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公開番号2024175140
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-17
出願番号2024167617,2023002346
出願日2024-09-26,2016-06-30
発明の名称基板処理装置
出願人株式会社荏原製作所
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20241210BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を研磨する研磨部と、研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、を備える。洗浄部は、上下二段に配置された第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットを有している。第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットは、それぞれ、直列に配置された複数の洗浄モジュールを有している。搬送部は、第1洗浄ユニットと第2洗浄ユニットとの間に配置され、研磨前の基板を複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って搬送するスライドステージを有している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する方法において、
予備処理モジュールにて、ロード／アンロード部にてウェハカセットから取り出されてから研磨されることなく前記予備処理モジュールへと搬送された前記基板を予備洗浄し、前記予備洗浄モジュールは複数の洗浄モジュールを有する洗浄ユニット内に設けられており、平面視で、前記複数の洗浄モジュールと前記予備洗浄モジュールは直線状に並んで配置されており、かつ、前記予備洗浄モジュールは前記複数の洗浄モジュールに対して前記ウェハカセットとは逆側に配置されており、
前記予備洗浄後、前記基板を研磨ユニットに搬送して、前記基板を研磨する、基板処理方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記研磨後、前記基板を前記複数の洗浄モジュールのうちの第１洗浄モジュールに搬送して、前記基板を洗浄する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１洗浄モジュールでは、前記基板をロール状のスポンジにより洗浄し、
前記第１洗浄モジュールでの洗浄後、前記複数の洗浄モジュールのうちの第２洗浄モジュールに前記基板を移動させて、前記基板をロール状のスポンジまたはペンシル状のスポンジにより洗浄する、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第２洗浄モジュールでの洗浄は、ロール状のスポンジを用いて、前記基板の洗浄を行う、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第２洗浄モジュールでの洗浄後、前記複数の洗浄モジュールのうちの第３洗浄モジュールに前記基板を移動させて、前記基板をペンシル状のスポンジまたは二流体ジェット洗浄により洗浄する、請求項３または４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第３洗浄モジュールでの洗浄後、前記複数の洗浄モジュールのうちの第４洗浄モジュールに前記基板を移動させて、前記基板をIPA蒸気乾燥する、請求項５に記載の基板処
理方法。
【請求項７】
前記予備処理モジュールでは、ロール状のスポンジにより前記基板の表面および裏面を予備洗浄する、請求項１～６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記予備処理モジュールでは、バフパッドにより前記基板の表面を予備洗浄する、請求項１～６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項９】
複数の洗浄モジュールを有する洗浄ユニットであって、前記洗浄ユニット内で、ロード／アンロード部にてウェハカセットから取り出されてから研磨されることなく予備処理モジュールへと搬送された前記基板を予備洗浄する予備洗浄モジュールが設けられており、平面視で、前記複数の洗浄モジュールと前記予備洗浄モジュールは直線状に並んで配置されており、かつ、前記予備洗浄モジュールは前記複数の洗浄モジュールに対して前記ウェハカセットとは逆側に配置されている、洗浄ユニットと、
前記予備洗浄後、前記基板を研磨ユニットに搬送する研磨部搬送機構と、
前記研磨部搬送機構により研磨ユニットに搬送された前記基板を研磨する研磨ユニットと、
を備えた基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に半導体ウェハなどの基板を平坦に研磨するために用いられる基板処理装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。半導体デバイスの製造では、シリコンウェハの上に多くの種類の材料が膜状に繰り返し形成され、積層構造が形成される。この積層構造を形成するためには、ウェハの表面を平坦にする技術が重要となっている。このようなウェハの表面を平坦化する一手段として、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行う研磨装置（化学的機械的研磨装置ともいう）が広く用いられている。
【０００３】
この化学機械研磨（ＣＭＰ）装置は、一般に、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブルと、ウェハを保持するトップリングと、研磨液を研磨パッド上に供給するノズルとを備えている。ノズルから研磨液を研磨パッド上に供給しながら、トップリングによりウェハを研磨パッドに押し付け、さらにトップリングと研磨テーブルとを相対移動させることにより、ウェハを研磨してその表面を平坦にする。
【０００４】
基板処理装置は、このようなＣＭＰ装置に加え、研磨後のウェハを洗浄し、さらに乾燥させる機能を有する装置である。このような基板処理装置においては、基板処理のスループットを向上することが求められている。基板処理装置は、研磨や洗浄などを行う様々な処理部を有しているため、各処理部での処理の遅延は、基板処理装置全体のスループットを低下させてしまう。例えば、特許文献１に記載の従来の基板処理装置では、研磨部が複数の研磨ユニットを有している場合であっても、洗浄部には一つの洗浄ラインのみが設けられていたため、複数の研磨されたウェハを同時に洗浄し、乾燥させることができなかった。
【０００５】
また、従来の基板処理装置では、研磨部が第１研磨ユニットと第２研磨ユニットを有している場合、第１研磨ユニットにてウェハを研磨する際には、ロード／アンロード部から第１研磨ユニットへと直接ウェハが搬入されるが、第２研磨ユニットにて基板を研磨する際には、ロード／アンロード部から第１研磨ユニットを介して第２研磨ユニットへとウェハが搬入されていた。そのため、第１研磨ユニットおよび第２研磨ユニットの同一の搬入経路部分にて混雑が生じて、スループットを低下させていた。
【０００６】
また、従来の基板処理装置では、ロード／アンロード部に配置された搬送ロボットが、研磨前のウェハをロード／アンロード部から研磨部へと直接搬入するとともに、洗浄後のウェハを洗浄部からロードアンロード部へと搬出していた。洗浄後のウェハを把持する搬送ロボットのハンドには高い清浄度が必要とされているが、研磨前のウェハを研磨部へと直接搬入する際に研磨環境に触れて汚染される懸念があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
国際公開第２００７／０９９９７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、スループ
ットを向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による基板処理装置は、
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、上下二段に配置された第１洗浄ユニットおよび第２洗浄ユニットを有し、
前記第１洗浄ユニットおよび前記第２洗浄ユニットは、それぞれ、直列に配置された複数の洗浄モジュールを有し、
前記搬送部は、前記第１洗浄ユニットと前記第２洗浄ユニットとの間に配置され、研磨前の基板を前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って搬送するスライドステージを有する。
【００１０】
本発明によれば、複数の基板が連続的に研磨部から洗浄部へと搬送されてくる場合であっても、第１洗浄ユニットおよび第２洗浄ユニットに基板を振り分けることにより、これら複数の基板を並行して洗浄することができる。したがって、プロセス全体のスループットを向上させることができる。また、研磨前の基板は搬送部のスライドステージにより研磨部へと搬送されるため、ロード／アンロード部に配置された搬送ロボットが研磨環境に触れて汚染されることを防止できる。また、第１洗浄ユニットおよび第２洗浄ユニットは上下二段に配置されており、スライドステージが第１洗浄ユニットと第２洗浄ユニットとの間に配置されているため、装置全体のフットプリントの増大を抑制できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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