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公開番号2024044760
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-02
出願番号2022150499
出願日2022-09-21
発明の名称液体原料供給方法及びガス供給装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/448 20060101AFI20240326BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】基板に成膜される膜の膜厚の変動を抑制する液体原料供給方法及びガス供給装置を提供する。
【解決手段】原料貯留槽に貯留された液体原料を加熱して原料ガスを発生させる加熱部と、前記液体原料の液面レベルを検出する液面レベル検出部と、原料貯留槽に設けられ、原料貯留槽に原料ガスを搬送するキャリアガスを供給する供給部と接続されるガス入口と、原料貯留槽に設けられ、原料貯留槽からキャリアガスに伴って原料ガスを流出させるガス流出部と接続されるガス出口と、原料貯留槽に設けられ、原料貯留槽に液体原料を供給する液体原料供給部と接続される原料入口と、を備える、ガス供給装置に液体原料を供給する方法であって、液面レベル検出部で検出した液体原料の液面レベルが供給目標以下であるか否かを判定する工程と、液体原料の液面レベルが供給目標レベル以下である場合、指定量の液体原料を原料貯留槽に供給する工程を有する、液体原料供給方法。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
液体原料を貯留する原料貯留槽と、
前記原料貯留槽に貯留された前記液体原料を加熱して原料ガスを発生させる加熱部と、
前記原料貯留槽に貯留された前記液体原料の液面レベルを検出する液面レベル検出部と、
前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽に原料ガスを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と接続されるガス入口と、
前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽から前記キャリアガスに伴って前記原料ガスを流出させるガス流出部と接続されるガス出口と、
前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽に前記液体原料を供給する液体原料供給部と接続される原料入口と、を備える、ガス供給装置に前記液体原料を供給する液体原料供給方法であって、
前記液面レベル検出部で検出した前記液体原料の液面レベルが供給目標レベル以下であるか否かを判定する工程と、
前記液体原料の液面レベルが前記供給目標レベル以下である場合、指定量の液体原料を前記原料貯留槽に供給する工程と、を指定回数繰り返す工程を有する、
液体原料供給方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記指定量は、一回の成膜処理に使用する原料の０．１倍～１０倍の範囲内である、
請求項１に記載の液体原料供給方法。
【請求項３】
前記指定回数は、１回～１００回の範囲内である、
請求項２に記載の液体原料供給方法。
【請求項４】
前記液体原料は、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、シリコン（Ｓｉ）のうち少なくとも１つを含む原料である、
請求項１に記載の液体原料供給方法。
【請求項５】
前記ガス供給装置から処理容器に前記原料ガスを供給して前記処理容器内の基板に形成された膜の積算値膜厚が閾値以上であり、かつ、前記液面レベル検出部で検出した前記液体原料の液面レベルが前記供給目標レベル以下である場合、前記繰り返す工程を開始する、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液体原料供給方法。
【請求項６】
液体原料を貯留する原料貯留槽と、
前記原料貯留槽に貯留された前記液体原料を加熱して原料ガスを発生させる加熱部と、
前記原料貯留槽に貯留された前記液体原料の液面レベルを検出する液面レベル検出部と、
前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽に原料ガスを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と接続されるガス入口と、
前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽から前記キャリアガスに伴って前記原料ガスを流出させるガス流出部と接続されるガス出口と、
前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽に前記液体原料を供給する液体原料供給部と接続される原料入口と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記液面レベル検出部で検出した前記液体原料の液面レベルが供給目標レベル以下であるか否かを判定する工程と、
前記液体原料の液面レベルが前記供給目標レベル以下である場合、指定量の液体原料を前記原料貯留槽に供給する工程と、を指定回数繰り返す工程を実行可能に構成される、
ガス供給装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記ガス供給装置から処理容器に前記原料ガスを供給して前記処理容器内の基板に形成された膜の積算値膜厚が閾値以上であり、かつ、前記液面レベル検出部で検出した前記液体原料の液面レベルが前記供給目標レベル以下である場合、前記繰り返す工程を開始可能に構成される、
請求項６に記載のガス供給装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、液体原料供給方法及びガス供給装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、液体原料を加熱することにより発生した原料ガスを処理容器に供給するガス供給装置を有する成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－７２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、基板に成膜される膜の膜厚の変動を抑制する液体原料供給方法及びガス供給装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、液体原料を貯留する原料貯留槽と、前記原料貯留槽に貯留された前記液体原料を加熱して原料ガスを発生させる加熱部と、前記原料貯留槽に貯留された前記液体原料の液面レベルを検出する液面レベル検出部と、前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽に原料ガスを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と接続されるガス入口と、前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽から前記キャリアガスに伴って前記原料ガスを流出させるガス流出部と接続されるガス出口と、前記原料貯留槽に設けられ、前記原料貯留槽に前記液体原料を供給する液体原料供給部と接続される原料入口と、を備える、ガス供給装置に前記液体原料を供給する液体原料供給方法であって、前記液面レベル検出部で検出した前記液体原料の液面レベルが供給目標レベル以下であるか否かを判定する工程と、記液体原料の液面レベルが前記供給目標レベル以下である場合、指定量の液体原料を前記原料貯留槽に供給する工程と、を指定回数繰り返す工程を有する、液体原料供給方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、基板に成膜される膜の膜厚の変動を抑制する液体原料供給方法及びガス供給装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
ガス供給装置の構成例を示す概略図。
原料貯留槽に液体原料を供給する液体原料供給処理の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
〔ガス供給装置〕
本実施形態に係るガス供給装置３０の構成について、図１を用いて説明する。図１は、ガス供給装置３０の構成例を示す概略図である。
【００１０】
ガス供給装置３０は、液体原料３１を加熱することにより発生した原料ガスをキャリアガスとともに基板処理装置の処理容器１０に供給する装置である。基板処理装置は、ガス供給装置３０から供給されたガスを用いて処理容器１０内の基板に所望の処理（例えば成膜処理）を行う。処理容器１０を有する基板処理装置は、例えば成膜装置であって、処理容器１０内の回転テーブルの上に配置した複数の基板を回転テーブルを回転させることにより公転させ、第１のガス（例えばガス供給装置３０から供給される原料ガス）が供給される領域と、第２のガス（例えば原料ガスと反応することにより基板の表面に所望の膜を形成する反応ガス）が供給される領域と、を順番に通過させて基板に対して成膜処理を行うセミバッチ式の成膜装置であってもよい。なお、処理容器１０を有する基板処理装置は、セミバッチ式の成膜装置に限られるものではなく、例えば、処理容器１０内の複数の基板に対して一度に処理を行うバッチ式の成膜装置であってもよく、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の成膜装置であってもよく、処理容器１０内に複数の載置台を備えた複数枚葉成膜装置であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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