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公開番号2024081972
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-19
出願番号2022195609
出願日2022-12-07
発明の名称磁気センサ素子の製造方法
出願人愛知製鋼株式会社
代理人弁理士法人あいち国際特許事務所
主分類C23C 18/36 20060101AFI20240612BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】磁性体の溶解を防ぐことができる、磁気センサ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】磁性体2と、磁性体2の周りに巻回されたコイル部3と、磁性体2の一部が電気的に接続されるパッド部4と、磁性体2とパッド部4とを電気的に接続する接続導体部5とを、基板11上に形成してなる磁気センサ素子1を製造する方法であって、接続導体部5は、還元型の無電解メッキにて形成する、磁気センサ素子1の製造方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
磁性体と、該磁性体の周りに巻回されたコイル部と、上記磁性体の一部が電気的に接続されるパッド部と、上記磁性体と上記パッド部とを電気的に接続する接続導体部とを、基板上に形成してなる磁気センサ素子を製造する方法であって、
上記接続導体部は、還元型の無電解メッキにて形成する、磁気センサ素子の製造方法。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
上記磁気センサ素子は、上記磁性体と上記コイル部との間に、両者間の電気的絶縁を図るための絶縁層を有し、
上記コイル部は、上記基板に近い側に形成された下側コイル部と、該下側コイル部の上に形成された上側コイル部とを有し、
上記絶縁層は、上記下側コイル部と上記磁性体とを電気的に絶縁する下側絶縁層と、上記磁性体と上記上側コイル部とを電気的に絶縁する上側絶縁層とを有し、
上記磁気センサ素子を製造するにあたっては、
上記基板上に、上記下側コイル部及び上記パッド部を形成し、
その後、上記下側コイル部の上に上記下側絶縁層を形成し、
その後、上記下側絶縁層の上に上記磁性体を配置すると共に固定し、
その後、上記接続導体部を形成し、
その後、上記磁性体の上に上記上側絶縁層を形成し、
その後、上側絶縁層の上に上記上側コイル部を形成し、
上記接続導体部の形成にあたっては、ネガ型のメッキレジストを塗布、露光、現像して、所定の箇所にレジストパターンを形成した後、還元型の無電解メッキを行う、請求項１に記載の磁気センサ素子の製造方法。
【請求項３】
上記接続導体部を介する上記パッド部と上記磁性体との間の距離は、１μｍ以下である、請求項１又は２に記載の磁気センサ素子の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサ素子の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,000 文字）【背景技術】
【０００２】
磁気を検出するための磁気センサ素子として、例えば、特許文献１には、磁性体と該磁性体の周りに巻回されたコイル部とを有するＭＩセンサ素子が開示されている。このＭＩセンサ素子においては、磁性体の両端部が、基板上に形成されたパッド部に電気的に接続される。また、特許文献１には、コイル部等の形成にあたり、メッキを行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－７８１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１には、基板上に形成したパッド部と磁性体とを電気的に接続する接続導体部については、特に開示されておらず、まして、当該接続導体部の製造方法について、何らの記載もない。
【０００５】
発明者らは、接続導体部を電解メッキにより形成する際、磁性体の一部が局部的に溶解することがあることを見出した。かかる磁性体の溶解は、場合によっては、磁性体とパッド部との間の密着性、導電性、磁性体自体の品質低下等の問題を招くおそれがあり、ひいては、磁気センサ素子の品質低下につながるおそれが懸念される。
【０００６】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、磁性体の溶解を防ぐことができる、磁気センサ素子の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、磁性体と、該磁性体の周りに巻回されたコイル部と、上記磁性体の一部が電気的に接続されるパッド部と、上記磁性体と上記パッド部とを電気的に接続する接続導体部とを、基板上に形成してなる磁気センサ素子を製造する方法であって、
上記接続導体部は、還元型の無電解メッキにて形成する、磁気センサ素子の製造方法にある。
【発明の効果】
【０００８】
上記磁気センサ素子の製造方法において、上記接続導体部は、還元型の無電解メッキにて形成する。これにより、磁気センサ素子の製造過程における磁性体の溶解を防ぐことができる。
【０００９】
以上のように、本発明によれば、磁性体の溶解を防ぐことができる、磁気センサ素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施形態１における、磁気センサ素子の斜視図。
