特許ウォッチ

公開番号2025161482
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2024064696
出願日2024-04-12
発明の名称基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ記憶媒体
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20251017BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】金属含有レジストの良好なパターンを得る。
【解決手段】金属含有レジストの被膜が形成され露光処理及び前記露光処理後の加熱処理が施された基板を現像する工程を含み、前記現像する工程は、弱酸のガス及びミストのうちの少なくともいずれか一方を含有する雰囲気である酸雰囲気に、前記基板を加熱しながら暴露する工程を含む、基板処理方法である。
【選択図】図5

特許請求の範囲【請求項１】
金属含有レジストの被膜が形成され露光処理及び前記露光処理後の加熱処理が施された基板を現像する工程を含み、
前記現像する工程は、弱酸のガス及びミストのうちの少なくともいずれか一方を含有する雰囲気である酸雰囲気に、前記基板を加熱しながら暴露する工程を含む、基板処理方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記弱酸は、常温で前記金属含有レジストの現像が進行しない酸の強さを有する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記現像する工程は、前記基板の周囲の雰囲気を前記酸雰囲気から不活性ガスの雰囲気に置換する工程を間に挟みながら、前記加熱しながら暴露する工程を複数回行う、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を現像する現像ユニットと、
制御部と、を備え、
前記現像ユニットは、
基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内の前記基板を加熱する熱板と、
前記チャンバ内に弱酸のガス及びミストのうちの少なくともいずれか一方を吐出するガス吐出部と、を有し、
前記制御部は、金属含有レジストの被膜が形成され露光処理及び前記露光処理後の加熱処理が施された前記基板を現像する工程を、当該基板処理装置が実行するよう、制御を行い、
前記現像する工程は、前記弱酸のガス及びミストのうちの少なくともいずれか一方を含有する雰囲気である酸雰囲気に、前記露光処理後の加熱処理が施された前記基板を、加熱しながら暴露する工程を含む、基板処理装置。
【請求項５】
前記弱酸は、常温で前記金属含有レジストの現像が進行しない酸の強さを有する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記現像ユニットは、前記チャンバ内に不活性ガスを吐出する他のガス吐出部をさらに有し、
前記現像する工程は、前記基板の周囲の雰囲気を前記酸雰囲気から不活性ガスの雰囲気に置換する工程を間に挟みながら、前記加熱しながら暴露する工程を複数回行う、請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、金属含有レジストの被膜が形成され露光処理及び前記露光処理後の加熱処理が施された基板を現像する工程を含み、
前記現像する工程は、弱酸のガス及びミストのうちの少なくともいずれか一方を含有する雰囲気である酸雰囲気に、前記基板を加熱しながら暴露する工程を含む、コンピュータ記憶媒体。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ記憶媒体に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板の現像処理を行う現像方法であって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された前記基板に有機溶剤を含む現像液を供給する工程を含む方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－９６０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、金属含有レジストの良好なパターンを得る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、金属含有レジストの被膜が形成され露光処理及び前記露光処理後の加熱処理が施された基板を現像する工程を含み、前記現像する工程は、弱酸のガス及びミストのうちの少なくともいずれか一方を含有する雰囲気である酸雰囲気に、前記基板を加熱しながら暴露する工程を含む、基板処理方法である。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、金属含有レジストの良好なパターンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す正面図である。
現像ユニットの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
上チャンバの構成の概略を模式的に示す下面図である。
処理シーケンスの例１の主な工程を示すフローチャートである。
図３の現像ユニットの動作を示す説明図である。
金属含有レジストのピラーパターンを形成するための現像を行った時の結果を示す図である。
金属含有レジストのピラーパターンを形成するための現像を行った時の結果を示す図である。
金属含有レジストのピラーパターンを形成するための現像を行った時の結果を示す図である。
金属含有レジストのラインアンドスペースパターンを形成するための現像を行った時の結果を示す図である。
金属含有レジストのラインアンドスペースパターンを形成するための現像を行った時の結果を示す図である。
金属含有レジストのラインアンドスペースパターンを形成するための現像を行った時の結果を示す図である。
金属含有レジストのラインアンドスペースパターンをマスクとしたエッチングの結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上に所望のレジストのパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、基板上にレジスト液を供給しレジストの被膜（以下、レジスト膜）を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンで露光する露光処理、露光されたレジスト膜内の化学反応を促進させること等を目的として露光後に基板を加熱するＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理、露光処理後の基板を現像しレジストのパターンを形成する現像処理等が含まれる。
【０００９】
上述の現像処理では、例えば基板上に現像液が供給され、基板表面上に現像液の液膜が形成されて、基板が現像される。また、この場合、その後に基板上に純水等の洗浄液が供給され、基板が高速回転されて洗浄されることもある。
【００１０】
ところで、近年、露光技術等の進歩により半導体デバイスの微細化すなわちレジストパターンの微細化が一層進行している。微細なレジストパターンでは、上述の現像処理の際に現像液や洗浄液が基板上に残ると問題が生じることがある。例えば、パターン間に現像液や洗浄液が残ったときに、この残った現像液や洗浄液の表面張力により、いわゆるパターン倒れが発生することがある。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許