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公開番号2025145379
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-03
出願番号2024045524
出願日2024-03-21
発明の名称配線基板の製造方法
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20250926BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】配線基板の製造における歩留まりの向上。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、支持基板SP上に第1絶縁層11および第1導体層12を含む第1ビルドアップ部10を形成することと、第1ビルドアップ部10上に第2絶縁層21および第2導体層22を含む第2ビルドアップ部20を形成する工程と、を含んでいる。第1導体層12の形成は第1金属膜層121上に第1レジストパターンを形成することを含み、第1導体層12および第2導体層22は、第1導体層11における配線FWの幅の最小値が第2導体層22における配線の幅の最小値より小さく、第1導体層12における配線の間隔の最小値が第2導体層22における配線の間隔の最小値よりも小さいように形成され、第1金属膜層121を形成することは第1絶縁層11上にスパッタ膜を形成することを含み、第1レジストパターンはダイレクトイメージング露光によって形成される。
【選択図】図2P
特許請求の範囲【請求項１】
１または複数の製品エリアを備える支持基板上に、前記１または複数の製品エリアに亘って第１導体層および第１絶縁層を交互に積層することにより、第１ビルドアップ部を形成することと、
前記第１ビルドアップ部の前記支持基板と反対側に、第２導体層および第２絶縁層を交互に積層することにより、第２ビルドアップ部を形成することと、
を含む、配線基板の製造方法であって、
前記第１導体層を積層することは、前記第１絶縁層上に第１金属膜層を形成することと、前記第１金属膜層上に第１レジストパターンを有する第１レジスト層を形成することと、前記第１金属膜層を給電層として前記第１レジストパターンに従う第１めっき膜層を形成することと、を含み、
前記第１導体層および前記第２導体層は、前記第１導体層に含まれる配線における配線幅の最小値が前記第２導体層に含まれる配線における配線幅の最小値より小さく、前記第１導体層に含まれる配線における配線間隔の最小値が前記第２導体層に含まれる配線における配線間隔の最小値よりも小さいように形成され、
前記第１金属膜層を形成することは、スパッタリングにより前記第１絶縁層上にスパッタ膜を形成することを含み、
前記第１レジストパターンを有する第１レジスト層を形成することは、ダイレクトイメージング露光によって前記第１レジスト層を露光することを含む。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記スパッタ膜を形成することは、前記第１絶縁層に接する下層を形成することと、前記下層を被覆する上層を形成することと、を含む。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板の製造方法であって、前記下層を形成することは銅の含有量が９０ｗｔ％以上である銅合金の膜をスパッタリングにより形成することを含み、前記上層を形成することは銅の膜をスパッタリングにより形成することを含む。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２導体層を積層することは、前記第２絶縁層上に無電解めっきにより第２金属膜層を形成することと、前記第２金属膜層上に第２レジストパターンを有する第２レジスト層を形成することと、前記第２金属膜層を給電層として前記第２レジストパターンに従う第２めっき膜層を形成することと、を含み、
前記第２レジストパターンを有する第２レジスト層を形成することは、フォトマスクを使用して第２レジスト層を露光することを含む。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、各前記製品エリアの形状は、平面視において各辺の寸法が８０ｍｍ以上、かつ、２４０ｍｍ以下の矩形である。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記支持基板の表面の平面度は、±２．５μｍ以下である。
【請求項７】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記支持基板が、ガラス基板、シリコン基板、メタル基板、セラミックス基板のいずれかから選ばれる。
【請求項８】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１導体層は、アスペクト比が２．０以上、かつ、４．０以下の配線を含むように形成される。
【請求項９】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１導体層を積層することは、前記第１導体層に含まれる配線における配線幅の最小値を２μｍ以下、配線における配線間隔の最小値を２μｍ以下に形成することを含む。
