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公開番号2025164900
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-30
出願番号2025142967,2021150703
出願日2025-08-29,2021-09-16
発明の名称セラミック電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人弁理士法人片山特許事務所
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251023BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】性能低下を抑制することができるセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品は、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層チップを備え、前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記誘電体層と前記内部電極層との積層方向の異なる位置に、前記内部電極層の主成分金属とは異なる2種類以上の金属の濃度ピークが存在し、前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記内部電極層の界面から前記2種類以上の金属のうちの第1金属の濃度ピークまでの間隔は、前記第1金属の原子半径以上、2nm以下である。
【選択図】図5

特許請求の範囲【請求項１】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層チップを備え、
前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記誘電体層と前記内部電極層との積層方向の異なる位置に、前記内部電極層の主成分金属とは異なる２種類以上の金属の濃度ピークが存在し、
前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記内部電極層の界面から前記２種類以上の金属のうちの第１金属の濃度ピークまでの間隔は、前記第１金属の原子半径以上、２ｎｍ以下であることを特徴とするセラミック電子部品。
続きを表示（約 930 文字）【請求項２】
前記誘電体層と前記内部電極層との間は、前記内部電極層から前記誘電体層に向かって成分元素濃度を測定した場合に、前記内部電極層の主成分金属の濃度の微分値の最小値から、前記誘電体層の主成分セラミックの構成金属の濃度の微分値の最大値までの区間であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記誘電体層の厚みは、０．６μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記内部電極層の界面から前記２種類以上の金属のうちの第１金属の濃度ピークまでの間隔は、０．１ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記第１金属の濃度ピークから、前記２種類以上の金属のうちの第２金属の濃度ピークまでの間隔は、０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記第２金属の濃度ピークから前記誘電体層の界面までの間隔は、０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記内部電極層の主成分金属は、Ｎｉであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
前記誘電体層は、チタン酸バリウムを含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記２種類以上の金属の濃度ピークは、ＡｕおよびＳｎの濃度ピークを含むことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
前記２種類以上の金属は、少なくともＴａまたはＴｉを含む、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品についても、さらなる小型化が求められている。基本特性である容量値を大きくするためには、（１）誘電体層の誘電率を大きくする、（２）容量規定面積を大きくする、（３）誘電体層を薄くする、のいずれかの手段が考えられる。誘電率と素子サイズとが既定の場合、誘電体層が薄いほど１層あたりの容量値を大きくできることに加え、誘電体層及び内部電極層を薄くすることにより、既定の厚さ内に積層する数を大きくすることが可能となるため、有利となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００３－７５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、誘電体層を薄くすると、同じ使用電圧でも誘電体層に印加される電界強度が大きくなるため、絶縁信頼性が低下するおそれがある。また、内部電極層を薄くすると、内部電極層の連続率が低下するおそれがある。このように、セラミック電子部品に、性能低下が生じるおそれがある。
【０００５】
これらに対して、内部電極層に用いる金属元素として、複数の金属元素を適切に選択することによって、セラミック電子部品の性能低下を抑制することができる。しかしながら、単純に複数の金属元素を内部電極層に含ませても、セラミック電子部品の性能低下を抑制できないおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、性能低下を抑制することができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るセラミック電子部品は、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層チップを備え、前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記誘電体層と前記内部電極層との積層方向の異なる位置に、前記内部電極層の主成分金属とは異なる２種類以上の金属の濃度ピークが存在することを特徴とする。
【０００８】
上記セラミック電子部品において、前記誘電体層と前記内部電極層との間は、前記内部電極層から前記誘電体層に向かって成分元素濃度を測定した場合に、前記内部電極層の主成分金属の濃度の微分値の最小値から、前記誘電体層の主成分セラミックの構成金属の濃度の微分値の最大値までの区間であってもよい。
【０００９】
上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の厚みは、０．６μｍ以下であってもよい。
【００１０】
上記セラミック電子部品の前記誘電体層と前記内部電極層との間において、前記内部電極層の界面から前記２種類以上の金属のうちの第１金属の濃度ピークまでの間隔は、０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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