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公開番号2024106552
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-08
出願番号2023010861
出願日2023-01-27
発明の名称成膜方法及び成膜装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/38 20060101AFI20240801BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】基板表面の凹部の内部に膜を形成する、技術を提供する。
【解決手段】成膜方法は、凸部と前記凸部の頂面から凹む凹部とを表面に有する基板を準備することと、前記凹部の内部に比べて前記凸部の頂面に、ボロンを含有する第1膜を厚く形成することと、前記第1膜の形成後に、前記基板の前記表面に対して、ハロゲンとハロゲン以外の元素Xを含有する原料ガスと、前記原料ガスの吸着物と反応する反応ガスとを交互に又は同時に供給することで、前記元素Xを含有する第2膜を前記凸部の頂面に比べて前記凹部の内部に厚く形成することと、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
凸部と前記凸部の頂面から凹む凹部とを表面に有する基板を準備することと、
前記凹部の内部に比べて前記凸部の頂面に、ボロンを含有する第１膜を厚く形成することと、
前記第１膜の形成後に、前記基板の前記表面に対して、ハロゲンとハロゲン以外の元素Ｘを含有する原料ガスと、前記原料ガスの吸着物と反応する反応ガスとを交互に又は同時に供給することで、前記元素Ｘを含有する第２膜を前記凸部の頂面に比べて前記凹部の内部に厚く形成することと、
を有する、成膜方法。
続きを表示（約 680 文字）【請求項２】
前記第１膜は、前記凸部の頂面だけではなく前記凹部の内部にも形成され、前記凹部の内部に比べて前記凸部の頂面に厚く形成される、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記第１膜の形成と前記第２膜の形成とを有する第１サイクルを複数回繰り返す、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記第２膜の一部をエッチングすることを有する、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記第１膜の形成と前記第２膜の形成と前記第２膜のエッチングとを有する第２サイクルを複数回繰り返す請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記元素Ｘは、金属元素を含む、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記元素Ｘは、遷移金属元素を含む、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記元素Ｘは、半導体元素を含む、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記第２膜を形成することは、前記原料ガスと前記反応ガスとを交互に供給することを含み、前記反応ガスをプラズマ化して供給することを含む、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記第２膜の形成は、前記元素Ｘとして元素Ｘ１を含む前記原料ガスの供給と、前記元素Ｘとして前記元素Ｘ１とは異なる元素Ｘ２を含む前記原料ガスの供給と、前記反応ガスの供給とをこの順番で含む処理を１回以上行う、請求項１又は２に記載の成膜方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜方法及び成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の窒化膜の形成方法は、第１の下地膜と第２の下地膜の表面に塩素ガスを吸着させる工程と、塩素ガスを吸着させた第１の下地膜と第２の下地膜の一方に対して選択的に窒化膜を形成する工程と、を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－１７４９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の一態様は、基板表面の凹部の内部に膜を形成する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様の成膜方法は、凸部と前記凸部の頂面から凹む凹部とを表面に有する基板を準備することと、前記凹部の内部に比べて前記凸部の頂面に、ボロンを含有する第１膜を厚く形成することと、前記第１膜の形成後に、前記基板の前記表面に対して、ハロゲンとハロゲン以外の元素Ｘを含有する原料ガスと、前記原料ガスの吸着物と反応する反応ガスとを交互に又は同時に供給することで、前記元素Ｘを含有する第２膜を前記凸部の頂面に比べて前記凹部の内部に厚く形成することと、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、基板表面の凹部の内部に膜を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、一実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。
図２は、図１に示す成膜方法の具体例を示すフローチャートである。
図３は、Ｓ１０１～Ｓ１０３の一例を示す断面図である。
図４は、２回目の第１サイクルにおけるＳ１０２～Ｓ１０３の一例を示す断面図である。
図５は、変形例に係る成膜方法を示すフローチャートである。
図６は、１回目の第２サイクルにおけるＳ１０４及び２回目の第２サイクルにおけるＳ１０２～Ｓ１０３の一例を示す図である。
図７は、Ｓ１０３の変形例を示すフローチャートである。
図８は、Ｓ１０３の別の変形例を示すフローチャートである。
図９は、一実施形態に係る成膜装置を示す断面図である。
図１０は、例１の処理後の基板を示すＳＥＭ写真である。
図１１は、例２の処理後の基板を示すＳＥＭ写真である。
図１２は、例３の処理後の基板を示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
【０００９】
先ず、図１～図４を参照して、一実施形態に係る成膜方法について説明する。成膜方法は、例えば図１に示すステップＳ１０１～Ｓ１０３及びＳ１０５を有する。ステップＳ１０４については後述する。成膜方法は、図１に示すステップＳ１０１～Ｓ１０３及びＳ１０５以外のステップを有してもよい。
【００１０】
ステップＳ１０１は、基板Ｗを準備することを含む（図３参照）。基板Ｗは、例えば、第１下地膜Ｗ１と、第１下地膜Ｗ１の上に形成された第２下地膜Ｗ２と、を有する。第１下地膜Ｗ１と第２下地膜Ｗ２は、この順番で、不図示の下地基板の上に形成される。下地基板は、シリコンウェハ、又は化合物半導体ウェハである。化合物半導体ウェハは、例えばＧａＡｓウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＮウェハ、又はＩｎＰウェハである。
（【００１１】以降は省略されています）

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