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公開番号2024160378
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-13
出願番号2024140735,2021536640
出願日2024-08-22,2020-06-05
発明の名称支持ガラス基板
出願人AGC株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C03C 3/095 20060101AFI20241106BHJP(ガラス;鉱物またはスラグウール)
要約【課題】たわみの抑制と軽量化とを実現可能な支持ガラス基板を提供する。
【解決手段】支持ガラス基板10は、ヤング率(GPa)の密度(g/cm³)に対する比率が、37.0(GPa・cm³/g)以上であり、かつ、組成から算出されるヤング率(GPa)の密度(g/cm³)に対する比率である比率算出値よりも大きい値である。比率算出値は、以下の式で表される。α=2・Σ{(V_i・G_i)/M_i)・X_i}。ここで、V_iは、支持ガラス基板10に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、G_iは、支持ガラス基板10に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、M_iは、支持ガラス基板10中に含まれる金属酸化物の分子量であり、X_iは、支持ガラス基板10中に含まれる金属酸化物のモル比である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
酸化物基準のモル％表示で、
ＳｉＯ
２
とＡｌ
２
Ｏ
３
との合計含有量が、５０％～８５％の範囲であり、Ｙ
２
Ｏ
３
の含有量が２．８％～２０％であり、かつＢ
２
Ｏ
３
の含有量が１％～３０％の範囲であり、又は
ＳｉＯ
２
の含有量が２０％～６６％であり、Ａｌ
２
Ｏ
３
の含有量が、６％～３０％であり、かつ、Ｂ
２
Ｏ
３
とＹ
２
Ｏ
３
との合計含有量が２５％～５０％であり、又は
ＳｉＯ
２
の含有量が、３６％～５０％であり、Ａｌ
２
Ｏ
３
の含有量が、２０％～２５％であり、Ｂ
２
Ｏ
３
の含有量が、５％～２０％であり、Ｙ
２
Ｏ
３
の含有量が、１９％～２０％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ
２
、Ａｌ
２
Ｏ
３
、Ｂ
２
Ｏ
３
、及びＹ
２
Ｏ
３
以外を含まず、又は、
ＳｉＯ
２
の含有量が、３８％～４２％であり、Ａｌ
２
Ｏ
３
の含有量が、１８％～２２％であり、Ｂ
２
Ｏ
３
の含有量が、１６％～２０％であり、Ｙ
２
Ｏ
３
の含有量が、１８％～２２％であり、Ｐ
２
Ｏ
５
の含有量が、０％～４％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ
２
、Ａｌ
２
Ｏ
３
、Ｂ
２
Ｏ
３
、Ｙ
２
Ｏ
３
、及びＰ
２
Ｏ
５
続きを表示（約 2,200 文字）【請求項２】
比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）＞比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）＋２．０（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）の関係を満たす、請求項１に記載の支持ガラス基板。
なお、比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）は、ヤング率ε（ＧＰａ）の密度ｄ（ｇ／ｃｍ
３
）に対する比率であり、比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）は、組成から算出されるヤング率（ＧＰａ）の密度（ｇ／ｃｍ
３
）に対する比率であり、以下の式で表される。
α＝２・Σ｛（Ｖ
ｉ
・Ｇ
ｉ
）／Ｍ
ｉ
）・Ｘ
ｉ
｝
ここで、Ｖ
ｉ
は、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、Ｇ
ｉ
は、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、Ｍ
ｉ
は、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物の分子量であり、Ｘ
ｉ
は、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物のモル比である。
【請求項３】
比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）＞比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）＋４．０（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）の関係を満たす、請求項２に記載の支持ガラス基板。
【請求項４】
比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）が、３２．０（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）以上となる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の支持ガラス基板。
なお、比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）は、ヤング率ε（ＧＰａ）の密度ｄ（ｇ／ｃｍ
３
）に対する比率である。
【請求項５】
酸化物基準のモル％表示で、
ＳｉＯ
２
とＡｌ
２
Ｏ
３
との合計含有量が、５０％～８５％であり、Ｙ
２
Ｏ
３
の含有量が２．８％～２０％であり、かつＢ
２
Ｏ
３
の含有量が１％～３０％の範囲であり、又は
Ｓｉ
２
Ｏ
３
の含有量が２０％～６６％であり、Ａｌ
２
Ｏ
３
の含有量が、６％～３０％であり、かつ、Ｂ
２
Ｏ
３
とＹ
２
Ｏ
３
との合計含有量が２５％～５０％であり、又は
ＳｉＯ
２
の含有量が、２０％～５０％であり、Ａｌ
