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公開番号2025039279
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-21
出願番号2023146257
出願日2023-09-08
発明の名称半導体装置
出願人新光電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/00 20060101AFI20250313BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】小型化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、第1基板20と、第1基板20と離れて設けられた第2基板30と、第1基板20と第2基板30とに跨るように、第1基板20の上面21A及び第2基板30の上面30Aに実装された第1半導体素子50とを有する。半導体装置10は、第2基板30の上面30Aに実装された第2半導体素子60と、第2基板30の下面30Bに実装された第3半導体素子70とを有する。第3半導体素子70は、平面視において、第2半導体素子60と重なるように設けられている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と離れて設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とに跨るように、前記第１基板の上面及び前記第２基板の上面に実装された第１半導体素子と、
前記第２基板の上面に実装された第２半導体素子と、
前記第２基板の下面に実装された第３半導体素子と、を有し、
前記第３半導体素子は、平面視において、前記第２半導体素子と重なるように設けられている、半導体装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記第３半導体素子は、平面視において、前記第１半導体素子と重なるように設けられている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３半導体素子は、平面視において、前記第１半導体素子と重ならないように設けられている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体素子は、前記第２半導体素子及び前記第３半導体素子の各々よりも発熱量の大きい半導体素子であり、
前記第３半導体素子は、前記第１半導体素子よりも熱抵抗の小さい半導体素子である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３半導体素子は、光回路を有する光ＩＣであり、
前記第２半導体素子は、光回路駆動用の電気回路を有する電気ＩＣであり、
前記第１半導体素子は、信号処理用の電気回路を有するＬＳＩである、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２基板は、平面視において、前記第１基板と重ならないように設けられている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１基板は、前記第１基板を厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
前記第２基板は、前記貫通孔の内部空間に設けられている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記貫通孔は、切り欠き状に形成されている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２基板は、コアレス基板であり、
前記第１基板の厚さは、前記第２基板の厚さと前記第３半導体素子の厚さとを合わせた厚さよりも厚く形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１半導体素子の上面に搭載された第１放熱板と、
前記第３半導体素子の下面に搭載された第２放熱板と、を更に有する、請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、基板に複数の半導体素子を搭載した半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１０７６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、従来の半導体装置では、基板の上に複数の半導体素子が横並びに配置されるため、半導体装置の平面サイズが大型化するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１基板と、前記第１基板と離れて設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とに跨るように、前記第１基板の上面及び前記第２基板の上面に実装された第１半導体素子と、前記第２基板の上面に実装された第２半導体素子と、
前記第２基板の下面に実装された第３半導体素子と、を有し、前記第３半導体素子は、平面視において、前記第２半導体素子と重なるように設けられている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、小型化できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図（図２における１－１線断面図）である。
図２は、第１実施形態の半導体装置を示す概略平面図である。
図３は、第１実施形態の半導体装置を示す概略平面図である。
図４は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
図５は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
図６は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
図７は、第２実施形態の半導体装置を示す概略断面図である。
図８は、変更例の半導体装置を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率については各図面で異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。各図面では、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。以下の説明では、便宜上、Ｘ軸に沿って延びる方向をＸ軸方向と称し、Ｙ軸に沿って延びる方向をＹ軸方向と称し、Ｚ軸に沿って延びる方向をＺ軸方向と称する。なお、本明細書において、「平面視」とは、特に記載がない限り、対象物をＺ軸方向から見ることを言う。また、本明細書において、「平面形状」とは、特に記載がない限り、対象物をＺ軸方向から見た形状のことを言う。本明細書において「同一」とは、正確に同一の場合の他、寸法公差等の影響により比較対象同士に多少の相違がある場合も含む。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、図１～図６に従って第１実施形態を説明する。
（半導体装置１０の全体構成）
図１に示すように、半導体装置１０は、第１基板２０と、第２基板３０と、第１半導体素子５０と、第２半導体素子６０と、第３半導体素子７０とを有している。なお、本明細書においては、Ｚ軸方向における第１半導体素子５０及び第２半導体素子６０側を上側とし、Ｚ軸方向における第３半導体素子７０側を下側とする。但し、半導体装置１０は、天地逆の状態で製造及び使用されてもよく、任意の姿勢で製造及び使用されてもよい。
【００１０】
第１半導体素子５０は、第１基板２０と第２基板３０とに跨るように、第１基板２０の上面２１Ａ及び第２基板３０の上面３０Ａに実装されている。第２半導体素子６０は、第２基板３０の上面３０Ａに実装されている。第３半導体素子７０は、第２基板３０のうち第１半導体素子５０及び第２半導体素子６０が実装された上面３０Ａとは反対側の下面３０Ｂに実装されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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