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公開番号2024068562
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-20
出願番号2022179102
出願日2022-11-08
発明の名称プリント配線板の製造方法
出願人イビデン株式会社
代理人個人
主分類H05K 3/18 20060101AFI20240513BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板の製造方法は、パッドを有する導体層を形成することと、導体層上に第1樹脂絶縁層を形成することと、第1樹脂絶縁層上に第1導体層を形成することと、第1樹脂絶縁層と第1導体層上に第2樹脂絶縁層を形成することと、第2樹脂絶縁層上に第2導体層を形成すること、とを有する。第1導体層を形成することは、第1樹脂絶縁層の第1面上に無電解めっきによって第1シード層を形成することを含む。第2導体層を形成することは、第2樹脂絶縁層の第3面上にスパッタリングによって第2シード層を形成することを含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
パッドを有する導体層を形成することと、
前記導体層上に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１樹脂絶縁層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に第１導体層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層と前記第１導体層上に第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上に第２導体層を形成すること、とを有するプリント配線板の製造方法であって、
前記第１導体層を形成することは、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に無電解めっきによって第１シード層を形成することと前記第１シード層上に第１めっきレジストを形成することと前記第１めっきレジストから露出する前記第１シード層上に第１電解めっき層を形成することと前記第１めっきレジストを除去することと前記第１電解めっき層から露出する前記第１シード層を除去すること、とを含み、
前記第２導体層を形成することは、前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上にスパッタリングによって第２シード層を形成することと前記第２シード層上に第２めっきレジストを形成することと前記第２めっきレジストから露出する前記第２シード層上に第２電解めっき層を形成することと前記第２めっきレジストを除去することと前記第２電解めっき層から露出する前記第２シード層を除去すること、とを含む。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記第１導体層は、前記第１シード層内（第１か所）、もしくは、前記第１シード層と前記第１電解めっき層の境界部分（第２か所）にボイドを有し、前記第２導体層は、前記第２シード層内と前記第２シード層と前記第２電解めっき層の境界部分にボイドを有さない。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板の製造方法であって、前記ボイドは、前記第１か所と前記第２か所の両方に形成される。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記パッドに至る第１開口を形成することと、前記第１開口に前記パッドと前記第１導体層を接続する前記第１ビア導体を形成すること、とを含み、前記第１ビア導体は前記パッド上に形成されている前記第１シード層と前記第１電解めっき層で形成されており、前記ボイドは、前記第１シード層内（第１か所）、または、前記第１シード層と前記第１電解めっき層の境界部分（第２か所）、または、前記第１シード層と前記パッドの境界部分（第３か所）に存在し、前記第２導体層は、前記第２シード層内と前記第２シード層と前記第２電解めっき層の境界部分にボイドを有さない。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板の製造方法であって、前記ボイドは、前記第２か所と前記第３か所の両方、または、前記第１か所と前記第２か所と前記第３か所の全てに形成される。
【請求項６】
請求項２のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第１シード層を加熱することを有する。
【請求項７】
請求項４のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層に至る第２開口を形成することと、前記第２開口に前記第１導体層と前記第２導体層を接続する前記第２ビア導体を形成すること、とを含み、前記第２ビア導体は前記第２開口により露出される前記第１導体層上に形成されている前記第２シード層と前記第２電解めっき層で形成されており、前記第２開口により露出される前記第１導体層と前記第２ビア導体の第２接続部分にボイドは存在しない。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書によって開示される技術は、プリント配線板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、層間樹脂絶縁層にバイアホール形成用開孔を形成することと、バイアホール形成用開孔を有する層間絶縁層の表面にスパッタリングで合金層を形成すること、を含むプリント配線板の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０００－１２４６０２号公報
【発明の概要】
【０００４】
［特許文献１の課題］
スパッタリングは真空中で行われる。複数の導体層を含むプリント配線板が形成される場合、すべての導体層のシード層をスパッタリングで形成することは生産性に影響を与えると考えられる。生産コストが高くなると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板の製造方法は、パッドを有する導体層を形成することと、前記導体層上に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に第１導体層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層と前記第１導体層上に第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２樹脂絶縁層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上に第２導体層を形成すること、とを有する。前記第１導体層を形成することは、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に無電解めっきによって第１シード層を形成することと前記第１シード層上に第１めっきレジストを形成することと前記第１めっきレジストから露出する前記第１シード層上に第１電解めっき層を形成することと前記第１めっきレジストを除去することと前記第１電解めっき層から露出する前記第１シード層を除去すること、とを含む。前記第２導体層を形成することは、前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上にスパッタリングによって第２シード層を形成することと前記第２シード層上に第２めっきレジストを形成することと前記第２めっきレジストから露出する前記第２シード層上に第２電解めっき層を形成することと前記第２めっきレジストを除去することと前記第２電解めっき層から露出する前記第２シード層を除去すること、とを含む。
【０００６】
本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法は、無電解めっきを用いて第１シード層を形成することと、スパッタリングを用いて第２シード層を形成することを含む。そのため、すべての導体層のシード層がスパッタリングで形成される方法と比べて生産負荷が小さい。プリント配線板の生産性が低下しがたい。生産コストを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。
実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。
実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。
実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。
実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２Ａ～図４は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と導体層１０とビルドアップ層５００とを有する。導体層１０は絶縁層４上に形成される。ビルドアップ層５００は絶縁層４と導体層１０上に形成される。
【０００９】
絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４はコア基板であってもよい。
【００１０】
導体層１０は絶縁層４上に形成されている。導体層１０はベタパターン１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、導体層１０はベタパターン１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。導体層１０は主に銅によって形成される。導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａの厚みは０．５μｍ未満である。シード層１０ａは無電解めっきで形成される無電解めっき層である。改変例ではシード層１０ａはスパッタリングで形成されるスパッタ層であってもよい。シード層１０ａがスパッタ層である場合、シード層１０ａは、絶縁層４上の第１層と第１層上の第２層で形成されていてもよい。第１層は銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層は銅で形成されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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