２
Ｏ
３
の含有量が、２０％～３０％であり、Ｂ
２
Ｏ
３
の含有量が、５％～３０％であり、Ｙ
２
Ｏ
３
の含有量が、１９％～２０％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ
２
、Ａｌ
２
Ｏ
３
、Ｂ
２
Ｏ
３
、及びＹ
２
Ｏ
３
以外を含まず、又は、
ＳｉＯ
２
の含有量が、３８％～４２％であり、Ａｌ
２
Ｏ
３
の含有量が、１８％～２２％であり、Ｂ
２
Ｏ
３
の含有量が、１６％～２０％であり、Ｙ
２
Ｏ
３
の含有量が、１８％～２２％であり、Ｐ
２
Ｏ
５
の含有量が、０％～４％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ
２
、Ａｌ
２
Ｏ
３
、Ｂ
２
Ｏ
３
、Ｙ
２
Ｏ
３
、及びＰ
２
【請求項６】
ＳｉＯ
２
とＡｌ
２
Ｏ
３
との合計含有量が、５０％～８５％の範囲であり、Ｙ
２
Ｏ
３
の含有量が２．８％～２０％であり、かつＢ
２
Ｏ
３
の含有量が５％～１８％の範囲である、請求項１又は請求項５に記載の支持ガラス基板。
【請求項７】
ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＹ
２
Ｏ
３
からなる群から選択される１以上の成分の合計含有量が、モル％で、前記支持ガラス基板の全量に対し、１５％～５０％の範囲である、請求項１又は請求項５に記載の支持ガラス基板。
【請求項８】
厚みが０．１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲である、請求項１又は請求項５に記載の支持ガラス基板。
【請求項９】
非晶質のガラスである、請求項１又は請求項５に記載の支持ガラス基板。
【請求項１０】
ファンアウトウェハレベルパッケージ及びファンアウトパネルレベルパッケージの少なくとも一方の製造用の支持ガラス基板である、請求項１又は請求項５に記載の支持ガラス基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持ガラス基板に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、これらの電子機器に用いられる半導体デバイスを高密度で実装する技術の要望が高まっている。近年では、半導体デバイスを高密度で実装する技術として、例えば、ファンアウトウェハレベルパッケージ（ＦａｎＯｕｔＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ：ＦＯＷＬＰ）やファンアウトパネルレベルパッケージ（ＦａｎＯｕｔＰａｎｅｌＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ：ＦＯＰＬＰ）が提案されている。以下、ＦＯＷＬＰとＦＯＰＬＰを合わせて、ＦＯＷＬＰ等という。
【０００３】
ＦＯＷＬＰ等においては、半導体デバイスが積層される加工基板のたわみを抑制するために、加工基板を支持する支持ガラス基板を用いる場合がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６４４３６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＦＯＷＬＰ等用の支持ガラス基板などの、部材を支持するために用いられる支持ガラス基板は、たわみを抑えることと共に、軽量化も求められる。支持ガラス基板は、たわみを抑えるために厚みを厚くした場合に質量が増加し、軽量化するために厚みを薄くするとたわみが生じやすくなる。そのため、たわみの抑制と軽量化とを両立させることが、困難な場合がある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、たわみの抑制と軽量化とを実現可能な支持ガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る支持ガラス基板は、ヤング率ε（ＧＰａ）の密度ｄ（ｇ／ｃｍ
３
）に対する比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）が、３７．０（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）以上であり、かつ、組成から算出されるヤング率（ＧＰａ）の密度（ｇ／ｃｍ
３
）に対する比率である比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）よりも大きい値である。比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ
３
／ｇ）は、以下の式で表される。
α＝２・Σ｛（Ｖ
ｉ
・Ｇ
ｉ
）／Ｍ
ｉ
）・Ｘ
ｉ
｝
ここで、Ｖ
ｉ
は、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、Ｇ
ｉ
は、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、Ｍ
ｉ
は、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物の分子量であり、Ｘ
ｉ
は、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物のモル比である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、たわみの抑制と軽量化とを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本実施形態に係る支持ガラス基板の模式図である。
図２は、本実施形態に係る支持ガラス基板の性能を説明するためのグラフである。
図３は、実施例及び比較例におけるたわみの測定方法を示す模式図である。
図４は、実施例及び比較例の支持ガラス基板の特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、実施形態が複数ある場合には、各実施形態を組み合わせて構成するものも含むものである。
（【００１１】以降は省略されています）

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