TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2024169625
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-12-05
出願番号
2024165009,2023174354
出願日
2024-09-24,2016-12-28
発明の名称
ワーク分割装置及びワーク分割方法
出願人
株式会社東京精密
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H01L
21/301 20060101AFI20241128BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】チップサイズが小チップの場合に生じる分割予定ラインの未分割問題を解消することができるワーク分割装置及びワーク分割方法を提供する。
【解決手段】冷却室に冷気を供給する時間を制御してダイシングテープ3を冷却し、ダイシングテープ3のバネ定数を大きくした状態でダイシングテープ3をエキスパンドリング14によって拡張し、拡張保持リング18の嵌合部26をフレーム4の表面4Aに嵌合させて、ダイシングテープ3の拡張状態を保持する。
【選択図】図9
特許請求の範囲
【請求項1】
ダイシングテープを介してフレームにマウントされたワークを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割装置において、
前記ダイシングテープを拡張するエキスパンドリングと、
弾性変形可能な嵌合部を有するリング状に形成された拡張保持リングであって、前記エキスパンドリングによって前記ダイシングテープが拡張された状態で、前記嵌合部が前記フレームの表面に嵌合されることにより、前記ダイシングテープの拡張状態を保持する拡張保持リングと、
前記エキスパンドリング及び前記拡張保持リングを含む空間を冷却する冷却部と、
予め設定された、前記冷却部の冷却時間と前記ダイシングテープのうち前記ワークの外縁部と前記フレームの内縁部との間の環状部領域の温度との対応関係に基づいて、前記冷却部の冷却時間を制御する冷却制御部と、
を備える、ワーク分割装置。
続きを表示(約 510 文字)
【請求項2】
前記冷却部は、前記ダイシングテープが脆性化する温度の冷気を前記空間に供給する、請求項1に記載のワーク分割装置。
【請求項3】
ダイシングテープを介してフレームにマウントされたワークを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割方法において、
前記ダイシングテープを冷気により冷却する冷却工程と、
エキスパンドリングによって前記ダイシングテープを拡張する拡張工程と、
拡張保持リングの外周部に形成された弾性変形可能な嵌合部を前記フレームの表面に嵌合させて、前記拡張工程によって拡張された前記ダイシングテープの拡張状態を保持する拡張状態保持工程と、
予め設定された、前記冷却工程の冷却時間と前記ダイシングテープのうち前記ワークの外縁部と前記フレームの内縁部との間の環状部領域の温度との対応関係に基づいて、前記冷却工程の冷却時間を制御する冷却制御工程と、
を備える、ワーク分割方法。
【請求項4】
前記冷却工程は、前記ダイシングテープが脆性化する温度の前記冷気を前記ダイシングテープに供給する、請求項3に記載のワーク分割方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、ワーク分割装置及びワーク分割方法に係り、特に、半導体ウェーハ等のワークを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割装置及びワーク分割方法に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、半導体チップ(以下、チップと言う。)の製造にあたり、ダイシングブレードによるハーフカット或いはレーザ照射による改質領域形成により予めその内部に分割予定ラインが形成された半導体ウェーハ(以下、ウェーハと言う。)を、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するワーク分割装置が知られている(特許文献1等参照)。
【0003】
図11は、ワーク分割装置によって分割される円盤状のウェーハ1が貼付されたウェーハユニット2の説明図であり、図11(A)はウェーハユニット2の斜視図、図11(B)はウェーハユニット2の縦断面図である。
【0004】
ウェーハ1は、片面に粘着層が形成された厚さ約100μmのダイシングテープ(拡張テープ又は粘着シートとも言う。)3の中央部に貼付され、ダイシングテープ3は、その外周部が剛性のあるリング状のフレーム4に固定されている。
【0005】
ワーク分割装置では、ウェーハユニット2のフレーム4が、二点鎖線で示す固定部(フレーム固定機構とも言う。)7に当接されて固定される。この後、ウェーハユニット2の下方から二点鎖線で示すエキスパンドリング(突上げリングとも言う。)8が上昇移動され、このエキスパンドリング8によってダイシングテープ3が押圧されて放射状に拡張される。このときに生じるダイシングテープ3の張力が、ウェーハ1の分割予定ライン5に付与されることにより、ウェーハ1が個々のチップ6に分割される。
