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公開番号2024157688
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023072186
出願日2023-04-26
発明の名称複合フィルタ装置
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人大阪フロント特許事務所
主分類H03H 9/25 20060101AFI20241031BHJP(基本電子回路)
要約【課題】バンドパスフィルタの帯域外減衰量のばらつきを抑制することができる、複合フィルタ装置を提供する。
【解決手段】本発明の複合フィルタ装置は、圧電性基板2と、圧電性基板2上において構成されている縦結合共振子型弾性波フィルタ6を含む、バンドパスフィルタである第1のフィルタ1Aと、少なくとも1つの共振子と、基準電位に接続されるインダクタとを含む第2のフィルタ1Bとを備える。平面視における、インダクタの外周縁の内側の領域をインダクタ領域Lとしたときに、平面視において、インダクタ領域Lの少なくとも一部と、縦結合共振子型弾性波フィルタ6とが重なっている。信号電位及び基準電位のいずれにも接続されず、インダクタ及び縦結合共振子型弾性波フィルタ6の間に設けられており、かつ平面視において、インダクタ領域Lの全てと重なっているシールド電極9をさらに備える。
【選択図】図10
特許請求の範囲【請求項１】
圧電性基板と、
前記圧電性基板上において構成されている縦結合共振子型弾性波フィルタを含む、バンドパスフィルタである第１のフィルタと、
少なくとも１つの共振子と、基準電位に接続されるインダクタと、を含む第２のフィルタと、
を備え、
平面視における、前記インダクタの外周縁の内側の領域をインダクタ領域としたときに、平面視において、前記インダクタ領域の少なくとも一部と、前記縦結合共振子型弾性波フィルタとが重なっており、
信号電位及び基準電位のいずれにも接続されず、前記インダクタ及び前記縦結合共振子型弾性波フィルタの間に設けられており、かつ平面視において、前記インダクタ領域の全てと重なっているシールド電極をさらに備える、複合フィルタ装置。
続きを表示（約 350 文字）【請求項２】
前記第１のフィルタの前記縦結合共振子型弾性波フィルタ及び前記第２のフィルタの前記共振子が、同じ前記圧電性基板上において構成されている、請求項１に記載の複合フィルタ装置。
【請求項３】
デュプレクサである、請求項１に記載の複合フィルタ装置。
【請求項４】
前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタ以外の、少なくとも１つのフィルタをさらに備える、請求項１に記載の複合フィルタ装置。
【請求項５】
前記第２のフィルタがバンドエリミネーションフィルタである、請求項１に記載の複合フィルタ装置。
【請求項６】
前記第１のフィルタの通過帯域及び前記第２のフィルタの減衰帯域の周波数の範囲が同じである、請求項５に記載の複合フィルタ装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合フィルタ装置に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波共振子を含む複合フィルタ装置は、携帯電話機のフィルタなどとして広く用いられている。下記の特許文献１には、複合フィルタ装置としての、弾性波分波器の一例が開示されている。この弾性波分波器は２つのバンドパスフィルタを有する。２つのバンドパスフィルタは、アンテナ端子に共通接続されている。２つのバンドパスフィルタは、具体的には、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップである。送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップは、配線基板にフリップチップ実装されている。
【０００３】
配線基板は複数の誘電体層を有する。複数の誘電体層にわたり、インダクタが設けられている。インダクタは、アンテナ端子及びグラウンド電位の間に接続されている。該インダクタは、インピーダンス整合に用いられる。インダクタは、平面視において、送信側フィルタチップや、受信側フィルタチップと重なっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開第２０１３／１４１１８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のような弾性波分波器においては、受信側フィルタチップや送信側フィルタチップが実装される位置には、ばらつきが生じがちである。そのため、受信側フィルタチップに含まれる縦結合共振子型弾性波フィルタと、配線基板におけるインダクタとの位置関係にも、ばらつきが生じがちである。これにより、インダクタ及び縦結合共振子型弾性波フィルタの間の電磁気的な結合にばらつきが生じるおそれがある。この電磁気的な結合は、バンドパスフィルタの帯域外減衰量に影響を与える。よって、上記弾性波分波器においては、バンドパスフィルタの帯域外減衰量のばらつきを十分に抑制できないおそれがある。
【０００６】
本発明の目的は、バンドパスフィルタの帯域外減衰量のばらつきを抑制することができる、複合フィルタ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る複合フィルタ装置は、圧電性基板と、前記圧電性基板上において構成されている縦結合共振子型弾性波フィルタを含む、バンドパスフィルタである第１のフィルタと、少なくとも１つの共振子と、基準電位に接続されるインダクタとを含む第２のフィルタとを備え、平面視における、前記インダクタの外周縁の内側の領域をインダクタ領域としたときに、平面視において、前記インダクタ領域の少なくとも一部と、前記縦結合共振子型弾性波フィルタとが重なっており、信号電位及び基準電位のいずれにも接続されず、前記インダクタ及び前記縦結合共振子型弾性波フィルタの間に設けられており、かつ平面視において、前記インダクタ領域の全てと重なっているシールド電極をさらに備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る複合フィルタ装置によれば、バンドパスフィルタの帯域外減衰量のばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の第１の実施形態に係る複合フィルタ装置の回路図である。
本発明の第１の実施形態における弾性波素子チップの略図的透視平面図である。
本発明の第１の実施形態に係る複合フィルタ装置の略図的正面断面図である。
本発明の第１の実施形態における実装基板の第１の層の電極構造を示す平面図である。
本発明の第１の実施形態における実装基板の第２の層の電極構造を示す平面図である。
本発明の第１の実施形態における実装基板の第３の層の電極構造を示す平面図である。
本発明の第１の実施形態における実装基板の第４の層の電極構造を示す平面図である。
本発明の第１の実施形態における実装基板の第５の層の電極構造を示す平面図である。
本発明の第１の実施形態における実装基板の第６の層の電極構造を示す透視平面図である。
本発明の第１の実施形態における第１のフィルタの縦結合共振子型弾性波フィルタと、第２のフィルタのインダクタと、シールド電極との位置関係を示す略図的底面図である。
比較例における第１のフィルタの減衰量周波数特性を、広い周波数の範囲において示す図である。
比較例における第１のフィルタの、通過帯域付近における減衰量周波数特性を示す図である。
本発明の第１の実施形態における第１のフィルタの減衰量周波数特性を、広い周波数の範囲において示す図である。
本発明の第１の実施形態における第１のフィルタの、通過帯域付近における減衰量周波数特性を示す図である。
比較例における第２のフィルタの減衰量周波数特性を、広い周波数の範囲において示す図である。
本発明の第１の実施形態における第２のフィルタの減衰量周波数特性を、広い周波数の範囲において示す図である。
弾性波素子チップを実装する位置がばらつくことを示す模式的正面断面図である。
本発明の第１の実施形態における縦結合共振子型弾性波フィルタの模式的平面図である。
本発明の第１の実施形態の第１の変形例における第１のフィルタの縦結合共振子型弾性波フィルタと、第２のフィルタのインダクタと、シールド電極との位置関係を示す略図的底面図である。
本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る複合フィルタ装置の模式的回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
（【００１１】以降は省略されています）

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