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公開番号2024086199
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-27
出願番号2022201214
出願日2022-12-16
発明の名称配線基板およびその製造方法
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人銀座マロニエ特許事務所
主分類H05K 3/06 20060101AFI20240620BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】配線パターンの高密度化を達成できる配線基板およびその製造方法を提案する。
【解決手段】基板11と、基板11上にパターン化して形成された銅からなる導体層12と、からなる構成を少なくとも含む配線基板1であって、導体層12の形状が、その上面12aの幅Waが下面12bの幅Wbよりも大きく、その下面の幅が中間部の最小幅Wiよりも大きい。基板を準備することと、基板上全面に銅めっき膜を形成することと、銅めっき膜上に、配線パターンに応じてドライフィルムレジスト層を形成することと、エッチングにより、銅めっき膜のドライフィルムレジスト層が存在しない部分を除去し、その上面の幅が下面の幅よりも大きく、その下面の幅が中間部の最小幅より大きい導体層を形成することと、導体層上から前記ドライフィルムレジスト層を除去することと、により配線基板1を製造する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、前記基板上にパターン化して形成された銅からなる導体層と、からなる構成を少なくとも含む配線基板であって、
前記導体層の形状が、その上面の幅が下面の幅よりも大きく、その下面の幅が中間部の最小幅よりも大きい。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、（上面の幅／下面の幅）が１より大きく１．１５より小さい。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、（上面の幅／中間部の最小幅）が１．１５より大きく１．７５より小さい。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、前記導体層がエッチング抑制剤を含む塩化銅エッチング液によるエッチングにより形成される。
【請求項５】
基板と、前記基板上にパターン化して形成された銅からなる導体層と、からなる構成を少なくとも含む配線基板の製造方法であって、
前記基板を準備することと、
前記基板上全面に銅めっき膜を形成することと、
前記銅めっき膜上に、配線パターンに応じてドライフィルムレジスト層を形成することと、
エッチングにより、前記銅めっき膜の前記ドライフィルムレジスト層が存在しない部分を除去し、その上面の幅が下面の幅よりも大きく、その下面の幅が中間部の最小幅より小さい導体層を形成することと、
前記導体層上から前記ドライフィルムレジスト層を除去することと、を含む。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板の製造方法において、前記エッチングに用いるエッチング液として、エッチング抑制剤を含む塩化銅エッチング液を用いる。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、塩化銅を含むエッチング液を用いて、サブトラクティブ法により、パターン化された導体層からなる配線を形成する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平７－２７３４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術によれば、配線間の絶縁性を確保することができる。一方、特許文献１に記載の技術で形成した配線となる導体層の形状は、図４に示すように、導体層５１の上面５１ａの幅が下面５１ｂの幅より小さくなっていた。ここで、隣接する導体層５１間の配線間隔は、下面５１ｂ同士が接触しないように、下面５１ｂの幅に基づき決定される。そのため、上面５１ａの幅で定義される配線間隔を小さくできない場合があり、配線パターンの高密度化に不向きであった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る配線基板は、基板と、前記基板上にパターン化して形成された銅からなる導体層と、からなる構成を少なくとも含む配線基板であって、前記導体層の形状が、その上面の幅が下面の幅よりも大きく、その下面の幅が中間部の最小幅よりも大きい。
【０００６】
本発明に係る配線基板の製造方法は、基板と、前記基板上にパターン化して形成された銅からなる導体層と、からなる構成を少なくとも含む配線基板の製造方法であって、前記基板を準備することと、前記基板上全面に銅めっき膜を形成することと、前記銅めっき膜上に、配線パターンに応じてドライフィルムレジスト層を形成することと、エッチングにより、前記銅めっき膜の前記ドライフィルムレジスト層が存在しない部分を除去し、その上面の幅が下面の幅よりも大きい導体層を形成することと、前記導体層上から前記ドライフィルムレジスト層を除去することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明に係る配線基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
本発明に係る配線基板の一実施形態を示す断面写真である。
（ａ）～（ｄ）は、それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態の各工程を模式的に示す断面図である。
従来の配線基板の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本発明の配線基板について＞
本発明の配線基板の一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図３に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。
【０００９】
図１は、本発明に係る配線基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。また、図２は、本発明に係る配線基板の一実施形態を示す断面写真である。図１および図２において、配線基板１は、基板１１と、基板１１上にパターン化して形成された銅からなる導体層１２と、からなる構成を少なくとも含んでいる。そして、導体層１２の形状において、その上面１２ａの幅Ｗａが下面１２ｂの幅Ｗｂよりも大きく、その下面１２ｂの幅Ｗｂが中間部の最小幅Ｗｉよりも大きい。
【００１０】
本発明に係る配線基板１の特徴は、導体層１２の形状を、その上面１２ａの幅Ｗａが下面１２ｂの幅Ｗｂよりも大きく、その下面１２ｂの幅Ｗｂが中間部の最小幅Ｗｉよりも大きく形成した点である。隣接する導体層１２間の配線間隔は、上面１２ａ同士が接触しないように、上面１２ａの幅に基づき決定される。そのため、上面１２ａの幅Ｗａで定義される配線間隔を小さくすることができる。その結果、導体層１２からなる配線パターンの高密度化を達成することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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