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公開番号
2025025362
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-21
出願番号
2023130059
出願日
2023-08-09
発明の名称
半導体チップ及び半導体パッケージ
出願人
ローム株式会社
代理人
弁理士法人深見特許事務所
主分類
H10H
20/819 20250101AFI20250214BHJP()
要約
【課題】ダイパッドとの接続強度を確保することが可能な半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体チップ(100)は、第1面(100a)と、第2面(100b)とを備えている。第2面は、半導体チップの厚さ方向における第1面の反対面である。第2面には、厚さ方向に沿って第1面側に延在する穴が形成されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲
【請求項1】
半導体チップであって、
第1面と、
第2面とを備え、
前記第2面は、前記半導体チップの厚さ方向における前記第1面の反対面であり、
前記第2面には、前記厚さ方向に沿って前記第1面側に延在する穴が形成されている、半導体チップ。
続きを表示(約 460 文字)
【請求項2】
前記穴は、平面視において、円形又は矩形である、請求項1に記載の半導体チップ。
【請求項3】
前記穴の数は、複数である、請求項1に記載の半導体チップ。
【請求項4】
前記穴の深さは、前記半導体チップの厚さの0.5倍以下である、請求項1に記載の半導体チップ。
【請求項5】
前記半導体チップは、前記第2面をなす基板と、前記基板上に配置されており、かつ発光層を含むエピタキシャル層とを有し、
前記穴の底は、前記基板にある、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体チップ。
【請求項6】
ダイパッドと、
請求項5に記載の前記半導体チップと、
接着剤とを備え、
前記半導体チップは、前記第2面が前記ダイパッドと対向するように配置されており、
前記半導体チップは、前記接着剤により前記ダイパッドに接続されており、
前記接着剤は、前記エピタキシャル層よりも下方にある、半導体パッケージ。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体チップ及び半導体パッケージに関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
例えば特開2021-141258号公報(特許文献1)には、半導体発光素子が記載されている。特許文献1に記載の半導体発光素子は、第1面と、第2面とを有している。第1面及び第2面は、特許文献1に記載の半導体発光素子の厚さ方向における両端面である。特許文献1に記載の半導体発光素子は、基板と、半導体積層構造と、第1電極と、第2電極とを有している。基板は、第2面をなしている。半導体積層構造は、基板上に配置されている。第1電極及び第2電極は、それぞれ第1面及び第2面に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-141258号公報 [概要] 特許文献1に記載の半導体発光素子は、第2電極がダイパッドと対向するように、接着剤を用いてダイパッドに接続される。しかしながら、特許文献1に記載の半導体発光素子とダイパッドとの接続強度が不十分となることがある。
【0004】
本開示に係る半導体チップは、第1面と、第2面とを備えている。第2面は、半導体チップの厚さ方向における第1面の反対面である。第2面には、厚さ方向に沿って第1面側に延在する穴が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【0005】
半導体チップ100の平面図である。
半導体チップ100の底面図である。
図1中のIII-IIIにおける断面図である。
変形例1に係る半導体チップ100の底面図である。
変形例2に係る半導体チップ100の底面図である。
変形例3に係る半導体チップ100の断面図である。
変形例4に係る半導体チップ100の断面図である。
半導体パッケージ200の平面図である。
図8中のIX-IXにおける断面図である。
半導体チップ100Aの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0006】
[詳細な説明]
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。実施形態に係る半導体チップを半導体チップ100とし、実施形態に係る半導体パッケージを半導体パッケージ200とする。
【0007】
(半導体チップ100の構成)
以下に、半導体チップ100の構成を説明する。
【0008】
図1は、半導体チップ100の平面図である。図2は、半導体チップ100の底面図である。図3は、図1中のIII-IIIにおける断面図である。図1、図2及び図3に示されているように、半導体チップ100は、例えば、LED(Light Emitting Diode)である。但し、半導体チップ100は、これに限られない。半導体チップ100は、例えば、フォトトランジスタやダイオードであってもよい。
【0009】
半導体チップ100は、第1面100aと第2面100bとを有している。第1面100a及び第2面100bは、半導体チップ100の厚さ方向における両端面である。第2面100bは、半導体チップ100の厚さ方向における第1面100aの反対面である。半導体チップ100は、側面100cをさらに有している。側面100cは、第1面100a及び第2面100bに連なっている。
【0010】
半導体チップ100は、基板10と、エピタキシャル層20と、電極30及び電極31とを有している。
(【0011】以降は省略されています)
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