実施形態１における、多数の磁気センサ素子が形成された半導体ウエハの平面図。
実施形態１における、磁気センサ素子の展開斜視図。
実施形態１における、磁気センサ素子の製造方法の概略フロー図。
実施形態１における、基板上に下側コイル部等を形成した状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のVｂ－Vｂ断面図、（ｃ）（ａ）のVｃ－Vｃ断面図。
実施形態１における、基板上にアモルファスワイヤを配置した状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のVIｂ－VIｂ断面図、（ｃ）（ａ）のVIｃ－VIｃ断面図。
実施形態１における、基板上にメッキレジストを塗布した状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のVIIｂ－VIIｂ断面図、（ｃ）（ａ）のVIIｃ－VIIｃ断面図、（ｄ）（ａ）のVIId－VIId断面図。
実施形態１における、メッキレジストを露光する工程を示すパッド部周辺の断面説明であって、（ａ）Ｘ方向に垂直な断面説明図、（ｂ）（ａ）のVIIId－VIIId断面説明図。
実施形態１における、メッキレジストを現像した状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のIXｂ－IXｂ断面図、（ｃ）（ａ）のIXｃ－IXｃ断面図、（ｄ）（ａ）のIXｄ－IXｄ断面図。
実施形態１における、ワークを触媒付与溶液に浸漬して、所定箇所に触媒を分散させる工程の説明図。
実施形態１における、（ａ）ワークを無電解メッキ液に浸漬した状態の説明図、（ｂ）無電解メッキにて接続導体部が形成される様子を示す説明図。
実施形態１における、無電解メッキにて接続導体部が形成された状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXIIｂ－XIIｂ断面図。
実施形態１における、メッキレジストが除去された状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXIIIｂ－XIIIｂ断面図、（ｃ）（ａ）のXIIIｃ－XIIIｃ断面図。
実施形態１における、上側絶縁層用の感光性樹脂を塗布した状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXIVｂ－XIVｂ断面図、（ｃ）（ａ）のXIVｃ－XIVｃ断面図。
実施形態１における、上側絶縁層が形成された状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXVｂ－XVｂ断面図、（ｃ）（ａ）のXVｃ－XVｃ断面図。
実施形態１における、シード層を成膜した状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXVIｂ－XVIｂ断面図、（ｃ）（ａ）のXVIｃ－XVIｃ断面図。
実施形態１における、上側コイル部を形成して磁気センサ素子が得られた状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXVIIｂ－XVIIｂ断面図、（ｃ）（ａ）のXVIIｃ－XVIIｃ断面図。
比較形態における、磁気センサ素子の製造方法の概略フロー図。
比較形態における、上側絶縁層用の感光性樹脂を塗布した状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXIXｂ－XIXｂ断面図、（ｃ）（ａ）のXIXｃ－XIXｃ断面図、（ｄ）（ａ）のXIXｄ－XIXｄ断面図。
比較形態における、上側絶縁層用の感光性樹脂を露光する工程を示すパッド部周辺の断面説明であって、（ａ）Ｘ方向に垂直な断面説明図、（ｂ）（ａ）のXXd－XXd断面説明図。
比較形態における、上側絶縁層が形成された状態を示す、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のXXIｂ－XXIｂ断面図、（ｃ）（ａ）のXXIｃ－XXIｃ断面図、（ｄ）（ａ）のXXIｄ－XXIｄ断面図。
比較形態における、シード層を成膜した状態を示す、（ａ）パッド部付近の断面図、（ｂ）（ａ）のXXIIｂ－XXIIｂ断面図。
比較形態における、ワークを電解メッキ液に浸漬した状態の説明図。
比較形態における、電解メッキにて接続導体部が形成された状態を示す、パッド部付近の断面図、（ｂ）（ａ）のXXIVｂ－XXIVｂ断面図。
比較形態における、残渣が生じた状態にてシード層を成膜した状態を示す、（ａ）パッド部付近の断面図、（ｂ）（ａ）のXXVｂ－XXVｂ断面図。
比較形態における、残渣が生じた状態にて電解メッキにて接続導体部が形成された状態を示す、パッド部付近の断面図。
（ａ）試料０のＸ方向断面画像、（ｂ）試料０のＹ方向断面画像。
（ａ）試料１のＸ方向断面画像、（ｂ）試料１のＹ方向断面画像。
比較形態の方法による、（ａ）電解メッキの前の状態のSＥＭ写真、（ｂ）電解メッキの後の状態のSＥＭ写真。
実験例２における、評価方法の説明図。
実験例２における、評価結果を示す線図。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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