TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025026032
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-21
出願番号
2023131362
出願日
2023-08-10
発明の名称
組成探索方法及びエポキシ硬化物
出願人
株式会社東芝
,
東芝インフラシステムズ株式会社
代理人
弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類
C08G
59/42 20060101AFI20250214BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約
【課題】エポキシ硬化物の組成を効率的に探索することが可能な組成探索方法及び当該組成探索方法により得られるエポキシ硬化物を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る組成探索方法は、エポキシ主剤及び酸無水物硬化剤を含むマトリックスと充填剤であるシリカとを含む第1のエポキシ硬化物の内部構造を表す画像である第1の画像を取得する第1取得工程と、第1の画像に2値化を施して第1の2値化画像を生成する第1生成工程と、第1の2値化画像に位相的データ解析を施して第1の特徴量を算出する第1算出工程と、第1の特徴量と第1のエポキシ硬化物の強度特性の実測値とを含むデータセットに基づく機械学習により、エポキシ硬化物の内部構造を表す画像に基づく特徴量から当該エポキシ硬化物の強度特性を予測するモデルを構築する構築工程と、を有する。
【選択図】 図3
特許請求の範囲
【請求項1】
エポキシ主剤及び酸無水物硬化剤を含むマトリックスと充填剤であるシリカとを含む第1のエポキシ硬化物の内部構造を表す画像である第1の画像を取得する第1取得工程と、
前記第1の画像に2値化を施して第1の2値化画像を生成する第1生成工程と、
前記第1の2値化画像に位相的データ解析を施して第1の特徴量を算出する第1算出工程と、
前記第1の特徴量と前記第1のエポキシ硬化物の強度特性の実測値とを含むデータセットに基づく機械学習により、エポキシ硬化物の内部構造を表す画像に基づく特徴量から当該エポキシ硬化物の強度特性を予測するモデルを構築する構築工程と、
を具備する組成探索方法。
続きを表示(約 980 文字)
【請求項2】
第2のエポキシ硬化物の内部構造を表す第2の画像を取得する第2取得工程と、
前記第2の画像に2値化を施して第2の2値化画像を生成する第2生成工程と、
前記第2の2値化画像に位相的データ解析を施して第2の特徴量を算出する第2算出工程と、
前記モデルを用いて、前記第2の特徴量から前記第2のエポキシ硬化物の強度特性を予測する予測工程と、を更に備える、
請求項1記載の組成探索方法。
【請求項3】
前記第2取得工程は、前記第2の画像として、前記第2のエポキシ硬化物を電子走査顕微鏡で電子走査することにより生成した電子走査顕微鏡画像を取得する、請求項2記載の組成探索方法。
【請求項4】
前記第2取得工程は、前記第2の画像として、前記第2のエポキシ硬化物の組成に基づく予測計算により生成された仮想的な電子走査顕微鏡画像を取得する、請求項2記載の組成探索方法。
【請求項5】
前記第1算出工程は、
前記第1の2値化画像に前記位相的データ解析を施して解析値を算出し、
前記解析値をベクトル化して前記第1の特徴量を算出する、
請求項1記載の組成探索方法。
【請求項6】
前記第1算出工程は、
前記第1の2値化画像に前記位相的データ解析としてパーシステントホモロジを施してパーシステント図を算出し、
前記パーシステント図をベクトル化して前記第1の特徴量を算出する、
請求項5記載の組成探索方法。
【請求項7】
前記画像は、前記エポキシ硬化物を走査電子顕微鏡で電子走査することにより生成される、請求項1又は2記載の組成探索方法。
【請求項8】
前記強度特性は、曲げ強さである、請求項1又は2記載の組成探索方法。
【請求項9】
エポキシ主剤及び酸無水物硬化剤を含むマトリックスと充填剤であるシリカとを含むエポキシ硬化物であって、
当該エポキシ硬化物の電子走査顕微鏡画像に基づく1次のパーシステント図の(生成時刻,消滅時刻)が(1.2~3.5,2.0~5.0)の範囲における値が10
-2
未満となる組成を有する、
エポキシ硬化物。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、組成探索方法及びエポキシ硬化物に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【背景技術】
【0002】
エポキシ硬化物の組成を探索する際、多くの時間やコスト、人的資源が必要である。例えば、シリカ(SiO
2
