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公開番号2025009898
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2024092189
出願日2024-06-06
発明の名称硬化性樹脂組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、及び、半導体装置
出願人DIC株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類C08G 61/02 20060101AFI20250109BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】
耐熱性(高ガラス転移温度)、及び、誘電特性(低誘電特性)に優れた硬化物、これらの性能を兼備したプリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、並びに、半導体装置を提供することにある。
【解決手段】
一般式(1)で示されるインダンビスフェノール骨格を有するビニルベンジル化合物を含有する硬化性樹脂組成物であって、前記硬化性樹脂組成物が、更に重合禁止剤を含むものであり、前記重合禁止剤の含有量が、前記ビニルベンジル化合物に対して、50～5,000ppmであり、前記ビニルベンジル化合物、及び、前記重合禁止剤の合計量に対する全塩素含有量が100～5000ppmであることを特徴とする硬化性樹脂組成物に関する。また、本発明は、前記硬化性樹脂組成物の硬化物、及び、前記硬化性樹脂組成物を用いたプリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、並びに、半導体装置を提供することにある。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記一般式（１）で示されるインダンビスフェノール骨格を有するビニルベンジル化合物を含有する硬化性樹脂組成物であって、
前記硬化性樹脂組成物が、更に重合禁止剤を含むものであり、前記重合禁止剤の含有量が、前記ビニルベンジル化合物に対して、５０～５，０００ｐｐｍであり、
前記ビニルベンジル化合物、及び、前記重合禁止剤の合計量に対する全塩素含有量が１００～５０００ｐｐｍであることを特徴とする硬化性樹脂組成物。
TIFF
2025009898000015.tif
31
122
・・・・（１）
〔式（１）中、Ｘはビニルベンジルオキシ基を表す。Ｒａは、それぞれ独立に、炭素原子数１～１５のアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、シクロアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基またはメルカプト基を表し、ｑは０～４の整数値を示す。ｑが２～４の場合、Ｒａは同一環内で同じであってもよいし異なっていてもよい。Ｒｂは、それぞれ独立に、炭素原子数１～１５のアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、シクロアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、水酸基またはメルカプト基を表し、ｒは０～３の整数値を示す。ｒが２～３の場合、Ｒｂは同一環内で同じであってもよいし異なっていてもよい。ｎは平均繰り返し単位数であり、０．２～２０の数値を示す。〕
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
前記ビニルベンジル化合物が下記一般式（２）で示されるものである請求項１に記載の硬化性樹脂組成物。
TIFF
2025009898000016.tif
34
112
・・・・（２）
〔前記式（２）中、Ｘはビニルベンジルオキシ基を表す。Ｒ
１
及びＲ
２
は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１～１２のアルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、シクロアルキル基であり、かつ、Ｒ
１
及びＲ
２
の両方が同時に水素原子であることはなく、ｎは平均繰り返し単位数であり、０．２～２０の数値を示す。〕
【請求項３】
前記重合禁止剤がフェノール系重合禁止剤である請求項１記載の硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１記載の硬化性樹脂組成物を硬化反応させて得られることを特徴とする硬化物。
【請求項５】
補強基材、及び、前記補強基材に含浸した請求項１記載の硬化性樹脂組成物を有することを特徴とするプリプレグ。
【請求項６】
請求項５に記載のプリプレグ、及び、銅箔を積層し、加熱圧着成型して得られることを特徴とする回路基板。
【請求項７】
請求項１記載の硬化性樹脂組成物を含有することを特徴とするビルドアップフィルム。
【請求項８】
請求項１記載の硬化性樹脂組成物を含有することを特徴とする半導体封止材。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体封止材を加熱硬化した硬化物を含むことを特徴とする半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダンビスフェノール骨格を有するビニルベンジル化合物を含有する硬化性樹脂組成物、並びに前記硬化性樹脂組成物により得られる硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、及び、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年の情報通信量の増加に伴い、高周波数帯域での情報通信が盛んに行われるようになり、より優れた電気特性、なかでも高周波数帯域での伝送損失を低減させるため、低誘電率と低誘電正接を有する電気絶縁材料が求められてきている。
【０００３】
さらにそれら電気絶縁材料が使われているプリント基板あるいは電子部品は、実装時に高温のハンダリフローに曝されるため、耐熱性に優れた高いガラス転移温度を示す材料が求められ、特に最近は、環境問題の観点から、融点の高い鉛フリーのハンダが使われるため、より耐熱性の高い電気絶縁材料の要求が高まってきている。
【０００４】
これらの要求に対し、従来から、種々の化学構造を持つビニル基含有の硬化性樹脂が提案されている。このような硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールのジビニルベンジルエーテル、あるいはノボラックのポリビニルベンジルエーテルなどの硬化性樹脂が提案されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。しかし、これらのビニルベンジルエーテルは、誘電特性が十分に小さい硬化物を与えることができず、得られる硬化物は高周波数帯域で安定して使用するには問題があり、さらにビスフェノールのジビニルベンジルエーテルは、耐熱性においても十分に高いとはいえないものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開昭６３－６８５３７号公報
特開昭６４－６５１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明が解決しようとする課題は、耐熱性（高ガラス転移温度）、及び、誘電特性（低誘電特性）に優れた硬化物、これらの性能を兼備したプリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、並びに、半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、下記一般式（１）で示されるインダンビスフェノール骨格を有するビニルベンジル化合物を含有する硬化性樹脂組成物であって、前記硬化性樹脂組成物が、更に重合禁止剤を含むものであり、前記重合禁止剤の含有量が、前記ビニルベンジル化合物に対して、５０～５，０００ｐｐｍであり、前記ビニルベンジル化合物、及び、前記重合禁止剤の合計量に対する全塩素含有量が１００～５０００ｐｐｍであることを特徴とする硬化性樹脂組成物に関する。
【０００８】
TIFF
2025009898000001.tif
31
122
・・・・（１）
【０００９】
〔式（１）中、Ｘはビニルベンジルオキシ基を表す。Ｒａは、それぞれ独立に、炭素原子数１～１５のアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、シクロアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基またはメルカプト基を表し、ｑは０～４の整数値を示す。ｑが２～４の場合、Ｒａは同一環内で同じであってもよいし異なっていてもよい。Ｒｂは、それぞれ独立に、炭素原子数１～１５のアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、シクロアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、水酸基またはメルカプト基を表し、ｒは０～３の整数値を示す。ｒが２～３の場合、Ｒｂは同一環内で同じであってもよいし異なっていてもよい。ｎは平均繰り返し単位数であり、０．２～２０の数値を示す。〕
【００１０】
また、本発明は、前記硬化性樹脂組成物の硬化物、及び、前記硬化性樹脂組成物を用いたプリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、並びに、半導体装置を提供することにある。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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