【0006】
ここで、本願明細書において、ダイシングテープ3のうち、ウェーハ1が貼付される平面視円形状の領域を中央部領域3Aと称し、中央部領域3Aの外縁部(ウェーハ1の外縁部)とフレーム4の内縁部との間に備えられる平面視ドーナツ形状の領域を環状部領域3Bと称し、フレーム4に固定される最外周部分の平面視ドーナツ形状の領域を固定部領域3Cと称する。環状部領域3Bが、エキスパンドリング8に押圧されて拡張される領域である。
【0007】
ワーク分割装置おいて、ウェーハ1の分割に要する力は、すなわち、ウェーハ1を分割するために環状部領域3Bに発生させなければならない張力は、分割予定ライン5の本数が多くなるに従って高くしなければならないことが知られている。分割予定ライン5の本数について、例えば、直径300mmのウェーハ1でチップサイズが5mmの場合には約120本(XY方向に各60本)の分割予定ライン5が形成され、チップサイズが1mmの場合は約600本の分割予定ライン5が形成される。よって、環状部領域3Bに発生させなければならない張力は、チップサイズが小さくなるに従って高くしなければならない。
【0008】
ところで、直径300mmのウェーハ1がマウントされるフレーム4の内径(フレームの内縁部の径)は、SEMI規格(G74-0699 300mmウェーハに関するテープフレームのための仕様)により350mmと定められている。この規格により、図12のウェーハユニット2の縦断面図の如く、ウェーハ1の外縁部とフレーム4の内縁部との間には、25mmの幅寸法を有する環状部領域3Bが存在することになる。また、図13(A)、(B)で示すワーク分割装置の要部縦断面図の如く、フレーム4を固定する固定部7は、エキスパンドリング8によって拡張される環状部領域3Bに接触しないように、矢印Aで示すダイシングテープ3の面内方向において環状部領域3Bから外方に離間した位置に設置されている。
【0009】
ここで、エキスパンドリング8の上昇動作によって生じるウェーハ1を分割する力は、(i)環状部領域3Bの全領域を拡張する力、(ii)ウェーハ1をチップ6に分割する力、(iii)隣接するチップ6とチップ6との間のダイシングテープ3を拡張する力の3つの力に分解される。
【0010】
図14(A)~(E)に示すワーク分割装置の動作図の如く、ダイシングテープ3の環状部領域3Bにエキスパンドリング8が当接し、エキスパンドリング8の上昇動作によってダイシングテープ3の拡張が始まると(図14(A))、まず最もバネ定数の低い環状部領域3Bの拡張が始まる(図14(B))。これにより、環状部領域3Bに張力が発生し、この張力がある程度高まると、高まった張力がウェーハ1に伝達されてウェーハ1のチップ6への分割が始まる(図14(C))。ウェーハ1が個々のチップ6に分割されると、環状部領域3Bの拡張とチップ6間のダイシングテープ3の拡張とが同時に進行する(図14(D)~(E))。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
株式会社東京精密
プローバ
2日前
株式会社東京精密
シリコンウエハの表面改質方法
今日
株式会社東京精密
ダイシング溝の検査方法及びダイシング装置
今日
株式会社東京精密
プローバ用制御装置及びプローバ用制御方法
13日前
個人
電波吸収体
5日前
個人
テーブルタップ
2日前
東レ株式会社
二次電池
27日前
愛知電機株式会社
変圧器
1か月前
株式会社東光高岳
開閉器
13日前
キヤノン株式会社
電子機器
2日前
太陽誘電株式会社
全固体電池
15日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
2日前
株式会社ダイヘン
碍子
7日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
2日前
三菱電機株式会社
端子カバー
27日前
株式会社ユーシン
スイッチ装置
2日前
株式会社ユーシン
スイッチ装置
2日前
個人
六角形パネル展開アレーアンテナ
2日前
日機装株式会社
半導体発光装置
1か月前
株式会社村田製作所
コイル部品
1か月前
個人
電波散乱方向制御板
27日前
ローム株式会社
半導体装置
2日前
日新イオン機器株式会社
イオン注入装置
29日前
イビデン株式会社
プリント配線板
5日前
イビデン株式会社
プリント配線板
13日前
住友電装株式会社
コネクタ
27日前
オムロン株式会社
リード線整列治具
2日前
株式会社ノーリツ
燃料電池システム
29日前
富士電機株式会社
半導体装置
2日前
太陽誘電株式会社
コイル部品
2日前
日産自動車株式会社
電子機器
5日前
富士電機株式会社
電磁接触器
1か月前
株式会社デンソー
半導体装置
2日前
富士電機株式会社
半導体装置
13日前
富士電機株式会社
半導体装置
13日前
株式会社村田製作所
二次電池
5日前
続きを見る
他の特許を見る