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公開番号2024176058
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-19
出願番号2023094269
出願日2023-06-07
発明の名称導電層付フィルム
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人いくみ特許事務所
主分類B32B 27/00 20060101AFI20241212BHJP(積層体)
要約【課題】アンチブロッキング(AB)層のアンチブロッキング性を確保しつつ、当該AB層における点状欠点の発生を抑制するのに適した、導電層付フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の導電層付フィルムFは、基材フィルム10と、AB層11と、導電層12とを備える。AB層11は、厚さ方向Hにおいて基材フィルム10に対して導電層12とは反対側、および/または、厚さ方向Hにおいて基材フィルム10と導電層12との間に配置されている。AB層11は、粒子を含有する。AB層11の厚さ方向Hの断面における粒子の面積割合Xは3%以上である。AB層11の厚さ方向Hの断面における、粒子の面積割合X(%)と、粒子間の距離の変動係数Yとが、下記の式(1)を満たす。
Y ≦ -0.029X+0.995 (1)
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基材フィルムと、アンチブロッキング層と、導電層とを備える導電層付フィルムであって、
前記アンチブロッキング層が、厚さ方向において前記基材フィルムに対して前記導電層とは反対側、および／または、前記厚さ方向において前記基材フィルムと前記導電層との間に配置され、
前記アンチブロッキング層が粒子を含有し、
前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘが３％以上であり、
前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘ（％）と、前記粒子間の距離の変動係数Ｙとは、下記の式（１）を満たす、導電層付フィルム。
Ｙ ≦ －０.０２９Ｘ＋０.９９５（１）
続きを表示（約 140 文字）【請求項２】
前記粒子の平均一次粒子径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の導電層付フィルム。
【請求項３】
前記アンチブロッキング層における前記粒子の含有割合が３質量％以上３０質量％以下である、請求項１または２に記載の導電層付フィルム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電層付フィルムに関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
導電パターン付フィルムとして、例えば、電波送受信用のアンテナフィルム、および、誘電泳動処理用の電極パターン付フィルムが知られている。導電パターン付フィルムは、導電層付フィルムから作製される。導電層付フィルムは、例えば、基材フィルムと、当該フィルム上の導電層とを備える。導電層付フィルムの導電層をパターニングして導電パターン（アンテナフィルムではアンテナコイル）を形成することにより、導電パターン付フィルムを作製できる。導電層付フィルムに関する技術については、例えば、下記の特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１５９０９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
導電層付フィルムをロールトゥロール方式で効率よく製造する方法は、例えば、次のとおりである。まず、ロールトゥロール方式において、長尺の基材フィルムの片面または両面にアンチブロッキング（ＡＢ）層を形成する。これにより、長尺のＡＢ層付き基材フィルムを得る。ＡＢ層は、バインダ樹脂と粒子とを含有する。ＡＢ層の露出表面は、粒子の存在に起因する突部を有する。次に、ロールトゥロール方式において、ＡＢ層付き基材フィルムの片面に導電層を形成する。これにより、長尺の積層フィルムを得る。この積層フィルムは、基材フィルム（導電層側の表面ＡＢ層、および／または、基材フィルムに対して導電層とは反対側の背面ＡＢ層を有する）と、導電層とを有する。次に、ロールトゥロール方式でのウェットエッチングにより、積層フィルムにおける導電層をパターニングする。この後、積層フィルムから、プレス加工によって導電パターン付フィルムを切り出す。このような製造方法においては、ＡＢ層により、積層フィルムのロールにおけるフィルム間のブロッキング（貼り付き）が抑制される。
【０００５】
ＡＢ層中の粒子は、アンチブロッキング性の観点からは、多い方がよく、また、大きい方がよい。具体的には、ＡＢ層中の粒子が多いほど、粒子の凝集体により、ＡＢ層の露出表面に大きな突部が形成されやすい。また、ＡＢ層中の粒子が大きいほど、ＡＢ層の露出表面に大きな突部が形成されやすい。また、突部が大きいほど、ブロッキングは抑制される。
【０００６】
しかし、ＡＢ層表面の大きすぎる突部は、導電層から形成される上述の導電パターンの欠けおよび断線の原因となるため、点状欠点とされる。具体的には、表面ＡＢ層が大きすぎる突部を有し、且つ、表面ＡＢ層上において当該突部上を通る導体パターンが形成される場合、当該導体パターンは突部上では破れを有する。導電層付フィルムが配線供給材等として画素パネルの要素として用いられる場合、表面ＡＢ層または背面ＡＢ層の表面の大きすぎる突部は、点状の表示異常を招くので好ましない（特に近年、ＶＲ用途等で高精細化の要求が高まっており、従来では許容されていたサイズの欠点の無い超高品質が必要な場合がある）。このような不具合を招く点状欠点に関し、本発明者は次のような知見を得た。
【０００７】
ＡＢ層における粒子の分散の均等性が高いほど、点状欠点の発生は抑制される。ＡＢ層中の粒子の割合に応じて、点状欠点を生じさせる粒子の偏在化および凝集の程度は異なる。そのため、ＡＢ層における粒子の割合と分散状態の調整は、点状欠点の抑制に役立つ。
【０００８】
本発明は、アンチブロッキング（ＡＢ）層のアンチブロッキング性を確保しつつ、当該ＡＢ層における点状欠点の発生を抑制するのに適した、導電層付フィルムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明［１］は、基材フィルムと、アンチブロッキング層と、導電層とを備える導電層付フィルムであって、前記アンチブロッキング層が、厚さ方向において前記基材フィルムに対して前記導電層とは反対側、および／または、前記厚さ方向において前記基材フィルムと前記導電層との間に配置され、前記アンチブロッキング層が粒子を含有し、前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘが３％以上であり、前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘ（％）と、前記粒子間の距離の変動係数Ｙとは、下記の式（１）を満たす、導電層付フィルムを含む。
Ｙ ≦ －０.０２９Ｘ＋０.９９５（１）
【００１０】
本発明［２］は、前記粒子の平均一次粒子径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、上記［１］に記載の導電層付フィルムを含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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