TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2025068677
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-30
出願番号2023178613
出願日2023-10-17
発明の名称誘電エラストマデバイスの製造方法
出願人個人,個人,日本ゼオン株式会社
代理人個人
主分類H10N 30/06 20230101AFI20250422BHJP()
要約【課題】 より適切に誘電エラストマデバイスを製造することが可能な誘電エラストマデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の誘電エラストマデバイスの製造方法は、エラストマ伸張工程と、炭素系導電材料生成工程と、電極形成工程と、支持材取付工程と、不要部分削除工程と、を備える、誘電エラストマデバイスの製造方法であって、前記エラストマ伸張工程の後、前記電極形成工程の前に、前記エラストマ材料の膜厚を検査する、第1検査工程と、前記炭素系導電材料生成工程において、分散液の分散状態を検査する、第2検査工程と、前記電極形成工程において、前記塗布処理の後、前記乾燥処理の前に、前記炭素系導電材料の塗布状態を検査する、第3検査工程と、前記電極形成工程の後、前記支持材取付工程の前に、前記電極の電気抵抗値を検査する、第4検査工程と、前記不要部分削除工程の後に、前記誘電エラストマデバイスの動作を検査する、第5検査工程と、の少なくともいずれかをさらに備える。
【選択図】 図2
特許請求の範囲【請求項1】
エラストマ材料を規定長さに伸張させる、エラストマ伸張工程と、
炭素系導電性フィラーを液中に分散させた分散液とバインダとを混合することにより、炭素系導電材料を生成する、炭素系導電材料生成工程と、
前記炭素系導電材料を前記エラストマ材料の表面に塗布する塗布処理、および塗布された前記炭素系導電材料を乾燥させる乾燥処理、を含む、電極形成工程と、
前記エラストマ材料に支持材を取り付ける、支持材取付工程と、
前記エラストマ材料の不要部分を削除する、不要部分削除工程と、を備える、誘電エラストマデバイスの製造方法であって、
前記エラストマ伸張工程の後、前記電極形成工程の前に、前記エラストマ材料の膜厚を検査する、第1検査工程と、
前記炭素系導電材料生成工程において、分散液の分散状態を検査する、第2検査工程と、
前記電極形成工程において、前記塗布処理の後、前記乾燥処理の前に、前記炭素系導電材料の塗布状態を検査する、第3検査工程と、
前記電極形成工程の後、前記支持材取付工程の前に、前記電極の電気抵抗値を検査する、第4検査工程と、
前記不要部分削除工程の後に、前記誘電エラストマデバイスの動作を検査する、第5検査工程と、の少なくともいずれかをさらに備える、誘電エラストマデバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、誘電エラストマデバイスの製造方法に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、誘電エラストマデバイスの一例が開示されている。同文献に開示された誘電エラストマデバイスは、誘電エラストマ層と一対の電極層とを備える。誘電エラストマデバイスは、たとえば、アクチュエータ、センサ、発電素子等として機能する。誘電エラストマデバイスの動作時には、誘電エラストマ層に顕著な伸縮が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-032586号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
誘電エラストマ層が適切に製造されない場合、誘電エラストマ層の伸縮が阻害され、あるいは誘電エラストマデバイスの動作時に誘電エラストマ層が破損するおそれがある。
【0005】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より適切に誘電エラストマデバイスを製造することが可能な誘電エラストマデバイスの製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明によって提供される誘電エラストマデバイスの製造方法は、エラストマ伸張工程と、炭素系導電材料生成工程と、電極形成工程と、支持材取付工程と、不要部分削除工程と、を備える、誘電エラストマデバイスの製造方法であって、前記エラストマ伸張工程の後、前記電極形成工程の前に、前記エラストマ材料の膜厚を検査する、第1検査工程と、前記炭素系導電材料生成工程において、分散液の分散状態を検査する、第2検査工程と、前記電極形成工程において、前記塗布処理の後、前記乾燥処理の前に、前記炭素系導電材料の塗布状態を検査する、第3検査工程と、前記電極形成工程の後、前記支持材取付工程の前に、前記電極の電気抵抗値を検査する、第4検査工程と、前記不要部分削除工程の後に、前記誘電エラストマデバイスの動作を検査する、第5検査工程と、の少なくともいずれかをさらに備える。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、より適切に誘電エラストマデバイスを製造することができる。
【0008】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本発明に係る誘電エラストマデバイスの製造方法によって製造される誘電エラストマデバイスの一例を示す斜視図および部分拡大断面図である。
本発明に係る誘電エラストマデバイスの製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。
本発明に係る誘電エラストマデバイスの製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。
本発明に係る誘電エラストマデバイスの製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。
本発明に係る誘電エラストマデバイスの製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。
本発明に係る誘電エラストマデバイスの製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

日本放送協会
磁性細線メモリ
1日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置
1日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置
1日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
2日前
株式会社ニコン
撮像素子
2日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
2日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
2日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
2日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置及び表示装置用マザー基板
1日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置及び表示装置用マザー基板
1日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置および表示装置用マザー基板
1日前
株式会社デンソー
半導体装置
2日前
リジェネックスバイオ インコーポレイテッド
組換えアデノ随伴ウイルス及びその使用
2日前