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公開番号2025181416
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-11
出願番号2024089386
出願日2024-05-31
発明の名称アンモニウム塩化合物、電解銅めっき用添加剤、電解銅めっき液組成物および電解銅めっき方法
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人IBC一番町弁理士法人
主分類C07C 255/61 20060101AFI20251204BHJP(有機化学)
要約【課題】被めっき物の凹部の充填性に優れ、平坦性の高いめっき膜の形成を可能とする手段を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表されるアンモニウム塩化合物。
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記式（１）で表されるアンモニウム塩化合物、
JPEG
2025181416000018.jpg
68
130
上記式（１）において、
Ｒ
１１
、Ｒ
１２
、Ｒ
１３
、Ｒ
１４
、Ｒ
２１
およびＲ
２２
は、それぞれ独立して、メチル基またはエチル基であり、
Ｒ
３１
、Ｒ
３２
、Ｒ
３３
およびＲ
３４
は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、Ｃ
２
Ｆ
５
基、ＯＣＦ
３
基、ＳＦ
５
基、Ｃ（Ｏ）ＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＮＨ
２
基またはＳＯ
２
ＣＨ
３
基であり、
Ａは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、
Ｘ
１１
、Ｘ
１２
、Ｘ
１３
、Ｘ
１４
、Ｘ
１５
、Ｘ
１６
、Ｘ
１７
およびＸ
１８
は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、Ｃ
２
Ｆ
５
基、ＯＣＦ
３
基、ＳＦ
５
基、Ｃ（Ｏ）ＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＮＨ
２
基またはＳＯ
２
ＣＨ
３
基であり、
Ｘ
１１
、Ｘ
１２
、Ｘ
１３
、Ｘ
１４
、Ｘ
１５
、Ｘ
１６
、Ｘ
１７
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
前記Ｘ
１１
、前記Ｘ
１２
、前記Ｘ
１３
、前記Ｘ
１４
、前記Ｘ
１５
、前記Ｘ
１６
、前記Ｘ
１７
および前記Ｘ
１８
は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、Ｃ
２
Ｆ
５
基、ＯＣＦ
３
基、ＳＦ
５
基、Ｃ（Ｏ）ＮＨ
２
基またはＳＯ
２
ＣＨ
３
基であり、
前記Ｘ
１１
、前記Ｘ
１２
、前記Ｘ
１３
、前記Ｘ
１４
、前記Ｘ
１５
、前記Ｘ
１６
、前記Ｘ
１７
および前記Ｘ
１８
からなる群から選択される少なくとも１つは、水素原子ではない、
請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
【請求項３】
前記Ａは、ＣｌまたはＢｒである、請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
【請求項４】
前記Ｘ
１１
、前記Ｘ
１２
、前記Ｘ
１３
、前記Ｘ
１４
、前記Ｘ
１５
、前記Ｘ
１６
、前記Ｘ
１７
および前記Ｘ
１８
は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、Ｃ
２
Ｆ
５
基、ＳＦ
５
基またはＳＯ
２
ＣＨ
３
基であり、
前記Ｘ
１１
、前記Ｘ
１２
、前記Ｘ
１３
、前記Ｘ
１４
、前記Ｘ
１５
、前記Ｘ
１６
、前記Ｘ
１７
および前記Ｘ
１８
からなる群から選択される少なくとも１つは、水素原子ではない、
請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
【請求項５】
前記Ｘ
１１
、前記Ｘ
１２
、前記Ｘ
１３
、前記Ｘ
１４
、前記Ｘ
１５
、前記Ｘ
１６
、前記Ｘ
１７
および前記Ｘ
１８
は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、Ｃ
２
Ｆ
５
基またはＳＦ
５
基であり、
前記Ｘ
１１
、前記Ｘ
１２
、前記Ｘ
１３
および前記Ｘ
１４
からなる群から選択される少なくとも３つは、水素原子ではなく、前記Ｘ
１５
、前記Ｘ
１６
、前記Ｘ
１７
および前記Ｘ
１８
からなる群から選択される少なくとも３つは、水素原子ではない、請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
【請求項６】
前記Ｒ
１１
、前記Ｒ
１２
、前記Ｒ
１３
および前記Ｒ
１４
は、メチル基である、請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
【請求項７】
前記Ｒ
２１
および前記Ｒ
２２
は、メチル基である、請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
【請求項８】
前記Ｒ
３１
、前記Ｒ
３２
、前記Ｒ
