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公開番号2025032719
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-12
出願番号2023138167
出願日2023-08-28
発明の名称インダクタ素子及び集積回路
出願人株式会社村田製作所
代理人個人,個人
主分類H10D 1/20 20250101AFI20250305BHJP()
要約【課題】大型化を抑制することができるインダクタ素子を提供する。
【解決手段】インダクタ素子は、少なくとも1箇所に途切れ部を有するインダクタ配線と、インダクタ配線における途切れ部の両側に位置する一方側部分及び他方側部分の各々に接続され、外部に露出した一対の外部端子と、途切れ部に設けられた少なくとも1つのインダクタ可変抵抗部と、インダクタ可変抵抗部に接続され、外部に露出した少なくとも1つの可変抵抗端子と、を備える。インダクタ可変抵抗部は、一方側部分と他方側部分とを接続し、一方側部分と他方側部分の間の抵抗値を変更させる。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
少なくとも１箇所に途切れ部を有するインダクタ配線と、
前記インダクタ配線における前記途切れ部の両側に位置する一方側部分及び他方側部分の各々に接続され、外部に露出した一対の外部端子と、
前記途切れ部に設けられた少なくとも１つのインダクタ可変抵抗部と、
前記インダクタ可変抵抗部に接続され、外部に露出した少なくとも１つの可変抵抗端子と、を備え、
前記インダクタ可変抵抗部は、前記一方側部分と前記他方側部分とを接続し、前記一方側部分と前記他方側部分の間の抵抗値を変更させる、インダクタ素子。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記インダクタ可変抵抗部は、ＭＯＳＦＥＴであり、
ＭＯＳＦＥＴである前記インダクタ可変抵抗部は、
酸化膜と、
前記酸化膜の一方主面側に前記酸化膜と接触して設けられ、ＭＯＳＦＥＴである前記インダクタ可変抵抗部の厚み方向から見て前記途切れ部と重なる位置にあるゲート電極と、
前記酸化膜の他方主面側に前記酸化膜と接触して設けられるチャネル層と、を備え、
前記インダクタ配線は、前記チャネル層に対して前記酸化膜とは前記厚み方向の反対側に設けられて前記チャネル層と接触している請求項１に記載のインダクタ素子。
【請求項３】
前記チャネル層は、不純物がドープされたドープ領域を有し、
前記ドープ領域は、前記一方側部分及び前記他方側部分の双方と接触している請求項２に記載のインダクタ素子。
【請求項４】
ＭＯＳＦＥＴである前記インダクタ可変抵抗部は、ノーマリーオン型である請求項２または３に記載のインダクタ素子。
【請求項５】
前記厚み方向における前記酸化膜及び前記インダクタ配線の間に介在して前記インダクタ配線と接触し、且つ前記チャネル層の一部を覆う介在絶縁層を更に備え、
前記介在絶縁層は、前記介在絶縁層を前記厚み方向に貫通する貫通孔を有し、
前記インダクタ配線は、前記貫通孔を介して前記チャネル層と接触している請求項２または３に記載のインダクタ素子。
【請求項６】
前記介在絶縁層と前記チャネル層との界面近傍における前記チャネル層の欠陥密度は、前記酸化膜と前記チャネル層との界面近傍における前記チャネル層の欠陥密度より高い請求項５に記載のインダクタ素子。
【請求項７】
前記介在絶縁層は、前記チャネル層の側面を覆っている請求項５に記載のインダクタ素子。
【請求項８】
前記チャネル層に対して前記酸化膜とは前記厚み方向の反対側に設けられて前記インダクタ配線を覆う被覆絶縁層を更に備える請求項２または３に記載のインダクタ素子。
【請求項９】
複数の前記インダクタ可変抵抗部を備え、
複数の前記インダクタ可変抵抗部は、直列に接続されている請求項１から３のいずれか１項に記載のインダクタ素子。
【請求項１０】
複数の前記インダクタ可変抵抗部を備え、
複数の前記インダクタ可変抵抗部は、並列に接続されている請求項１から３のいずれか１項に記載のインダクタ素子。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、インダクタ素子、及び当該インダクタ素子を備える集積回路に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
無線給電のような電力送信システムにおいて、電力送信可能な領域を広げることが求められている。電力送信可能な領域を広げるために、例えば、電力送信システムが備える移相器の位相を変えてビームフォーミングが行われる。移相器の位相を変えるために、例えば、移相器が備えるインダクタ素子のインピーダンスを変えることが考えられる。
【０００３】
インダクタ素子のインピーダンスを変えるために、例えば、特許文献１－３に開示されている可変インダクタを、インダクタ素子として移相器に実装することが考えられる。可変インダクタのインダクタンスを変えることによって、可変インダクタのインピーダンスを変えることができる。
【０００４】
特許文献１に開示された可変インダクタは、複数のコイルパターンと、外部電極を介して複数のコイルパターンに接続された複数のスイッチとを備える。各スイッチのオンオフに応じて、電流が流れるコイルパターンの組み合わせが変更される。これにより、可変インダクタのインダクタンスが所望の値に設定される。
【０００５】
特許文献２に開示された可変インダクタは、開放端を持つループ状の配線層を複数個と、各配線層の開放端を開放／短絡するスイッチとしての電界効果トランジスタとを備える。各配線層の開放端の開放／短絡の組み合わせに応じて、可変インダクタのインダクタンスが決定される。
【０００６】
特許文献３に開示された可変インダクタは、２つのインダクタと、２つのインダクタの間を導通状態または非導通状態とするスイッチとを備える。スイッチのオンオフに応じて、可変インダクタのインダクタンスが決定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特許第６７０１９２３号公報
特開平８－１６２３３１号公報
特開２０１０－２７２８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１－３に開示された可変インダクタでは、スイッチのオンオフに応じて機能するコイルのターン数及び線路長が変わる。そのため、可変インダクタが大型化してしまう。可変インダクタが備えるコイルの数を少なくすることによって可変インダクタを小型化することができる。しかし、この場合、インダクタンスの可変範囲を大きくするために、可変インダクタを複数段に配置する必要がある。そのため、可変インダクタを備える装置全体としての大型化を回避することはできない。
【０００９】
本開示は、大型化を抑制することができるインダクタ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一態様のインダクタ素子は、
少なくとも１箇所に途切れ部を有するインダクタ配線と、
前記インダクタ配線における前記途切れ部の両側に位置する一方側部分及び他方側部分の各々に接続され、外部に露出した一対の外部端子と、
前記途切れ部に設けられた少なくとも１つのインダクタ可変抵抗部と、
前記インダクタ可変抵抗部に接続され、外部に露出した少なくとも１つの可変抵抗端子と、を備え、
前記インダクタ可変抵抗部は、前記一方側部分と前記他方側部分とを接続し、前記一方側部分と前記他方側部分の間の抵抗値を変更させる。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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