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公開番号2025174876
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2025070113
出願日2025-04-22
発明の名称半導体積層ウェハ
出願人華邦電子股ふん有限公司,Winbond Electronics Corp.
代理人個人
主分類G11C 29/00 20060101AFI20251120BHJP(情報記憶)
要約【課題】積層ウェハの歩留まりを改善する半導体積層ウェハを提供する。
【解決手段】半導体積層ウェハ100は、複数のウェハW0～W7、予備ウェハおよび修復情報ブロックを含む。各ウェハは、複数のダイDを含むことができ、各ウェハは、複数のロジックダイを有するロジックウェハを含む。予備ウェハは、修復イネーブル信号および修復情報信号に基づいて、ウェハの中の対象ウェハを修復する。修復情報ブロックは、予備ウェハまたはロジックウェハ内に位置し、修復情報ブロックは、入力信号を入力し、入力信号に基づいて、修復イネーブル信号及び修復情報信号を出力する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
それぞれが複数のダイを含み、ロジックウェハおよび対象ウェハを含む複数のウェハと、
修復イネーブル信号および修復情報信号に基づいて、前記ウェハの中の前記対象ウェハを修復するように構成された予備ウェハと、
前記予備ウェハまたは前記ロジックウェハ内に位置し、入力信号を入力して、前記入力信号に基づいて、前記修復イネーブル信号および前記修復情報信号を出力する修復情報ブロックと、
を含む半導体積層ウェハ。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記修復イネーブル信号が第１論理状態にあるとき、前記対象ウェハを修復する修復操作が無効になり、
前記修復イネーブル信号が第２論理状態にあるとき、前記対象ウェハを修復する前記修復操作が有効になる請求項１に記載の半導体積層ウェハ。
【請求項３】
前記対象ウェハが、ダイ単位で修復され、
前記修復操作において、前記対象ウェハ内の対象ダイが、前記予備ウェハ内の予備ダイに置き換えられる請求項２に記載の半導体積層ウェハ。
【請求項４】
前記入力信号が、ランク選択信号、バンク選択信号、および行選択信号を含み、
前記修復情報信号が、対象ウェハ選択信号、予備ウェハ選択信号、前記バンク選択信号、および前記行選択信号を含み、前記対象ウェハ選択信号が、前記対象ウェハを選択して前記修復操作を行うように構成され、前記予備ウェハ選択信号が、前記予備ウェハを選択して前記修復操作を行うように構成された請求項３に記載の半導体積層ウェハ。
【請求項５】
前記修復情報ブロックが、前記対象ウェハ選択信号を前記ウェハの前記ダイに送信し、
前記修復情報ブロックが、前記予備ウェハ選択信号を前記予備ウェハの予備ダイに送信し、
前記修復情報ブロックが、前記バンク選択信号および前記行選択信号を前記ウェハの前記ダイおよび前記予備ウェハの前記予備ダイに送信する請求項４に記載の半導体積層ウェハ。
【請求項６】
前記対象ウェハを修復する前記修復操作において、前記予備ウェハ選択信号が、前記第１論理状態にあり、前記対象ウェハの前記対象ダイに送信された前記対象ウェハ選択信号が、前記第２論理状態にあり、前記対象ウェハの非対象ダイに送信された前記対象ウェハ選択信号が、前記第１論理状態にある請求項４に記載の半導体積層ウェハ。
【請求項７】
前記対象ウェハを修復する前記修復操作が無効になっているとき、前記予備ウェハ選択信号が、前記第２論理状態にあり、前記対象ウェハのすべてのダイに送信された前記対象ウェハ選択信号が、前記第１論理状態にある請求項４に記載の半導体積層ウェハ。
【請求項８】
前記ダイのそれぞれが、複数の疑似チャネルを含み、
前記対象ウェハが、疑似チャネル単位で修復され、
前記修復操作において、前記対象ウェハの対象疑似チャネルが、前記予備ウェハ内の予備疑似チャネルに置き換えられる請求項２に記載の積層ウェハ。
【請求項９】
前記入力信号が、ランク選択信号、バンク選択信号、および行選択信号を含み、
前記修復情報信号が、対象ウェハ選択信号、予備ウェハ選択信号、疑似チャネル選択信号、予備疑似チャネル選択信号、前記バンク選択信号、および前記行選択信号を含み、
前記疑似チャネル選択信号が、前記対象ウェハの前記対象ダイの前記対象疑似チャネルを選択して前記修復操作を行うように構成され、前記予備疑似チャネル選択信号が、前記対象疑似チャネルに対応する予備疑似チャネルを選択するように構成された請求項８に記載の半導体積層ウェハ。
【請求項１０】
前記修復情報ブロックが、前記対象ウェハ選択信号および前記疑似チャネル選択信号を前記ウェハのダイに送信し、
前記修復情報ブロックが、前記予備ウェハ選択信号および前記予備疑似チャネル選択信号を前記予備ウェハの予備ダイに送信し、
