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公開番号2025014516
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023117138
出願日2023-07-18
発明の名称サセプタおよび気相成長装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエハずれの発生を抑制して、ウエハの平坦度が低下することを抑制するとともに、ウエハ表面に成膜される膜の厚さの均一性を高めることができるサセプタおよび気相成長装置を提供することである。
【解決手段】実施形態のサセプタは、気相成長装置に備えられる。サセプタには、ウエハが載置される。サセプタは、ウエハ支持部を持つ。ウエハ支持部は、ウエハを支持する。ウエハ支持部は、環状である。ウエハ支持部は、支持面を持つ。支持面は、ウエハを下側から支持する。支持面は、傾斜面を持つ。傾斜面は、ウエハ支持部の内縁に繋がる。傾斜面は、ウエハ支持部の径方向外側に向かうにしたがって上側に位置する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
気相成長装置に用いられ、ウエハが載置されるサセプタであって、
前記ウエハを支持する環状のウエハ支持部を備え、
前記ウエハ支持部は、前記ウエハを下側から支持する支持面を有し、
前記支持面は、前記ウエハ支持部の内縁に繋がる傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記ウエハ支持部の径方向外側に向かうにしたがって上側に位置する、サセプタ。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
前記傾斜面は、前記ウエハ支持部の周方向に延びている、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
前記支持面は、上側を向く平面部を有し、
前記平面部は、前記傾斜面の径方向外側の端部と繋がる、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項４】
前記ウエハ支持部は、前記支持面から下側に窪む複数の窪み部を有し、
複数の前記窪み部は、前記ウエハ支持部の周方向に沿って間隔をあけて配置されている、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項５】
気相成長装置に備えられ、ウエハが載置されるサセプタであって、
前記ウエハを支持する環状のウエハ支持部を備え、
前記ウエハ支持部は、前記ウエハを下側から支持する支持面と、前記支持面から下側に窪む複数の窪み部と、を有し、
複数の前記窪み部は、前記ウエハ支持部の周方向に沿って間隔をあけて配置されている、サセプタ。
【請求項６】
複数の前記窪み部の少なくとも１つは、前記ウエハ支持部の内側面および前記ウエハ支持部の外側面のそれぞれに開口する、請求項４または５に記載のサセプタ。
【請求項７】
複数の前記窪み部のそれぞれは、前記ウエハ支持部の内側面および前記ウエハ支持部の外側面のいずれか一方にのみ開口する、請求項４または５に記載のサセプタ。
【請求項８】
複数の窪み部のそれぞれは、前記ウエハ支持部の内側面に開口する、請求項７に記載のサセプタ。
【請求項９】
請求項１から５のいずれか一項に記載のサセプタと、前記サセプタを回転させる駆動部と、を備える、気相成長装置。
【請求項１０】
請求項１から４のいずれか一項に記載のサセプタと、前記サセプタを回転させる駆動部と、前記ウエハの外縁を囲む環状のウエハガイドと、を備え、
前記傾斜面の径方向内側の端部および前記傾斜面の径方向外側の端部を通る仮想直線は、前記ウエハガイドの内側面と交差する、気相成長装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、サセプタおよび気相成長装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
気相成長装置では、ウエハをサセプタに載置する際およびウエハ表面にＳｉＣ等の膜を成膜する際に、サセプタに対してウエハが回転移動する等のウエハずれが発生する可能性があった。係るウエハずれが発生すると、ウエハ裏面にＳｉＣ膜が成膜されることによるウエハの平坦度の低下、およびウエハ表面に成膜された膜の厚さの均一性が低下する可能性があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１７４１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、ウエハずれの発生を抑制して、ウエハの平坦度が低下することを抑制するとともに、ウエハ表面に成膜される膜の厚さの均一性を高めることができるサセプタおよび気相成長装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のサセプタは、気相成長装置に用いられる。サセプタには、ウエハが載置される。サセプタは、ウエハ支持部を持つ。ウエハ支持部は、ウエハを支持する。ウエハ支持部は、環状である。ウエハ支持部は、支持面を持つ。支持面は、ウエハを下側から支持する。支持面は、傾斜面を持つ。傾斜面は、ウエハ支持部の内縁に繋がる。傾斜面は、ウエハ支持部の径方向外側に向かうにしたがって上側に位置する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態の気相成長装置を示す断面図。
実施形態の気相成長装置の一部を示す断面図。
実施形態の気相成長装置の一部を示す上面図。
実施形態の気相成長装置の他の一部を示す断面図。
実施形態の気相成長装置の一部を示す拡大断面図。
実施形態の第１変形例の気相成長装置の一部を示す上面図。
実施形態の第１変形例の気相成長装置の一部を示す拡大断面図。
実施形態の第１変形例の他の気相成長装置の一部を示す上面図。
実施形態の第２変形例の気相成長装置の一部を示す上面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態のサセプタおよび気相成長装置を、図面を参照して説明する。
各図面において、Ｚ軸方向は、鉛直方向である。Ｚ軸方向の矢印が向く側（＋Ｚ側）は、鉛直方向の上側である。Ｚ軸方向の矢印が向く側と反対側（－Ｚ側）は、鉛直方向の下側である。以下の説明では、鉛直方向の上側を、単に「上側」と呼び、鉛直方向の下側を、単に「下側」と呼ぶ。
【０００８】
各図に示す回転軸線Ｊが延びる方向は、Ｚ軸方向と平行である。回転軸線Ｊは、仮想軸線である。以下の実施形態において、サセプタは、回転軸線Ｊを中心として回転する。以下の説明では、回転軸線Ｊを中心とする径方向を単に「径方向」と呼ぶ。以下の実施形態において、ウエハ支持部の径方向は、回転軸線Ｊを中心とする径方向と同じ方向である。ウエハ支持部の径方向と回転軸線Ｊを中心とする径方向とは互いに異なる方向であってもよい。回転軸線Ｊを中心とする周方向を単に「周方向」と呼ぶ。各図において、周方向は、矢印θで示される。以下の実施形態において、ウエハ支持部の周方向は、回転軸線Ｊを中心とする周方向と同じ方向である。ウエハ支持部の周方向と回転軸線Ｊを中心とする周方向とは互いに異なる方向であってもよい。
【０００９】
図１に示す本実施形態の気相成長装置１０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりウエハ６０の上側を向く面である表面６０ａにエピタキシャル膜を成膜する成膜装置である。本実施形態では、ウエハ６０の表面６０ａにＳｉＣ膜を成膜する。ウエハ６０の表面６０ａに成膜される膜は、Ｓｉ等の他の材料によって構成される膜であってもよい。気相成長装置１０は、チャンバ２０と、供給管２４と、駆動部３１と、サセプタ保持部３２と、サセプタ３４と、ウエハガイド３８と、第１加熱部４１と、第２加熱部４２と、を備える。
【００１０】
チャンバ２０は、供給管２４、駆動部３１、サセプタ保持部３２、サセプタ３４、ウエハガイド３８、第１加熱部４１、および第２加熱部４２を内部に収容する。チャンバ２０は、本体部２１と、供給部２２と、を有する。本実施形態において、チャンバ２０は、金属製である。
（【００１１】以降は省略されています）

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