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公開番号2024085656
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-27
出願番号2022200296
出願日2022-12-15
発明の名称配線回路基板
出願人日東電工株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 1/05 20060101AFI20240620BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】金属支持層に対する第1導体層の密着力を向上できる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】配線回路基板1は、金属支持層2と、密着層3と、第1導体層4と、絶縁層5と、第2導体層7と、を備える。密着層3は、厚み方向における金属支持層2の一方面に配置される。密着層3は、Zr、Ti、W、Mo、V、Y、Nb、および、Taからなる群から選択される少なくとも1つの金属を含む。第1導体層4は、厚み方向における密着層3の一方面に配置される。絶縁層5は、貫通孔51を有する。厚み方向における第1導体層4の一方面に配置される。第2導体層7は、部分71を含む。部分71は、厚み方向に投影したときに貫通孔51内に位置する密着層3を介して金属支持層2と電気的に接続される。第2導体層7は、貫通孔51内における金属支持層2の一方側、および、厚み方向における絶縁層5の一方側に配置される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
金属支持層と、
厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される密着層であり、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む密着層と、
厚み方向における前記密着層の一方面に配置される第１導体層と、
貫通孔を有し、厚み方向における前記第１導体層の一方面に配置される絶縁層と、
厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記密着層を介して前記金属支持層と電気的に接続される部分を含み、前記貫通孔内における前記金属支持層の一方側、および、厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置される第２導体層と、
を備える、配線回路基板。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
前記密着層における前記金属の含有割合は、０．８％以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１導体層は、Ｃｒおよび／またはＮｉを含む、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記金属支持層は、Ｃｕを含む、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記第１導体層および前記第２導体層を電気的に接続する第２密着層であり、厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記第１導体層と、前記第２導体層との間に配置される第２密着層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記第２密着層は、前記金属を含む、請求項５に記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第２導体層は、Ｃｕ、ＣｒおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項６に記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記貫通孔内における前記金属支持層の一方面に配置される前記密着層は、前記貫通孔外における前記金属支持層の一方面に配置される前記密着層より、厚い、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項９】
厚み方向における前記第２導体層の一方面に配置される第３導体層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
金属支持層と、第１導体層と、絶縁層と、第２導体層とを、厚み方向の一方側に向かって順に備える配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の配線回路基板では、絶縁層は、貫通孔を有する。第２導体層は、厚み方向に投影したときに貫通孔内に位置する第１導体層を介して金属支持層と電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１１－１９８８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線回路基板において、金属支持層に対する第１導体層の密着力の向上が求められる。しかし、特許文献１に記載の配線回路基板では、上記した密着力が不十分である。
【０００６】
本発明は、金属支持層に対する第１導体層の密着力を向上できる配線回路基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明［１］は、金属支持層と、厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される密着層であり、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む密着層と、厚み方向における前記密着層の一方面に配置される第１導体層と、貫通孔を有し、厚み方向における前記第１導体層の一方面に配置される絶縁層と、厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記密着層を介して前記金属支持層と電気的に接続される部分を含み、前記貫通孔内における前記金属支持層の一方側、および、厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置される第２導体層と、を備える、配線回路基板を含む。
【０００８】
この配線回路基板は、厚み方向における金属支持層の一方面に配置される密着層であって、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む密着層を備えるので、金属支持層に対する第１導体層の密着力を向上できる。
【０００９】
本発明［２］は、前記密着層における前記金属の含有割合は、０．８％以下である、［１］に記載の配線回路基板を含む。
【００１０】
この配線回路基板では、密着層における金属の含有割合が０．８％以下と低いので、金属支持層に対する密着層の密着力を確保しつつ、密着層および金属支持層の界面における抵抗の上昇、および、密着層および第１導体層の界面における抵抗の上昇を抑制できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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