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公開番号2025166440
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-06
出願番号2024070499
出願日2024-04-24
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人クレザス株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251029BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】作業者の安全性の確保、環境負荷の低減を図りつつ、製造コストの高騰を招くことなく、パーティクルや金属汚染を一層確実に除去する。
【解決手段】半導体装置を構成する半導体基板を洗浄するときに、3室型電解装置における中間槽に塩化カリウム水溶液を貯留した状態において3室型電解装置における陰極槽および陽極槽に純水をそれぞれ供給しつつ電気分解処理を実行することにより、陰極槽においてpH11～14の範囲内の強アルカリ性洗浄水を生成すると共に、陽極槽においてpH1～3の範囲内の強酸性洗浄水を生成する第1工程(ステップS1)と、強アルカリ性洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する第2工程(ステップS2)と、純水を用いて半導体基板を洗浄する第3工程(ステップS3)と、強酸性洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する第4工程(ステップS4)と、純水を用いて半導体基板を洗浄する第5工程(ステップS5)とをこの順で実行する
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置の製造時に当該半導体装置を構成する半導体基板を洗浄するときに、
３室型電解装置における中間槽に塩化カリウム水溶液を貯留した状態において当該３室型電解装置における陰極槽および陽極槽に純水をそれぞれ供給しつつ電気分解処理を実行することにより、前記陰極槽においてｐＨ１１～１４の範囲内の強アルカリ性洗浄水を生成すると共に、前記陽極槽においてｐＨ１～３の範囲内の強酸性洗浄水を生成する第１工程と、
前記強アルカリ性洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する第２工程と、
純水を用いて前記半導体基板を洗浄する第３工程と、
前記強酸性洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する第４工程と、
純水を用いて前記半導体基板を洗浄する第５工程とをこの順で実行する半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 180 文字）【請求項２】
前記第２工程、前記第３工程、前記第４工程および前記第５工程において枚葉式洗浄機を使用して前記半導体基板を洗浄する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程、前記第３工程、前記第４工程および前記第５工程において浸漬式洗浄機を使用して前記半導体基板を洗浄する請求項１記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスター、キャパシタ、メモリーカード、センサーおよび撮像素子などの半導体装置の製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置の製造方法として、出願人は、強アルカリ性の洗浄液を使用して半導体基板を洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法を下記の特許文献に開示している。
【０００３】
具体的には、出願人が開示している製造方法では、まず、アノード電極が配設されると共に電解質溶液が充填された第１槽と、カソード電極が配設されると共に超純水を流入させる第１配管および電解還元水を流出させる第２配管が接続された第２槽とを備えると共に、第１槽と第２槽との間に陽イオン交換膜が配設された電解処理槽を使用して、アノード電極とカソード電極との間に直流電源によって電圧を印加することで、第２槽に流入させた超純水から電解還元水を生成する。次いで、生成した電解還元水を洗浄液として使用して、枚葉式洗浄機、または浸漬式洗浄機によって半導体基板を洗浄する。これにより、半導体基板の表面からパーティクルや金属汚染が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６３１７５８０号公報（第３－５頁、第１－３図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、出願人が開示している半導体装置の製造方法には、以下のような改善すべき課題が存在する。
【０００６】
具体的には、出願人が開示している製造方法では、２槽型の電解処理装置を使用して電解処理によって生成した強アルカリ性の電解還元水を洗浄液として使用し、枚葉式洗浄機、または浸漬式洗浄機によって半導体基板を洗浄することで半導体基板の表面からパーティクルや金属汚染を除去することを特徴としている。これにより、出願人が開示している製造方法では、例えば、ＲＣＡ洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する製造方法とは異なり、洗浄時に大量の有毒ガスが発生しないため、この有毒ガスの除去（処理）が不要となり、また、洗浄後の廃液（洗浄液）の処理に要する処理費用を十分に低減することが可能となった。
【０００７】
しかしながら、洗浄工程の前に実施した処理工程の内容や処理環境によっては、洗浄対象の半導体基板に生じる金属汚染の度合いが高くなり、これを上記の製造方法によって好適に除去するのが困難となることがある。この場合、上記の製造方法において使用している強アルカリ性の洗浄液とは別に、金属汚染の除去に適した洗浄液を用意して洗浄することも可能であるが、その場合には、別個の２種類の洗浄液を用意することに起因して半導体装置の製造コスト（半導体基板の洗浄に要するコスト）が高騰する。また、使用する洗浄液の種類によっては、環境破壊を招くことのないように廃液を処理するのに要する処理コストや、作業者の安全性が損なわれることのないように有毒ガスを除去するための処理コストが高騰し、半導体装置の製造コストの低減が困難となるおそれがある。
【０００８】
本願発明は、これらの課題に鑑みて成されたものであり、作業者の安全性の確保、環境負荷の低減を図りつつ、製造コストの高騰を招くことなく半導体基板の表面からパーティクルや金属汚染を一層確実に除去し得る半導体装置の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、請求項１記載の半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造時に当該半導体装置を構成する半導体基板を洗浄するときに、３室型電解装置における中間槽に塩化カリウム水溶液を貯留した状態において当該３室型電解装置における陰極槽および陽極槽に純水をそれぞれ供給しつつ電気分解処理を実行することにより、前記陰極槽においてｐＨ１１～１４の範囲内の強アルカリ性洗浄水を生成すると共に、前記陽極槽においてｐＨ１～３の範囲内の強酸性洗浄水を生成する第１工程と、前記強アルカリ性洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する第２工程と、純水を用いて前記半導体基板を洗浄する第３工程と、前記強酸性洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する第４工程と、純水を用いて前記半導体基板を洗浄する第５工程とをこの順で実行する。
【００１０】
請求項２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２工程、前記第３工程、前記第４工程および前記第５工程において枚葉式洗浄機を使用して前記半導体基板を洗浄する。
（【００１１】以降は省略されています）

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