt1との和は、1又は2である。
L
12
は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい(但し、X
2
が、**-O-CO-である場合、X
2
と結合する-CH
2
-は-O-に置き換わらない。)。
*は、結合部位を表す。]
続きを表示(約 3,700 文字)
【請求項2】
Wが、式(W-1)で表される炭化水素基である、請求項1に記載の酸発生剤。
TIFF
2025054192000176.tif
11
65
[式(W-1)中、
L
2
及びL
3
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1~3のアルカンジイル基を表す。
W
1
は、炭素数3~36の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基は置換基を有してもよく、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わってもよい。
*及び**は、結合部位を表し、*はX
1
との結合部位を表す。]
【請求項3】
Wが、式(W-2)で表される環状炭化水素基(該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、隣接する2つの炭素原子間で二重結合を形成していてもよく、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよく、該環状炭化水素基に含まれる水素原子は置換基に置換されていてもよい。)である請求項1に記載の酸発生剤。
TIFF
2025054192000177.tif
22
79
[式(W-2)中、
L
2
は、単結合又は炭素数1~3のアルカンジイル基を表す。
R
3
は、炭素数1~12のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基は、Wに含まれる2つの炭素原子と結合してアルカンジイルブリッジを形成し、該アルカンジイル基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよく、該アルカンジイル基に含まれる炭素原子は、隣接する炭素原子間で二重結合を形成していてもよい。
m1は、0~3のいずれかの整数を表す。
m3は、0~3のいずれかの整数を表し、m3が2以上のとき、複数のR
3
は互いに同一であっても異なってもよい。
*は、X
1
との結合部位を表し、**は、X
2
との結合部位を表す。]
【請求項4】
X
1
が、*-O-CO-(但し、*は、C(R
1
)(R
2
)又はC(Q
1
)(Q
2
)との結合部位を表す。)であり、X
2
が、**-CO-O-(但し、**は、Wとの結合部位を表す。)である請求項1に記載の酸発生剤。
【請求項5】
zが、1である請求項1に記載の酸発生剤。
【請求項6】
請求項1~5のいずれかに記載の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項7】
さらに、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂を含み、
酸不安定基を有する構造単位が、式(a1-0)で表される構造単位、式(a1-1)で表される構造単位、式(a1-2)で表される構造単位、式(a1-4)で表される構造単位、式(a1-5)で表される構造単位及び式(a1-6)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む請求項6に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025054192000178.tif
44
144
[式(a1-0)、式(a1-1)及び式(a1-2)中、
L
a01
、L
a1
及びL
a2
は、それぞれ独立に、-O-又は*-O-(CH
2
)
k1
-CO-O-を表し、k1は1~7のいずれかの整数を表し、*は-CO-との結合部位を表す。
R
a01
、R
a4
及びR
a5
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
R
a02
、R
a03
及びR
a04
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
R
a6
及びR
a7
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~8のアルケニル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
m1’は0~14のいずれかの整数を表す。
n1は0~10のいずれかの整数を表す。
n1’は0~3のいずれかの整数を表す。]
TIFF
2025054192000179.tif
31
119
[式(a1-4)中、
R
a1
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
R
a17
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~12のアルコキシアルキル基、炭素数2~12のアルコキシアルコキシ基、炭素数2~4のアルキルカルボニル基、炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
A
a11
は、単結合又は炭素数1~12のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-又は-NR
a18
-に置き換わってもよい。
R
a18
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
X
a1
は、単結合又はカルボニル基を表す。
R
a34
及びR
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、R
a36
は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、R
a35
及びR
a36
は互いに結合してそれらが結合する-C-O-とともに炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-S-で置き換わってもよい。
na1は、1~5のいずれかの整数を表し、na1が、2以上のとき、複数の括弧内の基は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。
na11は、0~4のいずれかの整数を表し、na11が2以上のとき、複数のR
a17
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
mcは、0~2のいずれかの整数を表す。]
TIFF
2025054192000180.tif
45
58
[式(a1-5)中、
R
【請求項8】
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂と、
酸不安定基を有する構造単位を含まず、式(a4)で表される構造単位を含む、請求項6に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025054192000182.tif
32
55
[式(a4)中、
R
41
は、水素原子又はメチル基を表す。
R
42
は、炭素数1~24のハロゲン原子を有する飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-CO-に置き換わっていてもよい。]
【請求項9】
酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する請求項6に記載のレジスト組成物。
【請求項10】
(1)請求項6に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示(約 4,800 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物がそれぞれ記載されている。
TIFF
2025054192000001.tif
32
59
特許文献2には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物がそれぞれ記載されている。
TIFF
2025054192000002.tif
32
73
特許文献3には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物がそれぞれ記載されている。
TIFF
2025054192000003.tif
32
93
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2011-246439号公報
特開2009-258695号公報