３３
および前記Ｒ
３４
は、水素原子である、請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
【請求項９】
下記の化合物１～９のいずれかである、請求項１に記載のアンモニウム塩化合物。
JPEG
2025181416000019.jpg
236
150
【請求項１０】
請求項１～９のいずれか１項に記載のアンモニウム塩化合物からなる電解銅めっき用添加剤。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明はアンモニウム塩化合物、電解銅めっき用添加剤、電解銅めっき液組成物および電解銅めっき方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年の半導体回路の複雑化に伴い、めっき分野においては、ビアおよび／またはトレンチを高選択的に充填する技術が要求されている。これらの凹凸部への金属電析に選択性を与えるために、レベラーと呼ばれる有機化合物をめっきの前処理液の添加剤またはめっき液の添加剤として使用することが知られている。
【０００３】
銅めっきで使用されるレベラーとして、含窒素有機化合物が一般的に用いられている。銅めっきで使用されるレベラーとして、ヤヌスグリーンＢ（ＪＧＢ）、ビスマルクブラウンＹ、クリスタルバイオレットが知られている（特許文献１、２、３、４、５）。また、銅めっきで使用されるレベラーとして、含窒素有機化合物と、エーテル構造を有する化合物、アルキレンオキサイド構造を有する化合物またはエポキシド構造を有する化合物との反応物が知られている（特許文献３、６、７、８）。また、銅めっきなどのめっきで使用されるレベラーとして、ロザリニン、テトラメチルパラロザリニン塩酸塩、ペンタメチルパラロザリニン塩酸塩、ヘキサメチルパラロザリニン塩酸塩が知られている（特許文献２、４、９、１０）。また、銅めっきなどのめっきで使用されるレベラーとして、ビグアニド構造を有する多量体またはポリマー、第４級アンモニウムカチオンを含むイオン性化合物、１つまたは２つ以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子など）を含む不飽和ヘテロ環化合物に由来する部分構造を含むイオン性化合物が知られている（特許文献９、１１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２１－１８５２７１号公報
特開昭５８－２７９９２号公報
特開２００４－３６００５５号公報
特表２０１５－５０３０３３号公報
特開２０１８－１１１８６３号公報
特表２０１７－５３２４５２号公報
特開２０１６－１５５９９６号公報
特開２０１９－８５６４７号公報
特表２０１４－５０５１６７号公報
米国特許出願公開第２０１９／０１００８４８号明細書
特表２０１８－５３０６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来検討されてきたレベラーを用いためっき液では、めっきによる被めっき物の凹部の充填が十分に進行せず、被めっき膜の凹部上のめっき膜に凹みが発生し、表面が平坦なめっき膜を形成することが困難となる場合がある。
【０００６】
そこで本発明は、被めっき物の凹部の充填性に優れ、平坦性の高いめっき膜の形成を可能とする手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その過程で、特定構造の含窒素有機化合物をめっきに使用することで、上記課題が解決されうることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
本発明の一態様によれば、下記式（１）で表されるアンモニウム塩化合物が提供される。
【０００９】
JPEG
2025181416000001.jpg
68
130
【００１０】
上記式（１）において、
Ｒ
１１
、Ｒ
１２
、Ｒ
１３
、Ｒ
１４
、Ｒ
２１
およびＲ
２２
は、それぞれ独立して、メチル基またはエチル基であり、
Ｒ
３１
、Ｒ
３２
、Ｒ
３３
およびＲ
３４
は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、Ｃ
２
Ｆ
５
基、ＯＣＦ
３
基、ＳＦ
５
基、Ｃ（Ｏ）ＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＮＨ
２
基またはＳＯ
２
ＣＨ
３
基であり、
Ａは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、
Ｘ
１１
、Ｘ
１２
、Ｘ
１３
、Ｘ
１４
、Ｘ
１５
、Ｘ
１６
、Ｘ
１７
およびＸ
１８
は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、Ｃ
２
Ｆ
５
基、ＯＣＦ
３
基、ＳＦ
５
基、Ｃ（Ｏ）ＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ
３
基、Ｃ（Ｏ）ＮＨ
２
基またはＳＯ
２
ＣＨ
３
基であり、
Ｘ
１１
、Ｘ
１２
、Ｘ
１３
、Ｘ
１４
、Ｘ
１５
、Ｘ
１６
、Ｘ
１７
およびＸ
１８
からなる群から選択される少なくとも１つは、水素原子ではない。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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