特許ウォッチ

公開番号2024137922
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-07
出願番号2024047146
出願日2024-03-22
発明の名称カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人住友化学株式会社
代理人弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類G03F 7/004 20060101AFI20240927BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸発生剤、レジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩又は式(I)に由来する構造単位を含む樹脂を含有するカルボン酸発生剤。
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[式中、X²⁰は、単結合、*-O-**、*-CO-O-**、*-O-CO-O-**等を表す。X⁰は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1～72の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH₂-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO₂-に置き換わっていてもよい。R³及びR⁴は、それぞれ独立に、炭素数1～6のフッ素化アルキル基を表す。R⁵は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1～6のアルキル基を表す。ZI⁺は有機カチオンを表す。]
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩又は式（ＩＰ）で表される構造単位を含む樹脂を含有するカルボン酸発生剤。
TIFF
2024137922000178.tif
75
100
［式（Ｉ）及び式（ＩＰ）中、
Ｘ
20
は、単結合、＊－Ｏ－＊＊、＊－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－＊＊又は＊－Ａｘ－Ｐｈ－Ａｙ－＊＊を表す。
Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。
Ａｘ及びＡｙは、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される１種の結合種を表す。
＊及び＊＊は、結合部位を表し、＊は、Ｒ
5
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Ｘ
0
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～７２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
２
－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
3
及びＲ
4
は、それぞれ独立に、炭素数１～６のフッ素化アルキル基を表す。
Ｒ
5
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
ＺＩ
＋
は有機カチオンを表す。］
続きを表示（約 3,500 文字）【請求項２】
Ｘ
20
が、単結合又は式（Ｘ
20
－１）～式（Ｘ
20
－１０）のいずれかで表される基である請求項１に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024137922000179.tif
46
169
［式（Ｘ
20
－１）～式（Ｘ
20
－１０）中、
＊、＊＊は結合部位であり、＊はＲ
5
が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ｒｘは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のフッ化アルキル基、炭素数１～１８のアルキル基又は炭素数１～６のアルコキシ基を表す。
ｍｘは、０～４のいずれかの整数を表す。
Ｘ
１０
は、－Ｏ－又は－ＮＲ
１３
－を表す。
Ｒ
１３
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。］
【請求項３】
Ｘ
20
が、単結合又は式（Ｘ
20
－１’）、式（Ｘ
20
－３’）～式（Ｘ
20
－８’）及び式（Ｘ
20
－１０’）のいずれかで表される基である請求項１に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024137922000180.tif
47
152
［式（Ｘ
20
－１’）、式（Ｘ
20
－３’）～式（Ｘ
20
－８’）及び式（Ｘ
20
－１０’）中、
＊、＊＊は結合部位であり、＊はＲ
5
が結合する炭素原子との結合部位を表す。］
【請求項４】
Ｘ
0
が、置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルカンジイル基、置換基を有してもよい炭素数３～１８の環状炭化水素基又は置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルカンジイル基と置換基を有してもよい炭素数３～１８の環状炭化水素基とを組み合わせて形成される基であり、
該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
2
－に置き換わっていてもよい請求項１に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項５】
Ｘ
0
が、置換基を有してもよい炭素数１～８のアルカンジイル基、置換基を有してもよい炭素数３～１２の脂環式炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数６～１０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数１～８のアルカンジイル基と置換基を有してもよい炭素数３～１２の脂環式炭化水素基とを組み合わせて形成される基又は置換基を有してもよい炭素数１～８のアルカンジイル基と置換基を有してもよい炭素数６～１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせて形成される基であり、
該アルカンジイル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい請求項１に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項６】
Ｒ
3
及びＲ
4
が、炭素数１～３のペルフルオロアルキル基である請求項１に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項７】
請求項１～６のいずれかに記載のカルボン酸発生剤及び該カルボン酸発生剤以外の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項８】
