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公開番号2025011542
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023113721
出願日2023-07-11
発明の名称積層フィルム
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人いくみ特許事務所
主分類B32B 9/00 20060101AFI20250117BHJP(積層体)
要約【課題】製造コストを抑制しつつ基材フィルムに対する無機物層の密着性を確保できる積層フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の積層フィルムXは、基材フィルム10と、基材フィルム10上の無機物層20とを備える。無機物層20における基材フィルム10とは反対側から基材フィルム10側への厚さ方向HにおけるX線光電子分光分析の、炭素元素比率25atom%の分析深さでのC1sスペクトルにおいて、C-C結合に由来する285eVでのピークの強度Iccと、C-O結合に由来する286.5eVでのピークの強度Icoと、O=C-O結合に由来する289eVでのピークの強度Icooとが、(Ico+Icoo)/Icc≧0.5を満たす。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基材フィルムと、前記基材フィルム上の無機物層とを備える積層フィルムであって、
前記無機物層における前記基材フィルムとは反対側から前記基材フィルム側への厚さ方向におけるＸ線光電子分光分析の、炭素元素比率２５atom％の分析深さでのＣ1sスペクトルにおいて、Ｃ－Ｃ結合に由来する２８５ｅＶでのピークの強度Ｉccと、Ｃ－Ｏ結合に由来する２８６.５ｅＶでのピークの強度Ｉcoと、Ｏ＝Ｃ－Ｏ結合に由来する２８９ｅＶでのピークの強度Ｉcooとが、（Ｉco＋Ｉcoo）／Ｉcc≧０.５０を満たす、積層フィルム。
続きを表示（約 510 文字）【請求項２】
前記Ｃ1sスペクトルにおいて、Ｃ＝Ｏ結合に由来する２８８ｅＶでのピークの強度Ｉocと、前記強度Ｉccと、前記強度Ｉcoと、前記強度Ｉcooとが、Ｉoc／（Ｉcc＋Ｉco＋Ｉcoo）≦０.０１を満たす、請求項１に記載の積層フィルム。
【請求項３】
前記Ｘ線光電子分光分析の、炭素元素比率５５atom％の分析深さでのＣ1sスペクトルにおいて、前記強度Ｉccと、前記強度Ｉcoと、前記強度Ｉcooとが、（Ｉco＋Ｉcoo）／Ｉcc≧０.８０を満たす、請求項１に記載の積層フィルム。
【請求項４】
前記Ｘ線光電子分光分析の、炭素元素比率５５atom％の分析深さでのＣ1sスペクトルにおいて、Ｃ＝Ｏ結合に由来する２８８ｅＶでのピークの強度Ｉocと、前記強度Ｉccと、前記強度Ｉcoと、前記強度Ｉcooとが、Ｉoc／（Ｉcc＋Ｉco＋Ｉcoo）≦０.０１を満たす、請求項１に記載の積層フィルム。
【請求項５】
前記無機物層が、Ｉｎ、Ｓｉ、ＣｒおよびＮｂからなる群より選択される少なくとも一つの元素を含む、請求項１から４のいずれか一つに記載の積層フィルム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層フィルムに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス製品の軽量化および高機能化の観点から、有機材と無機材とが複合化された各種の複合化材が開発されている。複合化材としては、例えば、有機材製の基材フィルムと、基材フィルム上の無機物層とを備える積層フィルムが知られている。当該積層フィルムの製造過程では、例えば、基材フィルム上に無機物層が形成される前に、基材フィルムの表面の汚れおよび水分を除去するために同表面がプラズマ処理される。基材フィルム表面からの汚れおよび水分の除去は、同表面に形成される無機物層の、基材フィルムに対する密着性を高めるのに役立つ。このような積層フィルムに関する技術については、例えば、下記の特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－６５４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１には、反射防止フィルムとしての積層フィルムが記載されている。この積層フィルムは、反射防止層としての無機物層と、これを支持する基材フィルムとを備える。基材フィルムは、樹脂フィルムと、樹脂フィルム上のＨＣ層とを備える。ＨＣ層は、ナノシリカ粒子を含有する。これにより、ＨＣ層は、無機物層側に表面凹凸を有する。特許文献１によると、ＨＣ層の表面凹凸は、基材フィルムに対する無機物層の密着性を高める。
【０００５】
しかしながら、ナノシリカ粒子は、比較的高価であり、積層フィルムの製造コストを上げる。
【０００６】
本発明は、製造コストを抑制しつつ基材フィルムに対する無機物層の密着性を確保できる積層フィルムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明［１］は、基材フィルムと、前記基材フィルム上の無機物層とを備える積層フィルムであって、前記無機物層における前記基材フィルムとは反対側から前記基材フィルム側への厚さ方向におけるＸ線光電子分光分析の、炭素元素比率２５atom％の分析深さでのＣ1sスペクトルにおいて、Ｃ－Ｃ結合に由来する２８５ｅＶでのピークの強度Ｉccと、Ｃ－Ｏ結合に由来する２８６.５ｅＶでのピークの強度Ｉcoと、Ｏ＝Ｃ－Ｏ結合に由来する２８９ｅＶでのピークの強度Ｉcooとが、（Ｉco＋Ｉcoo）／Ｉcc≧０.５０を満たす、積層フィルムを含む。
【０００８】
本発明［２］は、前記Ｃ1sスペクトルにおいて、Ｃ＝Ｏ結合に由来する２８８ｅＶでのピークの強度Ｉocと、前記強度Ｉccと、前記強度Ｉcoと、前記強度Ｉcooとが、Ｉoc／（Ｉcc＋Ｉco＋Ｉcoo）≦０.０１を満たす、上記［１］に記載の積層フィルムを含む。
【０００９】
本発明［３］は、前記Ｘ線光電子分光分析の、炭素元素比率５５atom％の分析深さでのＣ1sスペクトルにおいて、前記強度Ｉccと、前記強度Ｉcoと、前記強度Ｉcooとが、（Ｉco＋Ｉcoo）／Ｉcc≧０.８０を満たす、上記［１］または［２］に記載の積層フィルムを含む。
【００１０】
本発明［４］は、前記Ｘ線光電子分光分析の、炭素元素比率５５atom％の分析深さでのＣ1sスペクトルにおいて、Ｃ＝Ｏ結合に由来する２８８ｅＶでのピークの強度Ｉocと、前記強度Ｉccと、前記強度Ｉcoと、前記強度Ｉcooとが、Ｉoc／（Ｉcc＋Ｉco＋Ｉcoo）≦０.０１を満たす、上記［１］から［３］のいずれか一つに記載の積層フィルムを含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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