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公開番号2025035060
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-13
出願番号2023141835
出願日2023-08-31
発明の名称半導体集積回路装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類G01R 31/26 20200101AFI20250306BHJP(測定;試験)
要約【課題】内部の状態を確認することなくボンディングワイヤの状態、及びボンディングワイヤとボンディングパッドとの接続状態を診断できる半導体集積回路装置を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路装置100は、リードフレーム端子111と、半導体基板120上の診断入力側ボンディングパッド121A及び診断出力側ボンディングパッド121Bと、リードフレーム端子111を中継地点として上記ボンディングパッド121Aから121Bまでの経路が直列となるように、それぞれ接続されたボンディングワイヤ131A、131Bと、所定値の直流電圧を診断入力側ボンディングパッド121Aに供給する入力信号スイッチ回路140と、診断出力側ボンディングパッド121Bに接続され、上記ボンディングパッド121Aから121Bまでの経路の電気抵抗が所定値を超えた場合にエラー信号を出力する判定回路150と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体パッケージに設けられる第１電極と、
集積回路上に形成された第２電極及び第３電極と、
前記第１電極を中継地点として前記第２電極から前記第３電極までの経路が直列となるように、前記第１電極と前記第２電極との間、及び前記第１電極と前記第３電極との間をそれぞれ接続する金属細線と、
前記第２電極に接続され、金属細線の接続状態を診断する際に予め設定された電圧値の直流電圧を前記第２電極に供給する入力信号スイッチ回路と、
前記第３電極に接続され、前記第２電極から前記第３電極までの経路の電気抵抗が予め定められた値を超えた場合にエラー信号を出力する判定回路と、を備える半導体集積回路装置。
続きを表示（約 400 文字）【請求項２】
前記入力信号スイッチ回路が、インバータ回路と、当該インバータ回路の出力をゲート入力とし、ソースを直流電源電圧に接続し、ドレインを前記第２電極に接続したＰＭＯＳトランジスタと、を含み、前記インバータ回路の出力を「Ｈ」レベルにすることにより前記第２電極にテスト電圧を印加する、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記入力信号スイッチ回路が、汎用入出力ポートの出力トランジスタを使用し、前記金属細線の接続状態を診断する際に、当該出力トランジスタをオンにすることにより前記第２電極にテスト電圧を印加する、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記判定回路が、前記第３電極とグランドとの間に接続された抵抗と、前記第３電極と出力ノードとの間に接続されたインバータ回路とを含む、請求項１から３のいずれか１項記載の半導体集積回路装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置、特に、ボンディングワイヤの接続状態を検知できる診断回路を備えた半導体集積回路装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
集積回路上の電極と、プリント基板又は半導体パッケージの電極とを、微細な金属ワイヤ、すなわちボンディングワイヤを用いて電気的に接続するワイヤ・ボンディング技術がある。ボンディングワイヤを用いたパッケージを採用する大規模集積回路では、モールド樹脂によってボンディングワイヤ及びボンディングパッドが封止され、外部から内部の状態を確認することは出来なくなっている。
【０００３】
このボンディングワイヤとして、高価な金を主成分とした貴金属細線を使用する代わりに、安価な銅を主成分としたものを使用することがある。例えば、下記特許文献１は、純度９９．９９重量％以上の銅を素材料とし、当該銅に他の元素を０．００１～０．１重量％含有させて細線を構成したボンディングワイヤを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開昭６１－０４８５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、銅を主成分としたボンディングワイヤは、温度変化、振動、応力、製造時における汚染物質の混入等の要因により腐食したり、ボンディング剥がれが生じたりし、大規模集積回路の動作に支障をきたすことがある。
【０００６】
本発明は、上記の事情を踏まえ、半導体パッケージのモールド樹脂を剥がして内部の状態を確認することなくボンディングワイヤの状態、及びボンディングワイヤとボンディングパッドとの接続状態を診断できる半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路装置は、半導体パッケージに設けられる第１電極と、集積回路上に形成された第２電極及び第３電極と、前記第１電極を中継地点として前記第２電極から前記第３電極までの経路が直列となるように、前記第１電極と前記第２電極との間、及び前記第１電極と前記第３電極との間をそれぞれ接続する金属細線と、前記第２電極に接続され、金属細線の接続状態を診断する際に予め設定された電圧値の直流電圧を前記第２電極に供給する入力信号スイッチ回路と、前記第３電極に接続され、前記第２電極から前記第３電極までの経路の電気抵抗が予め定められた値を超えた場合にエラー信号を出力する判定回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体パッケージのモールド樹脂を剥がして内部の状態を確認することなくボンディングワイヤの状態、及びボンディングワイヤとボンディングパッドとの接続状態を診断できる半導体集積回路を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施形態１のボンディングワイヤの接続状態を検知できる診断回路を備えた半導体集積回路装置の概略図である。
図１の半導体集積回路装置の各部の電位レベルを示したタイミングチャートである。
実施形態２のボンディングワイヤの接続状態を検知できる診断回路を備えた半導体集積回路装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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