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公開番号2024145502
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-15
出願番号2023057883
出願日2023-03-31
発明の名称基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
出願人株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人
主分類C23C 16/34 20060101AFI20241004BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】成膜レートを向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】(a)第1元素とハロゲン元素を含む第1ガスを基板に供給する工程と、(b)前記第1元素と異なる第2元素を含む第2ガスを前記基板に供給する工程と、(c)第3元素を含み、還元性を有する第3ガスを前記基板に供給する工程と、(d)第4元素を含み、還元性を有する第4ガスを供給する工程と、を、(a)と(d)とが連続して行われ、(b)と(c)とが連続して行われるように所定回数行うことで、前記第1元素と前記第2元素とを含む膜を前記基板上に形成する工程、を有する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
（ａ）第１元素とハロゲン元素を含む第１ガスを基板に供給する工程と、
（ｂ）前記第１元素と異なる第２元素を含む第２ガスを前記基板に供給する工程と、
（ｃ）第３元素を含み、還元性を有する第３ガスを前記基板に供給する工程と、
（ｄ）第４元素を含み、還元性を有する第４ガスを供給する工程と、を、
（ａ）と（ｄ）とが連続して行われ、（ｂ）と（ｃ）とが連続して行われるように所定回数行うことで、前記第１元素と前記第２元素とを含む膜を前記基板上に形成する工程、
を有する基板処理方法。
続きを表示（約 580 文字）【請求項２】
前記第３ガスは、前記第４ガスよりも分解温度が高い、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記膜は前記第３元素及び／又は前記第４元素を含まない、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
（ｂ）と（ｃ）との間において、前記第２ガスおよび前記第３ガスのうち少なくとも一方が、前記基板が存在する空間に存在する状態を維持する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
（ｂ）と（ｃ）との間において、前記基板が存在する空間のパージを行わない、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項６】
（ｂ）と（ｃ）との間において、前記基板へのガスの供給を行わない状態での前記基板が存在する空間の真空排気を行わない、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項７】
（ｂ）の開始よりも後に（ｃ）を開始する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項８】
（ｂ）の終了と同時に（ｃ）を開始する、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
（ｃ）の開始よりも後に（ｂ）を開始する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
（ｃ）の終了と同時に（ｂ）を開始する、請求項９に記載の基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラムに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程の１つとして、基板の表面に膜を形成する工程がある。（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開２０１９／０５８６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
膜を形成する工程において、成膜速度（成膜レート）が低下等することがある。
【０００５】
本開示は、成膜レートを向上させることが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様によれば、
（ａ）第１元素とハロゲン元素を含む第１ガスを基板に供給する工程と、
（ｂ）前記第１元素と異なる第２元素を含む第２ガスを前記基板に供給する工程と、
（ｃ）第３元素を含み、還元性を有する第３ガスを前記基板に供給する工程と、
（ｄ）第４元素を含み、還元性を有する第４ガスを供給する工程と、を、
（ａ）と（ｄ）とが連続して行われ、（ｂ）と（ｃ）とが連続して行われるように所定回数行うことで、前記第１元素と前記第２元素とを含む膜を前記基板上に形成する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、成膜レートを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施形態における基板処理装置の概略を示す縦断面図である。
図２は、図１におけるＡ－Ａ線概略横断面図である。
図３は、実施形態における基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。
図４（Ａ）は、実施形態におけるガス供給のタイミングを示す図である。図４（Ｂ）は、実施形態の変形例１におけるガス供給のタイミングを示す図である。図４（Ｃ）は、実施形態の変形例２におけるガス供給のタイミングを示す図である。
図５（Ａ）は、実験例の比較例１におけるガス供給のタイミングを示す図である。図５（Ｂ）は、実験例の比較例２におけるガス供給のタイミングを示す図である。図５（Ｃ）は、実験例の比較例３におけるガス供給のタイミングを示す図である。
図６は、実施形態において、図１の基板処理装置に追加された箇所とその周辺の概略を示す図である。
図７は、実験例におけるＸＲＤ測定の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜実施形態＞
以下、本開示の一態様について、図１～３、図４（Ａ）、図６を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
【００１０】
（１）基板処理装置の構成
基板処理装置１０は、加熱手段（加熱機構、加熱系）としてのヒータ２０７が設けられた処理炉２０２を備える。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。
（【００１１】以降は省略されています）

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