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公開番号2024146068
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-15
出願番号2023058775
出願日2023-03-31
発明の名称基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/31 20060101AFI20241004BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板保持具を収容可能な処理容器内の容積を拡大できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、複数の基板を保持する基板保持具を収容すると共に下端に開口を有する真空容器と、前記開口を開閉する蓋体と、前記基板保持具の下方の第1空間を断熱する断熱ユニットと、を備え、前記断熱ユニットは、前記第1空間に対して区画された第2空間を形成する区画部材を有し、前記区画部材は、前記蓋体に対して回転可能に設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
複数の基板を保持する基板保持具を収容すると共に下端に開口を有する真空容器と、
前記開口を開閉する蓋体と、
前記基板保持具の下方の第１空間を断熱する断熱ユニットと、
を備え、
前記断熱ユニットは、前記第１空間に対して区画された第２空間を形成する区画部材を有し、
前記区画部材は、前記蓋体に対して回転可能に設けられる、
基板処理装置。
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
前記蓋体を貫通して鉛直に延びる固定軸と、
前記固定軸の径方向外側において前記固定軸に対して回転可能に設けられ、前記断熱ユニットを回転させる回転軸と、
を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記固定軸は、内軸と、前記内軸の径方向外側に設けられる外軸とを有し、
前記内軸の内部には、前記第２空間に温調流体を供給するための供給通路が設けられ、
前記内軸と前記外軸との間には、前記第２空間から前記温調流体を排気するための排気通路が設けられる、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記供給通路は、前記排気通路よりも上方において前記第２空間と連通する、
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
一端が前記排気通路に接続され、他端が前記真空容器の外部の排気箇所に接続される配管を備える、
請求項３又は４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記排気箇所は、ローディング室を排気する排気ダクトである、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記排気箇所は、前記開口の周囲にあるスカベンジャーである、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記排気箇所は、前記真空容器と、前記真空容器を周囲から加熱するヒータとの間のヒータ室である、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記排気箇所は、前記真空容器内を排気する排気配管である、
請求項５に記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
下端に開口を有する反応容器内に、多段に配列した複数の基板を保持する基板保持具を収容し、開口を蓋体で閉塞した状態で、複数の基板に熱処理を施す基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、蓋体を覆うカバー部を設け、カバー部で覆われた空間に断熱材を設置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６７３６７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板保持具を収容可能な処理容器内の容積を拡大できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、複数の基板を保持する基板保持具を収容すると共に下端に開口を有する真空容器と、前記開口を開閉する蓋体と、前記基板保持具の下方の第１空間を断熱する断熱ユニットと、を備え、前記断熱ユニットは、前記第１空間に対して区画された第２空間を形成する区画部材を有し、前記区画部材は、前記蓋体に対して回転可能に設けられる。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板保持具を収容可能な処理容器内の容積を拡大できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。
第２実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。
第３実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。
第４実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。
第５実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔第１実施形態〕
図１を参照し、第１実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１を示す断面図である。
【００１０】
基板処理装置１は、複数の基板Ｗに対して一度に熱処理を行うバッチ式の熱処理装置である。基板Ｗは、例えば半導体ウエハである。基板処理装置１は、処理容器１０と、ガス供給部３０と、加熱部５０と、断熱ユニット６０と、基板保持具９０と、制御部１００とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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