前記修復情報ブロックが、前記バンク選択信号および前記行選択信号を前記ウェハの前記ダイおよび前記予備ウェハの前記予備ダイに送信する請求項９に記載の半導体積層ウェハ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスに関するものであり、特に、半導体積層ウェハの歩留まりを改善することのできる修復スキームを備えた半導体積層ウェハに関するものである。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
複数の半導体ウェハを含む積層ウェハが開発され、高帯域幅および大容量のメモリデバイスを製造するために使用されている。積層ウェハは、複数の半導体ウェハを１つに積層することによって形成することができる。しかしながら、ウェハの数が増えるにつれ、積層ウェハの歩留まりが急激に降下する。
【０００３】
積層ウェハの歩留まりを改善するための新しい技術が望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウェハの数が増えるにつれ、積層ウェハの歩留まりが急激に降下する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
いくつかの実施形態において、半導体積層ウェハは、複数のウェハ、予備ウェハ、および修復情報ブロックを含む。各ウェハは、複数のダイを含むことができ、ウェハは、ロジックウェハおよび対象ウェハを含むことができる。予備ウェハは、修復イネーブル信号および修復情報信号に基づいて、ウェハの中の対象ウェハを修復するように構成される。修復情報ブロックは、予備ウェハまたはロジックウェハ内に位置し、修復情報ブロックは、入力信号を入力し、入力信号に基づいて、修復イネーブル信号および修復情報信号を出力する。
【０００６】
いくつかの実施形態によれば、半導体積層ウェハは、複数のウェハ、予備ウェハ、および修復情報ブロックを含む。各ウェハは、複数のダイを含み、ウェハは、ロジックウェハおよび対象ウェハを含む。ウェハの各ダイは、複数の入出力（ＩＯ）セグメントを含む。予備ウェハは、修復情報信号に基づいて、ウェハの中の対象ウェハを修復するように構成される。予備ウェハは、複数の予備ダイを含み、各予備ダイは、ウェハの各ダイのＩＯセグメントに対応する複数の予備ＩＯセグメントを含む。修復情報ブロックは、予備ウェハまたはロジックウェハ内に位置し、修復情報ブロックは、入力信号を入力し、修復情報信号を生成する。対象ウェハは、ＩＯセグメント単位で修復され、修復操作において、対象ウェハ内の対象ＩＯセグメントは、予備ウェハ内の予備ＩＯセグメントに置き換えられる。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、予備ウェハを半導体積層ウェハに追加することによって、ウェハ積層の歩留まりが改善される。半導体積層ウェハの中の対象ウェハをダイ単位、疑似チャネル単位、メモリバンク単位、またはメモリ行単位で修復することができるため、本発明の修復スキームは、幅広い製品において効果的かつ柔軟に適用することができる。また、提案する修復スキームを使用して、半導体積層ウェハの対象ウェハのＩＯセグメント（または、ＩＯ単位）を修復することができる。したがって、修復スキームの柔軟性がさらに改善される。
【発明の効果】
【０００８】
ウェハ積層の歩留まりが改善され、修復スキームの柔軟性がさらに改善される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
いくつかの実施形態に係る半導体積層ウェハの概略図である。
いくつかの実施形態に係る半導体積層ウェハの複数のメモリダイを積層することによって形成されたメモリデバイスの概略図である。
いくつかの実施形態に係る対象ウェハの対象ダイを修復するための修復情報ブロックの概略図である。
いくつかの実施形態に係る対象ダイを修復するための半導体積層ウェハにおける信号の波形図である。
いくつかの実施形態に係る対象ダイを修復するための半導体積層ウェハにおける信号の波形図である。
いくつかの実施形態に係る対象ウェハの対象疑似チャネル、対象メモリバンク、または対象行を修復するための修復情報ブロックの概略図である。
いくつかの実施形態に係る対象疑似チャネル、対象バンク、または対象行を修復するための半導体積層ウェハにおける信号の波形図を示したものである。
いくつかの実施形態に係る対象疑似チャネル、対象バンク、または対象行を修復するための半導体積層ウェハにおける信号の波形図を示したものである。
いくつかの実施形態に係る対象ウェハ内の対象列を修復するための修復情報ブロックの概略図である。
いくつかの実施形態に係る対象列を修復するための半導体積層ウェハにおける信号の波形図である。
いくつかの実施形態に係る対象列を修復するための半導体積層ウェハにおける信号の波形図である。
いくつかの実施形態に係る半導体積層ウェハのメモリバンクにおけるＩＯセグメントの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
添付の図面を例として、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。可能な限り、図面および説明において同一の参照番号を使用し、同一の、または類似する部品を参照する。
（【００１１】以降は省略されています）

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