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公開番号2025036266
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-14
出願番号2024145583
出願日2024-08-27
発明の名称ゲート弁をモニタリングする能力を有する基材処理システムおよびその方法
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 16/52 20060101AFI20250306BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】ゲート弁をモニタリングする能力を有する半導体処理システム、およびその方法を提示する。
【解決手段】本開示では、半導体処理システムであって、反応チャンバと、前記反応チャンバに結合されたゲート弁と、ゲート弁に動作可能に接続され、ゲート弁を開閉するように構成されたコントローラであって、コントローラが、ゲート弁の平均動作時間を計算し、パラメータを設定し、ゲート弁の動作時間を測定し、ゲート弁の動作時間が、パラメータに基づいて正常範囲内にない場合、ゲート弁が異常であると判定するようにさらに構成されたコントローラと、を備える、半導体処理システムが開示される。本開示では、ゲート弁をリアルタイムでモニタリングすることができ、これは、より良好な基材処理、およびより良好なウエハ品質を可能にし得る。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体処理システム内のゲート弁をモニタリングする方法であって、前記方法が、
前記ゲート弁の平均動作時間を計算することと、
パラメータを設定することと、
前記ゲート弁の動作時間を測定することと、
前記ゲート弁の前記動作時間が、前記パラメータに基づいて正常範囲内にない場合、前記ゲート弁を異常であると判定することと、を含む、方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記ゲート弁の状態を表示することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記設定することが、
ユーザーインターフェースからパラメータを受信することと、
前記受信したパラメータを保存することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記計算することが、
弁オン信号をゲート弁に送信することと、
前記ゲート弁からフィードバック信号を受信することと、
前記弁オン信号と前記フィードバック信号との間の経過時間をカウントすることと、前記送信すること、前記受信すること、および前記カウントすることを所定の回数繰り返して、前記ゲート弁の平均動作時間を決定することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記測定することが、
弁オン信号を前記ゲート弁に送信することと、
前記ゲート弁からフィードバック信号を受信することと、
前記弁オン信号と前記フィードバック信号との間の経過時間をカウントし、前記経過時間を前記ゲート弁の動作時間であると判定することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
半導体処理システムであって、
反応チャンバと、
前記反応チャンバに結合されたゲート弁と、
前記ゲート弁に動作可能に接続され、前記ゲート弁を開閉するように構成されたコントローラであって、前記コントローラが、
前記ゲート弁の平均動作時間を計算し、
パラメータを設定し、
前記ゲート弁の動作時間を測定し、
前記ゲート弁の前記動作時間が、前記パラメータに基づいて正常範囲内にない場合、前記ゲート弁が異常であると判定するようにさらに構成された、コントローラとを備える、半導体処理システム。
【請求項７】
オペレータから入力を取得するように構成された入力ユニットと、
前記ゲート弁の前記状態を表示するように構成された表示ユニットと、を備え、
前記入力ユニットおよび前記表示ユニットが、有線または無線で前記コントローラに結合され、
前記コントローラが、前記ゲート弁の状態を前記表示ユニットに表示するようにさらに構成された、請求項６に記載の半導体処理システム。
【請求項８】
前記入力ユニットが、テキスト形式またはグラフィック形式で入力を受信するように構成され、
前記入力をメモリに保存するようにさらに構成された、請求項７に記載の半導体処理システム。
【請求項９】
前記コントローラが、
弁オン信号を前記ゲート弁に送信し、
前記ゲート弁からフィードバック信号を受信し、
前記弁オン信号と前記フィードバック信号との間の経過時間をカウントし、所定の回数でそれらを反復して、前記ゲート弁の平均動作時間を取得するようにさらに構成された、請求項６に記載の半導体処理システム。
【請求項１０】
前記コントローラが、
弁オン信号を前記ゲート弁に送信し、
前記ゲート弁からフィードバック信号を受信し、
前記弁オン信号と前記フィードバック信号との間の経過時間をカウントし、前記経過時間を前記ゲート弁の動作時間であると判定するようにさらに構成された、請求項６に記載の半導体処理システム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体処理システムに関し、特に、システム内の反応チャンバに結合されたゲート弁をモニタリングする能力を備えるシステムに関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、一般に、原子層堆積（ＡＬＤ）または化学気相堆積（ＣＶＤ）などの堆積技法を用いて基材の上へと膜を堆積させることによって形成される。ＡＬＤおよび／またはＣＶＤ技法は、一般に、個々の基材上に所望の層を形成するために、比較的短い期間、反応チャンバへの前駆体または反応物ガス流を周期的に提供することを採用する。
【０００３】
ガス流は、典型的には、所定の予定された時間に従って開閉するゲート弁によって提供されてもよく、ゲート弁コントローラによって行われてもよい。堆積膜の品質は、正確なゲート弁の開閉の程度に依存し得る。
【０００４】
しかしながら、ゲート弁は、錆びるまたは古くなる場合があり、予期された通りに正確に開／閉信号に応答せず、基材処理中に、不安定なガス圧力、および／またはゲート弁動作のタイムアウトが発生することがある。
【０００５】
したがって、本開示は、製品品質を維持するのが容易となるように、開／閉信号に対するゲート弁の応答性をモニタリングするシステムおよび方法を提示する。
【発明の概要】
【０００６】
この概要は、選択された概念を、簡略化した形態で紹介するために提供される。これらの概念は、下記の開示の例示的実施形態の「発明を実施するための形態」において、さらに詳細に記述される。この「発明の概要」は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図しておらず、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図していない。
【０００７】
一実施形態によれば、半導体処理システム内のゲート弁をモニタリングする方法であって、方法は、ゲート弁の平均動作時間を計算することと、パラメータを設定することと、ゲート弁の動作時間を測定することと、ゲート弁の動作時間がパラメータに基づいて正常範囲内にない場合に、ゲート弁を異常であると判定することと、を含む、方法が提供されてもよい。
【０００８】
別の実施形態によれば、ゲート弁の状態を表示することが提供されてもよい。
【０００９】
別の実施形態によれば、ゲート弁の状態を表示することをさらに含む方法が提供されてもよい。
【００１０】
別の実施形態によれば、方法であって、方法は、ユーザーインターフェースからパラメータを受信することと、受信したパラメータを保存することと、をさらに含む、方法が提供されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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