前記カルボン酸発生剤が、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩を含み、さらに、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂を含有するか、又は、
前記カルボン酸発生剤が、式（ＩＰ）で表される構造単位を含む樹脂を含み、該樹脂が、さらに、酸不安定基を有する構造単位を含む請求項７に記載のレジスト組成物。
【請求項９】
酸不安定基を有する構造単位が、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位、式（ａ１－２）で表される構造単位、式（ａ１－４）で表される構造単位、式（ａ１－５）で表される構造単位及び式（ａ１－６）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項８に記載のレジスト組成物。
TIFF
2024137922000181.tif
43
145
［式（ａ１－０）、式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ
ａ０１
、Ｌ
ａ１
及びＬ
ａ２
は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ
２
）
ｋ１
－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ
ａ０１
、Ｒ
ａ４
及びＲ
ａ５
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ０２
、Ｒ
ａ０３
及びＲ
ａ０４
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｒ
ａ６
及びＲ
ａ７
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１’は０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０～３のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2024137922000182.tif
45
63
［式（ａ１－４）中、
Ｒ
a32
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
a33
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
a30
は、単結合又は
＊
－Ｘ
a31
－（Ａ
a32
－Ｘ
a32
）
nc
－を表し、＊は－Ｒ
a32
が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ａ
a32
は、炭素数１～８のアルカンジイル基を表す。
Ｘ
a31
及びＸ
a32
は、それぞれ独立に、－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－又は－Ｏ－ＣＯ－を表す。
ｎｃは、０又は１を表す。
ｌａは、０～４のいずれかの整数を表す。ｌａが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲ
a33
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒ
a34
及びＲ
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
a36
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ
a35
及びＲ
a36
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｏ－とともに炭素数２～２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
【請求項１０】
前記カルボン酸発生剤が、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩及び式（ＩＰ）で表される構造単位を含む樹脂を含む請求項７に記載のレジスト組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用のカルボン酸塩、該塩を含むカルボン酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示（約 8,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記式で表されるカルボン酸塩に由来する構造単位を含む樹脂を含有するレジスト組成物がそれぞれ記載されている。
TIFF
2024137922000001.tif
28
106
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－０３７８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記のレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる塩を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩又は式（ＩＰ）で表される構造単位を含む樹脂を含有するカルボン酸発生剤。
TIFF
2024137922000002.tif
75
100
［式（Ｉ）及び式（ＩＰ）中、
Ｘ
20
は、単結合、＊－Ｏ－＊＊、＊－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－＊＊又は＊－Ａｘ－Ｐｈ－Ａｙ－＊＊を表す。
Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。
Ａｘ及びＡｙは、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される１種の結合種を表す。
＊及び＊＊は、結合部位を表し、＊は、Ｒ
5
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Ｘ
0
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～７２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
２
－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
3
及びＲ
4
は、それぞれ独立に、炭素数１～６のフッ素化アルキル基を表す。
Ｒ
5
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
ＺＩ
＋
は有機カチオンを表す。］
［２］Ｘ
20
が、単結合又は式（Ｘ
20
－１）～式（Ｘ
20
－１０）のいずれかで表される基である［１］に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024137922000003.tif
46
169
［式（Ｘ
20
－１）～式（Ｘ
20
－１０）中、
＊、＊＊は結合部位であり、＊はＲ
5
が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ｒｘは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のフッ化アルキル基、炭素数１～１８のアルキル基又は炭素数１～６のアルコキシ基を表す。
ｍｘは、０～４のいずれかの整数を表す。