【請求項１０】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第２ビルドアップ部の前記第１ビルドアップ部と反対側に、第３絶縁層および第３導体層を交互に積層することにより第３ビルドアップ部を形成する工程をさらに含んでいる。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第二配線基板と第一配線基板とを備える配線基板の製造方法が開示されている。第一配線基板は支持基板上への絶縁樹脂および配線層の積層によって形成される。第二配線基板は第一配線基板と別に製造され、第一配線基板と第二配線基板とが接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－４９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線基板の製造方法では、比較的微細な配線層がレジストパターンに従う配線パターンに形成される第一配線基板と第二配線基板とはバンプを介して接合される必要があり、第一配線基板と第二配線基板との間には絶縁樹脂が充填される必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板の製造方法は、１または複数の製品エリアを備える支持基板上に、前記１または複数の製品エリアに亘って第１導体層および第１絶縁層を交互に積層することにより、第１ビルドアップ部を形成することと、前記第１ビルドアップ部の前記支持基板と反対側に、第２導体層および第２絶縁層を交互に積層することにより、第２ビルドアップ部を形成することと、を含んでいる。前記第１導体層を積層することは、前記第１絶縁層上に第１金属膜層を形成することと、前記第１金属膜層上に第１レジストパターンを有する第１レジスト層を形成することと、前記第１金属膜層を給電層として前記第１レジストパターンに従う第１めっき膜層を形成することと、を含み、前記第１導体層および前記第２導体層は、前記第１導体層に含まれる配線における配線幅の最小値が前記第２導体層に含まれる配線における配線幅の最小値より小さく、前記第１導体層に含まれる配線における配線間隔の最小値が前記第２導体層に含まれる配線における配線間隔の最小値よりも小さいように形成され、前記第１金属膜層を形成することは、スパッタリングにより前記第１絶縁層上にスパッタ膜を形成することを含み、前記第１レジストパターンを有する第１レジスト層を形成することは、ダイレクトイメージング露光によって前記第１レジスト層を露光することを含む。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、精密に形成された配線を含む第１ビルドアップ部と、第１ビルドアップ部とは配線密度の異なる第２ビルドアップ部とを含む配線基板が、歩留まりよく提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の一実施形態の製造方法で製造される配線基板の一例を示す断面図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
一実施形態の配線基板の製造方法が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の製造方法によって製造される配線基板の一例である配線基板１を示す断面図である。なお、配線基板１は製造される配線基板の一例に過ぎない。製造される配線基板の積層構造、ならびに、導体層および絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、ならびに配線基板１に含まれる導体層および絶縁層それぞれの数に限定されない。また、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。
【０００９】
配線基板１は、交互に積層された複数の導体層および絶縁層によってそれぞれ構成される第１ビルドアップ部１０および第２ビルドアップ部２０を含む積層構造を有している。図１に示されるように、配線基板１は、第２ビルドアップ部２０の第１ビルドアップ部１０側と反対側に、絶縁層およびその上に積層された導体層から構成される第３ビルドアップ部３０をさらに含んでいてもよい。配線基板１は、その厚さ方向と直交する２つの表面（第１面１Ｆおよび第１面１Ｆと反対側の第２面１Ｂ）を有している。図１に示されるように、第１ビルドアップ部１０の表面（第１面１０Ｆ）が第１面１Ｆを構成している。配線基板１が第３ビルドアップ部３０を有する場合、第２面１Ｂは、第３ビルドアップ部３０の表面（第２面３０Ｂ）により構成され得る。なお、第３ビルドアップ部３０が形成されず、配線基板が第１ビルドアップ部１０および第２ビルドアップ部２０によって構成される場合、第２面１Ｂは、第２ビルドアップ部２０の表面（第２面２０Ｂ）により構成され得る。配線基板１は、コア層を含まないコアレス配線基板として形成されている。
【００１０】
第１ビルドアップ部１０は比較的微細な配線を含んでおり、比較的密度の高い回路配線を有し得る。図１の例では、第１ビルドアップ部１０は、交互に積層される絶縁層（第１絶縁層）１１と導体層（第１導体層）１２とを有している。一層の第１絶縁層１１を挟んで対向する導体層１２同士はビア導体（第１ビア導体）１３によって接続されている。第１導体層１２は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆは、第１導体層１２の表面（上面）および導体層１２のパターンから露出する第１絶縁層１１の表面（上面）によって構成されている。図示の例では、第１面１０Ｆを構成する導体層１２は複数の導体パッド１２ｐを有するパターンに形成されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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