特許ウォッチ

公開番号2025012573
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023115490
出願日2023-07-13
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10D 8/60 20250101AFI20250117BHJP()
要約【課題】特性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1電極、第1導電部材、第1導電形の第1半導体領域、及び、第2導電形の第2半導体領域を含む。第1半導体領域は、第1電極と第1導電部材との間に設けられる。第1半導体領域は、第1～第3部分領域を含む。第1半導体領域及び第1導電部材は、ショットキー接合する。第2半導体領域は、第1方向に沿って延びる複数の第1部分と、第2方向に沿って延びる複数の第2部分と、第3部分と、を含む。第3部分は、複数の第2部分の周りに設けられ、複数の第2部分と連続する。第1部分領域は、第1電極と複数の第1部分との間、及び、第1電極と第2部分領域との間に設けられる。第2部分領域は、複数の第1部分の1つと、複数の第1部分の別の1つと、の間に設けられる。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
第１電極と、
第１導電部材と、
前記第１電極と前記第１導電部材との間に設けられた第１導電形の第１半導体領域であって、前記第１半導体領域は、第１部分領域、第２部分領域及び第３部分領域を含み、前記第１半導体領域及び前記第１導電部材は、ショットキー接合した、前記第１半導体領域と、
第２導電形の第２半導体領域であって、前記第２半導体領域は、第１方向に沿って延びる複数の第１部分と、第２方向に沿って延びる複数の第２部分と、第３部分と、を含み、前記第１方向は、前記第１電極から前記第１導電部材への第３方向と交差し、前記第２方向は、前記第１方向及び前記第３方向を含む第１平面と交差し、前記第３部分は、前記第１方向及び前記第２方向を含む第２平面において、前記複数の第２部分の周りに設けられ、前記第３部分は、前記複数の第２部分と連続し、前記第１部分領域は、前記第３方向において、前記第１電極と前記複数の第１部分との間、及び、前記第１電極と前記第２部分領域との間に設けられ、前記第２部分領域は、前記第２方向において、前記複数の第１部分の１つと、前記複数の第１部分の別の１つと、の間に設けられ、前記第３部分領域は、前記第３方向において、前記複数の第１部分と前記第１導電部材との間、及び、前記第２部分領域と前記第１導電部材との間に設けられ、前記第３部分領域は前記第１方向において前記複数の第２部分の１つと前記複数の第２部分の別の１つとの間に設けられた、前記第２半導体領域と、
を備えた、半導体装置。
続きを表示（約 680 文字）【請求項２】
前記第３部分は、前記複数の第１部分と連続した、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２導電形の第３半導体領域をさらに備え、
前記第３半導体領域は、周辺領域を含み、
前記周辺領域は、前記第３方向において、前記第３部分と前記第１導電部材との間に設けられ、
前記第３半導体領域における前記第２導電形の不純物濃度は、前記第２半導体領域における前記第２導電形の不純物濃度よりも高い、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
化合物部材をさらに備え、
前記化合物部材は、周辺部材を含み、
前記周辺部材は、前記第３方向において、前記周辺領域と前記第１導電部材との間に設けられ、
前記第１導電部材は、第１金属元素を含み、
前記化合物部材は、前記第１金属元素とシリコンとを含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２半導体領域は、第４部分をさらに含み、
前記第４部分の少なくとも一部は、前記第１方向において、前記複数の第２部分の前記１つと、前記複数の第２部分の前記別の１つと、の間に設けられ、
前記第３半導体領域は、内側領域をさらに含み、
前記内側領域は、前記第３方向において前記第４部分と前記第１導電部材との間に設けられ、
前記化合物部材は、内側部材をさらに含み、
前記内側部材は、前記第３方向において前記内側領域と前記第１導電部材との間に設けられる、請求項４に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、ジャンクションバリアショトッキーダイオード（ＪＢＳ：Junction Barrier Schottky Diode）などの半導体装置において、特性の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第７０９８９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、特性を向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、半導体装置は、第１電極、第１導電部材、第１導電形の第１半導体領域、及び、第２導電形の第２半導体領域を含む。前記第１半導体領域は、前記第１電極と前記第１導電部材との間に設けられる。前記第１半導体領域は、第１部分領域、第２部分領域及び第３部分領域を含む。前記第１半導体領域及び前記第１導電部材は、ショットキー接合する。前記第２半導体領域は、第１方向に沿って延びる複数の第１部分と、第２方向に沿って延びる複数の第２部分と、第３部分と、を含む。前記第１方向は、前記第１電極から前記第１導電部材への第３方向と交差する。前記第２方向は、前記第１方向及び前記第３方向を含む第１平面と交差する。前記第３部分は、前記第１方向及び前記第２方向を含む第２平面において、前記複数の第２部分の周りに設けられる。前記第３部分は、前記複数の第２部分と連続する。前記第１部分領域は、前記第３方向において、前記第１電極と前記複数の第１部分との間、及び、前記第１電極と前記第２部分領域との間に設けられる。前記第２部分領域は、前記第２方向において、前記複数の第１部分の１つと、前記複数の第１部分の別の１つと、の間に設けられる。前記第３部分領域は、前記第３方向において、前記複数の第１部分と前記第１導電部材との間、及び、前記第２部分領域と前記第１導電部材との間に設けられる。前記第３部分領域は前記第１方向において前記複数の第２部分の１つと前記複数の第２部分の別の１つとの間に設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１（ａ）～図１（ｃ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図２（ａ）～図２（ｃ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図４（ａ）～図４（ｃ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図５（ａ）～図５（ｃ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）～図１（ｃ）、図２（ａ）～図２（ｃ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１（ａ）～図１（ｃ）は、図３（ａ）及び図３（ｂ）のＡ１－Ａ２線、Ａ３－Ａ４線及びＡ５－Ａ６線断面図である。図２（ａ）～図２（ｃ）は、図３（ａ）及び図３（ｂ）のＢ１－Ｂ２線、Ｂ３－Ｂ４線及びＢ５－Ｂ６線断面図である。
【０００９】
図１（ａ）～図１（ｃ）及び図２（ａ）～図２（ｃ）に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０は、第１電極５１、第１導電部材６１、第１半導体領域１０及び第２半導体領域２０含む。
【００１０】
第１半導体領域１０は、第１電極５１と第１導電部材６１との間に設けられる。第１半導体領域１０は、第１導電形である。第１半導体領域１０は、第１部分領域１１、第２部分領域１２及び第３部分領域１３を含む。第１半導体領域１０及び第１導電部材６１は、ショットキー接合する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許