Ｘ
１０
は、－Ｏ－又は－ＮＲ
１３
－を表す。
Ｒ
１３
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。］
［３］Ｘ
20
が、単結合又は式（Ｘ
20
－１’）、式（Ｘ
20
－３’）～式（Ｘ
20
－８’）及び式（Ｘ
20
－１０’）のいずれかで表される基である［１］又は［２］に記載のカルボン酸発生剤。
TIFF
2024137922000004.tif
47
152
［式（Ｘ
20
－１’）、式（Ｘ
20
－３’）～式（Ｘ
20
－８’）及び式（Ｘ
20
－１０’）中、
＊、＊＊は結合部位であり、＊はＲ
5
が結合する炭素原子との結合部位を表す。］
【発明の効果】
【０００６】
本発明のレジスト組成物を用いることにより、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも１種」を意味する。「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」等の表記も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる－ＣＨ
2
－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
２
－で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により－Ｃ－Ｃ－基（単結合）となるか又は任意の水素原子が結合部位となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。酸不安定基とは、酸（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等）を形成する基を意味する。塩基不安定基とは、塩基（例えば、トリメチルアミン等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水性基（例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基等）を形成する基を意味する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
【０００８】
〔式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩〕
本発明は、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩（以下「塩（Ｉ）」又は「カルボン酸塩（Ｉ）」という場合がある）に関する。
塩（Ｉ）のうち、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」と称することがある。
【０００９】
〔アニオン（Ｉ）〕
式（Ｉ）において、Ｘ
２０
が、＊－Ａｘ－Ｐｈ－Ａｙ－＊＊で表される基の場合、以下の式（Ｘ２０）で表される連結基であることが好ましい。
JPEG
2024137922000011.jpg
32
51
［式（Ｘ２０）中、
Ａｘは、Ｒ
5
が結合した炭素原子と結合する結合種を表し、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される１種の結合種を表す。
Ａｙは、Ｒ
3
及びＲ
4
が結合した炭素原子と結合する結合種を表し、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される１種の結合種を表す。
Ｒｘは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のフッ化アルキル基、炭素数１～１８のアルキル基又は炭素数１～６のアルコキシ基を表す。
ｍｘは、０～４のいずれかの整数を表す。ｍｘが２以上の整数の場合、複数のＲｘは互いに同じでも異なっていてもよい。］
Ａｘ及びＡｙのどちらかの一方が、単結合である場合、他方はエーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される１種であることが好ましい。
Ａｘ及びＡｙのいずれかがアミド結合の場合、－ＣＯ－ＮＲ
１３
－で表される結合であることが好ましい。
Ｒｘは、フッ素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基又はエチル基が好ましい。
ｍｘは、０、１又は２が好ましい。ｍｘが２以上の整数の場合、複数のＲｘは互いに同じでも異なっていてもよい。
フェニレン基におけるＡｙの結合位置は、Ａｘの結合位置に対して、ｍ位又はｐ位であることが好ましく、ｐ位であることがより好ましい。
Ｘ
20
としては、例えば、以下の式（Ｘ
20
－１）～式（Ｘ
20
－１０）で表される基が挙げられる。＊は－Ｒ
5
が結合する炭素原子との結合部位を表す。＊＊は、Ｒ
3
及びＲ
4
が結合する炭素原子との結合部位を表す。
TIFF
2024137922000012.tif
46
169
［式（Ｘ
２０
－１）～式（Ｘ
２０
－１０）中、
＊、＊＊は結合部位であり、＊はＲ
５
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Ｒｘは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のフッ化アルキル基、炭素数１～１８のアルキル基又は炭素数１～６のアルコキシ基を表す。
ｍｘは、０～４のいずれかの整数を表す。
Ｘ
１０
は、－Ｏ－又は－ＮＲ
１３
－を表す。
Ｒ
１３
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。］
式（Ｘ
20
－１）～式（Ｘ
20
－１０）で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。
TIFF
2024137922000013.tif
76
163
なかでも、Ｘ
２０
は、単結合又は式（Ｘ
２０
－１’）及び式（Ｘ
２０
－３’）～式（Ｘ
２０
－１０’）のいずれかで表される基であることが好ましく、単結合又は式（Ｘ
２０
－１’）、式（Ｘ
２０
－４’）、式（Ｘ
２０
－５’）、式（Ｘ
２０
－６’）及び式（Ｘ
２０
－１０’）のいずれかで表される基であることがより好ましく、単結合、式（Ｘ
【００１０】
Ｘ
０
で表される炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基（アルカンジイル基、アルケンジイル基、アルキンジイル基等の鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基）、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
２
－に置き換わっていてもよい。炭化水素基において、ＣＯ
２
－
に隣接する原子は炭素原子であることが好ましい。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基、ヘプタン－１，７－ジイル基、オクタン－１，８－ジイル基、ノナン－１，９－ジイル基、デカン－１，１０－ジイル基、ウンデカン－１，１１－ジイル基、ドデカン－１，１２－ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ペンタン－２，４－ジイル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