)充填エポキシ樹脂の場合、充填するシリカの配合条件等の組成を検討し、試作した後、強度特性等の物性を取得し、その結果を次の試作に反映する。配合条件は、具体的には、シリカ充填率、粒形(球形状や破砕形状)の選択、異なる粒形粒子の組み合わせ配合比、粒径、粒度分布等である。多くの場合、これら配合条件等の組成は、熟練した技術者の勘と経験により決定したうえで、数多くの試作や物性取得といった工程を繰り返すことで探索されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-38344号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、エポキシ硬化物の組成を効率的に探索することが可能な組成探索方法及び当該組成探索方法により得られるエポキシ硬化物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る組成探索方法は、エポキシ主剤及び酸無水物硬化剤を含むマトリックスと充填剤であるシリカとを含む第1のエポキシ硬化物の内部構造を表す画像である第1の画像を取得する第1取得工程と、前記第1の画像に2値化を施して第1の2値化画像を生成する第1生成工程と、前記第1の2値化画像に位相的データ解析を施して第1の特徴量を算出する第1算出工程と、前記第1の特徴量と前記第1のエポキシ硬化物の強度特性の実測値とを含むデータセットに基づく機械学習により、エポキシ硬化物の内部構造を表す画像に基づく特徴量から当該エポキシ硬化物の強度特性を予測するモデルを構築する構築工程と、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
組成探索装置のハードウェア構成を示す図
予測モデルの構築局面におけるエポキシ硬化物の組成探索方法の処理手順を示す図
図2に示す処理手順を模式的に示す図
図2の工程SA2~SA5において生成されるデータの具体例を示す図
第1の組成探索局面におけるエポキシ硬化物の組成探索方法の処理手順を示す図
図5に示す処理手順を模式的に示す図
図5の工程SB3及びSB5において生成されるデータの具体例を示す図
第2の組成探索局面におけるエポキシ硬化物の組成探索方法の処理手順を示す図
図8に示す処理手順を模式的に示す図
図8の工程SC2及びSC4において生成されるデータの具体例を示す図
ある強度特性を有する硬化物のパーシステント図の一例を示す図
特殊ジェネレータに対応する領域が重畳されたSEM画像(2値化済み)の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照しながら本実施形態に係わる組成探索方法及びエポキシ硬化物を説明する。
【0008】
(組成探索方法)
本実施形態に係る組成探索方法は、組成探索装置を用いて行うエポキシ硬化物の組成を探索する方法に関する。
【0009】
図1は、組成探索装置100のハードウェア構成を示す図である。図1に示すように、組成探索装置100は、プロセッサ1、ROM(Read Only Memory)2、RAM(Random Access Memory)3、補助記憶装置4、入力機器5、表示機器6及び通信機器7を有するコンピュータである。プロセッサ1、ROM2、RAM3、補助記憶装置4、入力機器5、表示機器6及び通信機器7のデータ及び各種信号の送受信は、バス(Bus)を介して行われる。
【0010】
プロセッサ1は、組成探索装置100の全体の動作を制御する集積回路である。例えば、プロセッサ1は、CPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)、DSP(Digital Signal Processor)及び/又はFPU(Floating-Point Unit)を有する。プロセッサ1は、内部メモリやI/Oインタフェースを備えてもよい。プロセッサ1は、ROM2又は補助記憶装置4等が予め記憶するプログラムを解釈及び演算することにより種々の処理を実行する。なおプロセッサ1は、一部又は全体がASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)等のハードウェアにより実現されてもよい。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
株式会社東芝
弁
1か月前
株式会社東芝
センサ
2か月前
株式会社東芝
センサ
4日前
株式会社東芝
計算装置
11日前
株式会社東芝
電子装置
4日前
株式会社東芝
遮断装置
4日前
株式会社東芝
電源回路
26日前
株式会社東芝
遠心送風機
2か月前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
12日前
株式会社東芝
半導体装置
26日前
株式会社東芝
半導体装置
11日前
株式会社東芝
光スイッチ
2か月前
株式会社東芝
半導体装置
12日前
株式会社東芝
ガス遮断器
19日前
株式会社東芝
半導体装置
26日前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
12日前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
12日前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
8日前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
12日前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社東芝
半導体装置
12日前
株式会社東芝
ICカード
11日前
株式会社東芝
蓄電池装置
12日前
株式会社東芝
半導体装置
5日前
株式会社東芝
半導体装置
4日前
株式会社東芝
水処理装置
20日前
株式会社東芝
半導体装置
5日前
続きを見る
他の特許を見る