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公開番号2025167976
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-07
出願番号2024073033
出願日2024-04-26
発明の名称電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人弁理士法人片山特許事務所
主分類H03H 9/25 20060101AFI20251030BHJP(基本電子回路)
要約【課題】デバイスの信頼性の低下を抑制することが可能な電子デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイス100は、基板10と、基板10上に設けられた弾性波素子50と、平面視において弾性波素子50を囲んで基板10上に設けられ、はんだにより形成され、平面視において第1接合部35と第1接合部35とは構成元素または組成比が異なる第2接合部36とを有する環状接合層32と、基板10とで空隙22を挟んで環状接合層32に接合され、空隙22内に弾性波素子50を封止するリッド40とを備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた機能素子と、
平面視において前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられ、はんだにより形成され、前記平面視において第１接合部と前記第１接合部とは構成元素または組成比が異なる第２接合部とを有する環状接合層と、
前記基板とで空隙を挟んで前記環状接合層に接合され、前記空隙内に前記機能素子を封止するリッドと、を備える電子デバイス。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記第１接合部は前記第２接合部より融点が低く、
前記平面視において前記第１接合部の面積は前記第２接合部の面積より大きい、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２接合部は前記第１接合部よりヤング率が大きく、
前記平面視において前記第２接合部の面積は前記第１接合部の面積より大きい、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記空隙内において前記基板と前記リッドとの間に設けられ、接合層を有する柱状体を備え、
前記接合層および前記第２接合部は前記第１接合部よりヤング率が大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第１接合部は金錫であり、前記第２接合部は前記第１接合部とは組成比が異なる金錫である、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
基板上に機能素子を形成する工程と、
前記基板上またはリッド上に、第１接合部と前記第１接合部より融点が高くかつ厚い第２接合部とを有する環状接合層を形成する工程と、
前記第１接合部および前記第２接合部を前記第１接合部の融点以上かつ前記第２接合部の融点未満の第１温度に加熱し、前記リッドと前記第１接合部の間または前記基板と前記第１接合部の間に空隙が形成されるように前記リッドまたは前記基板を前記第２接合部に当接させる工程と、
前記当接させる工程の後、前記第１接合部および前記第２接合部を前記第２接合部の融点以上の第２温度に加熱して前記リッドまたは前記基板を前記第１接合部および前記第２接合部に接合し、前記基板と前記リッドとの間の空隙内に前記機能素子を封止する工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
基板とキャップ又はリッドとの間の空隙内に機能素子を封止した電子デバイスが知られている（例えば特許文献１から４）。基板とキャップ又はリッドとを接合するときに、ガスが空隙内に残留するとデバイスの信頼性が低下する。そこで、空隙内のガスを外部に放出させるために、接合層に切り込み又は凹部を設けることが知られている（例えば特許文献１から３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平６－１３２４１３号公報
特開平６－２３２２８４号公報
特開平８－２１３４９６号公報
特表２００７－５１６６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、デバイスの信頼性の低下を抑制する点において改善の余地が残されている。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、デバイスの信頼性の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた機能素子と、平面視において前記機能素子を囲んで前記基板上に設けられ、はんだにより形成され、前記平面視において第１接合部と前記第１接合部とは構成元素または組成比が異なる第２接合部とを有する環状接合層と、前記基板とで空隙を挟んで前記環状接合層に接合され、前記空隙内に前記機能素子を封止するリッドと、を備える電子デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記第１接合部は前記第２接合部より融点が低く、前記平面視において前記第１接合部の面積は前記第２接合部の面積より大きい構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２接合部は前記第１接合部よりヤング率が大きく、前記平面視において前記第２接合部の面積は前記第１接合部の面積より大きい構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記空隙内において前記基板と前記リッドとの間に設けられ、接合層を有する柱状体を備え、前記接合層および前記第２接合部は前記第１接合部よりヤング率が大きい構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１接合部は金錫であり、前記第２接合部は前記第１接合部とは組成比が異なる金錫である構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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