アルケンジイル基としては、エテンジイル基、プロペンジイル基、イソプロペンジイル基、ブテンジイル基、イソブテンジイル基、ｔｅｒｔ－ブテンジイル基、ペンテンジイル基、ヘキセンジイル基、ヘプテンジイル基、オクテンジイル基、イソオクテンジイル基、ノネンジイル基が挙げられる。
アルキンジイル基としては、エチンジイル基、プロピンジイル基、イソプロピンジイル基、ブチンジイル基、イソブチンジイル基、ｔｅｒｔ－ブチンジイル基、ペンチンジイル基、ヘキシンジイル基、オクチンジイル基、ノニンジイル基等が挙げられる。
鎖式炭化水素基の炭素数は、好ましくは１～１８であり、より好ましくは１～１２であり、さらに好ましくは１～９であり、より一層好ましくは１～６であり、さらに一層好ましくは１～４である。
鎖式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
２
－に置き換わった基としては、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる－ＣＨ
2
－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－ＣＯ－に置き換わった基）、チオール基（メチル基中に含まれる－ＣＨ
2
－が、－Ｓ－に置き換わった基）、カルボニル基（メチレン基中に含まれる－ＣＨ
2
－が、－ＣＯ－に置き換わった基）、スルホニル基（メチレン基中に含まれる－ＣＨ
2
－が、－ＳＯ
２
－に置き換わった基）、オキシ基（メチレン基中に含まれる－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－に置き換わった基）、アルコキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－に置き換わった基）、アルコキシカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－ＣＯ－に置き換わった基）、アルキルカルボニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－ＣＯ－に置き換わった基）、アルキルスルホニル基（アルキル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－ＳＯ
２
－に置き換わった基）、アルキルカルボニルオキシ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－ＣＨ
2
－が、－ＣＯ－Ｏ－に置き換わった基）、アルキルチオ基（アルキル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－Ｓ－に置き換わった基）、アルカンジイルオキシ基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－に置き換わった基）、アルカンジイルオキシカルボニル基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－ＣＯ－に置き換わった基）、アルカンジイルカルボニル基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－ＣＯ－に置き換わった基）、アルカンジイルカルボニルオキシ基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－ＣＨ
2
－が、－ＣＯ－Ｏ－に置き換わった基）、アルカンジイルスルホニル基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－ＳＯ
２
－に置き換わった基）、アルカンジイルチオ基（アルカンジイル基中に含まれる任意の位置の－ＣＨ
2
－が、－Ｓ－に置き換わった基）等が挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数１～７１のアルコキシ基が挙げられ、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、フェニルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基の炭素数は、１～４７であってもよく、好ましくは１～１１であり、より好ましくは１～６であり、さらに好ましくは１～４であり、より一層好ましくは１～３である。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数２～７１のアルコキシカルボニル基が挙げられ、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられ、アルキルカルボニル基としては、炭素数２～７２のアルキルカルボニル基が挙げられ、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられ、アルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数２～７１のアルキルカルボニルオキシ基が挙げられ、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基の炭素数は、２～４７であってもよく、好ましくは２～１１であり、より好ましくは２～６であり、さらに好ましくは２～４であり、より一層好ましくは２～３である。
アルキルチオ基としては、炭素数１～７１のアルキルチオ基が挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基等が挙げられる。アルキルチオ基の炭素数は、１～４７であってもよく、好ましくは１～１１であり、より好ましくは１～６であり、さらに好ましくは１～４であり、より一層好ましくは１～３である。
アルキルスルホニル基としては、炭素数１～７１のアルキルスルホニル基が挙げられ、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基等が挙げられる。アルキルスルホニル基の炭素数は、１～４７であってもよく、好ましくは１～１１であり、より好ましくは１～６であり、さらに好ましくは１～４であり、より一層好ましくは１～３である。
アルキルチオ基としては、炭素数１～７１のアルキルチオ基が挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基等が挙げられる。アルキルチオ基の炭素数は、１～４７であってもよく、好ましくは１～１１であり、より好ましくは１～６であり、さらに好ましくは１～４であり、より一層好ましくは１～３である。
アルカンジイルオキシ基、アルカンジイルオキシカルボニル基、アルカンジイルカルボニル基、アルカンジイルカルボニルオキシ基、アルカンジイルスルホニル基、アルカンジイルチオ基としては、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基の任意の位置の１つの水素原子を結合部位に置き換えた基が挙げられる。
なお、アルケンジイル基、アルキンジイル基における置き換わりは、上述したアルカンジイル基における置き換わりの例示において、任意の位置に炭素－炭素二重結合又は炭素－炭素三重結合を含むものであればよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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