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公開番号2025140083
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2024039254
出願日2024-03-13
発明の名称半導体用接着剤フィルム及びその製造方法、並びに、半導体パッケージ
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C09J 7/30 20180101AFI20250919BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】半導体パッケージ内部におけるホットスポットの発生抑制に資する、半導体用接着剤フィルムを提供すること。
【解決手段】平板状熱伝導性フィラーとメソゲン化合物とを含有する、半導体用接着剤フィルム。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
平板状熱伝導性フィラーとメソゲン化合物とを含有する、半導体用接着剤フィルム。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記平板状熱伝導性フィラーの平面アスペクト比が１．２以上である、請求項１に記載の半導体用接着剤フィルム。
【請求項３】
前記平板状熱伝導性フィラーが六方晶窒化ホウ素を含む、請求項１に記載の半導体用接着剤フィルム。
【請求項４】
熱硬化性を有する、請求項１に記載の半導体用接着剤フィルム。
【請求項５】
多層構造を有し、当該多層構造を構成する少なくとも一層が前記平板状熱伝導性フィラーと前記メソゲン化合物とを含有する、請求項１に記載の半導体用接着剤フィルム。
【請求項６】
第一のフィラーと第一のメソゲン化合物とを含有する第一の層と、
第二のフィラーと第二のメソゲン化合物とを含有する第二の層と、を有し、
前記第一のフィラー及び前記第二のフィラーが、１．２以上の平面アスペクト比を有する平板状熱伝導性フィラーであり、
前記接着剤フィルムの主面に平行な方向のうち、前記第一の層の熱伝導率が最も高くなる方向と前記第二の層の熱伝導率が最も高くなる方向とのなす角度が８０～１００°である、請求項５に記載の半導体用接着剤フィルム。
【請求項７】
平板状熱伝導性フィラーとメソゲン化合物とを含有する組成物を基材上に塗布し、前記平板状熱伝導性フィラーと前記メソゲン化合物とを含有する層を形成することを含む、半導体用接着剤フィルムの製造方法。
【請求項８】
第一のフィラーと第一のメソゲン化合物とを含有する第一の組成物を基材上に塗布し、前記第一のフィラーと前記第一のメソゲン化合物とを含有する第一の層を形成することと、
第二のフィラーと第二のメソゲン化合物とを含有する第二の組成物を基材上に塗布し、前記第二のフィラーと前記第二のメソゲン化合物とを含有する第二の層を形成することと、
前記第一の層と前記第二の層とを積層することと、を含み、
前記第一のフィラー及び前記第二のフィラーが、１．２以上の平面アスペクト比を有する平板状熱伝導性フィラーであり、
前記第一の組成物の塗布方向と前記第二の組成物の塗布方向とのなす角度が８０～１００°となるように、前記第一の層と前記第二の層とを積層する、請求項７に記載の半導体用接着剤フィルムの製造方法。
【請求項９】
第一接続部を有する半導体チップと、前記第一接続部と電気的に接続された第二接続部を有する基体と、前記半導体チップと前記基体とを接着するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を充填する封止部と、を備え、
前記封止部が、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体用接着剤フィルムから形成されている、半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記封止部が層状のナノボイド集合領域を含む、請求項９に記載の半導体パッケージ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体用接着剤フィルム及びその製造方法、並びに、半導体パッケージに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ（以下、単に「パッケージ」ともいう。）の製造には、半導体チップと基板とを、金ワイヤ等の金属細線を用いて接続するワイヤーボンディング方式が適用されていた。一方、パッケージに対する高機能化、高集積化、高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板とを直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。
【０００３】
例えば、半導体チップ及び基板間の接続に関して、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）、ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）等に用いられているＣＯＢ（ＣｈｉｐＯｎＢｏａｒｄ）型の接続方式もＦＣ接続方式に該当する。また、ＦＣ接続方式は、半導体チップ上に接続部（例えば、バンプ及び配線）を形成して、半導体チップ間を接続するＣＯＣ（ＣｈｉｐＯｎＣｈｉｐ）型の接続方式にも用いられている。
【０００４】
また、さらなる小型化、薄型化、高機能化が要求されるパッケージでは、上述した接続方式を用いてチップを積層し多段化した、チップスタック型パッケージ、ＰＯＰ（ＰａｃｋａｇｅＯｎＰａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－ＳｉｌｉｃｏｎＶｉａ）等も普及し始めている。このような積層・多段化技術は、半導体チップ等の接続部材を三次元的に配置することから、当該接続部材を二次元的に配置する手法と比較してパッケージを小さくできる。また、半導体の性能向上、ノイズ低減、実装面積の削減、省電力化にも有効であることから、次世代の半導体配線技術として注目されている。
【０００５】
また、生産性向上の観点から、半導体ウエハ上に半導体チップを圧着（接続）した後に個片化してパッケージを作製するＣＯＷ（ＣｈｉｐＯｎＷａｆｅｒ）も注目されている。同様の観点から、半導体ウエハ上又はマップ基板上に複数の半導体チップを位置合わせして仮圧着した後、これら複数の半導体チップを一括で本圧着して接続を確保するギャングボンディング方式も注目されている。
【０００６】
上記のような半導体チップ等の接続部材同士の接続には、フィルム状の接着剤（以下、「接着剤フィルム」という。）が使用されることがある（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００８－２９４３８２号公報
【非特許文献】
【０００８】
ＡＣＳＮａｎｏ２０１９，１３，３３７－３４５．
Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＯＬＹＭ．ＳＣＩ．２０１４，１３１，３９７６８．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、上記方式で製造されるパッケージの高機能化及び高集積化が進んでおり、層間のギャップ及び配線間のピッチが狭くなってきている。これに伴い、パッケージの発熱量も大きくなっており、パッケージ内部（特に接続部材間）において、ホットスポットと呼ばれる局所的な高温領域が発生しやすくなっている。ホットスポットの発生は、接続部材が誤作動を起こす原因となり得ることから、ホットスポットを発生させないことが望ましい。
【００１０】
そこで、本開示の一側面は、半導体パッケージ内部におけるホットスポットの発生抑制に資する、半導体用接着剤フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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