特開2012-193170号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、上記の塩を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる塩を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は、以下の発明を含む。
[1]式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。
TIFF
2025054192000004.tif
20
130
[式(I)中、
Q
1
、Q
2
、R
1
及びR
2
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。
zは、0~6のいずれかの整数を表し、zが2以上のとき、複数のR
1
及びR
2
は互いに同一であっても異なってもよい。
X
1
は、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、C(R
1
)(R
2
)又はC(Q
1
)(Q
2
)との結合部位を表す。)を表す。
Wは、炭素数3~36の環状炭化水素基を有する炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい(但し、X
2
と結合する-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わらない。)。
X
2
は、**-CO-O-、**-O-CO-又は**-O-(但し、**は、Wとの結合部位を表す。)を表す。
R
10
は、式(IC)で表される基を表す。
Z
+
は、有機カチオンを表す。]
TIFF
2025054192000005.tif
25
71
[式(IC)中、
R
A
は、炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。
u1は、0~2のいずれかの整数を表し、u1が2である場合、複数のR
A
は同一であるか、相異なる。
s1は、1又は2を表す。
t1は、0又は1を表す。但し、s1とt1との和は、1又は2である。
L
12
は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい(但し、X
2
が、**-O-CO-である場合、X
2
と結合する-CH
2
-は-O-に置き換わらない。)。
*は、結合部位を表す。]
[2]Wが、式(W-1)で表される炭化水素基である[1]に記載の酸発生剤。
TIFF
2025054192000006.tif
11
65
[式(W-1)中、
L
2
及びL
3
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1~3のアルカンジイル基を表す。
【発明の効果】
【0006】
本発明の塩を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【0007】
本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも1種」を意味する。「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」等の表記も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる-CH
2
-が-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を2種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性C=C結合が重合により-C-C-基(単結合)となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。酸不安定基とは、酸(例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等)と接触すると、脱離基が脱離し、親水性基である、例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等を形成する基を意味する。塩基不安定基とは、塩基(例えば、トリメチルアミン等)と接触すると、脱離基が脱離して、カルボキシ基又はヒドロキシ基等を形成する基を意味する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤(E)を除いた成分の合計を意味する。
【0008】
<式(I)で表される塩>
本発明は、式(I)で表される塩(以下「塩(I)」という場合がある)に関する。
塩(I)のうち、負電荷を有する側を「アニオン(I)」、正電荷を有する側を「カチオン(I)」と称することがある。
【0009】
〔アニオン(I)〕
式(I)において、Q
1
、Q
2
、R
1
及びR
2
のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Q
1
、Q
2
、R
1
及びR
2
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
Q
1
及びQ
2
は、少なくとも一方に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を含むことが好ましく、少なくとも一方が、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基であることがより好ましく、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であることがさらに好ましく、ともにフッ素原子であることがさらにより好ましい。
R
1
及びR
2
は、それぞれ独立に、好ましくは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、より好ましくは水素原子又はフッ素原子であり、さらに好ましくは水素原子である。
zは、0~2のいずれかの整数であることが好ましく、0又は1であることがより好ましく、1であることがさらに好ましい。
X
1
は、*-CO-O-、*-O-CO-又は*-O-CO-O-であることが好ましく、*-O-CO-であることがより好ましい(*はC(R
1
)(R
2
)又はC(Q
1
)(Q
2
)との結合部位を表す。)。
【0010】
Wの炭素数3~36の環状炭化水素基(以下、「環W」と称する場合がある。)を有する炭化水素基としては、環状炭化水素基とアルカンジイル基等の鎖式炭化水素基を組み合わせた基が挙げられる。
Wの炭素数3~36の環状炭化水素基(以下、「環W」と称する場合がある。)は、飽和及び不飽和のいずれでもよく、例えば、脂環式炭化水素基(該脂環式炭化水素基に含まれる隣接する2つの炭素原子は二重結合を形成してもよく、該脂環式炭化水素基基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。)又は芳香族炭化水素基が挙げられる。環Wは、単環であってもよいし、多環であってもよく、多環の環状炭化水素基は、橋掛け環であってもよいし、スピロを形成していてもよい。
Wの炭素数3~36の環状炭化水素基を有する炭化水素基としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、1以上の脂環式炭化水素基と1以上のアルカンジイル基とから形成される炭化水素基、1以上の芳香族炭化水素基と1以上のアルカンジイル基とから形成される炭化水素基、1以上の脂環式炭化水素基と1以上のアルカンジイル基と1以上の芳香族炭化水素基とから形成される基等)が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、以下の脂環式炭化水素基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
TIFF
2025054192000013.tif
42
166
具体的に、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロデカンジイル基等の単環式シクロアルカンジイル基等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフタンジイル基、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ノルボルネンジイル基、ビシクロ[3.3.0]オクタンジイル基等の多環式シクロアルカンジイル基等が挙げられる。
また、脂環式炭化水素基に含まれる隣接する2つの炭素原子間で二重結合を形成している環状炭化水素基は、以下の環状炭化水素基が挙げられる。
TIFF
2025054192000014.tif
11
83
(【0011】以降は省略されています)
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