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公開番号2025104854
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2023222999
出願日2023-12-28
発明の名称フレーム、マスク装置
出願人TOPPANホールディングス株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C23C 14/04 20060101AFI20250703BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】マスクに貼り合わせて用いられ、スパッタリングにより、直線性に優れる電極パターンを形成することができるフレーム、およびそのフレームを備えたマスク装置を提供する。
【解決手段】平面視にて外形が矩形状のフレームであって、前記フレームの4つの隅部にて、前記フレームの各辺部の長さ方向の中心線同士が交わる4つの交点を設定し、前記フレームを平坦面上に配置して、前記4つの交点、前記4つの交点のうち前記フレームの同一の辺部上にある2つの交点の中間点である第1の中間点、および前記交点と前記第1の中間点の中間点である第2の中間点にて、前記平坦面からの高さZ1を測定し、前記4つの交点および前記第1の中間点および前記第2の中間点のうち、前記高さZ1が最も小さい点を基準点(ゼロ)とした場合、前記交点の高さZ1の最大値と最小値の差が25μm以下である、フレーム。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
平面視にて外形が矩形状のフレームであって、
前記フレームの４つの隅部にて、前記フレームの各辺部の長さ方向の中心線同士が交わる４つの交点を設定し、前記フレームを平坦面上に配置して、前記４つの交点、前記４つの交点のうち前記フレームの同一の辺部上にある２つの交点の中間点である第１の中間点、および前記交点と前記第１の中間点の中間点である第２の中間点にて、平坦面からの高さＺ１を測定し、前記４つの交点および前記第１の中間点および前記第２の中間点のうち、前記高さＺ１が最も小さい点を基準点（ゼロ）とした場合、前記交点の高さＺ１の最大値と最小値の差が２５μｍ以下である、フレーム。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記４つの交点のうち前記フレームの同一の辺部上にある２つの交点の高さＺ１の差が２５μｍ以下である、請求項１に記載のフレーム。
【請求項３】
前記フレームの同一の辺部上にある、前記交点の高さＺ１、前記第１の中間点の高さＺ１および前記第２の中間点の高さＺ１の最大値と最小値の差が２５μｍ以下である、請求項１に記載のフレーム。
【請求項４】
前記４つの交点の高さＺ１の平均値が１６μｍ以下である、請求項１に記載のフレーム。
【請求項５】
請求項１～４のいずれか１項に記載のフレームと、前記フレームの一方の面に貼り合わされたマスクと、を備える、マスク装置。
【請求項６】
前記マスクが平坦面に接するように、前記マスク装置を前記平坦面上に配置して、前記平坦面からの前記マスクまでの高さＺ２を測定し、得られた高さのうち最小となる１点を基準点（ゼロ）とした場合、前記高さＺ２の平均値が３５μｍ以下である、請求項５に記載のマスク装置。
【請求項７】
前記マスクが平坦面に接するように、前記マスク装置を前記平坦面上に配置して、前記平坦面からの前記マスクまでの高さＺ２を測定した場合、前記高さＺ２の最大値と最小値の差が１００μｍ以下である、請求項５に記載のマスク装置。
【請求項８】
前記フレームおよび前記マスクのうち少なくとも一方は、ステンレス合金、鉄－ニッケル系合金、または鉄－ニッケル－コバルト系合金からなる、請求項５に記載のマスク装置。
【請求項９】
前記フレームおよび前記マスクのうち少なくとも一方は、ＳＵＳ４３０、インバー、またはスーパーインバーからなる、請求項８に記載のマスク装置。
【請求項１０】
スパッタリングによる成膜に用いられる、請求項９に記載のマスク装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレーム、およびそのフレームを備えたマスク装置に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）電極の形成方法の１つとして、スパッタリング方式が用いられている。スパッタリング方式によるＭＬＣＣ電極の形成には、所定の形状、かつ、所定の位置に電極を形成するために、複数の開口が形成された金属箔からなるマスクが用いられる。従来、ターゲットと誘電体であるグリーンシートの間にマスクを配置し、マスクを介してスパッタリングを行うことにより、グリーンシート上にターゲットの金属を積層して、ＭＬＣＣ電極を形成している。ＭＬＣＣ電極の断面形状を所定の形状にするためには、厚さが小さく、平坦なマスクを用いることが望ましいが、マスクの厚さが小さくなると、使用時にマスクが変形する懸念がある。
【０００３】
高精度のパターニングが可能な、薄い精密パターンマスクを有する蒸着マスクとしては、例えば、蒸着パターンに対応した蒸着開口部配列をもつ厚さ２０μｍ以下の精密パターンマスクが、厚さ１ｍｍ以上のフレームに固定されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００５－３０２４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、開口部の厚さとフレームの厚さが規定されている上に、実施例で平面度（理想平面からの平面性のズレ最大値の値）が記載されている。また、精密マスクパターンは、電鋳法により電鋳母型上に蒸着パターンに対応した蒸着開口部配列が形成され、フレームに固定されている。さらに、特許文献１の段落００１７には、「本発明は、有機電界発光装置の製造方法であって、上記蒸着マスクを使用して有機電界発光装置の薄膜層をパターニングすることを特徴とする。」と記載されているため、特許文献１のマスクは有機電界発光装置向け蒸着マスクである。
【０００６】
上述のように、マスクの厚さが小さくなると、使用時にマスクが変形する懸念がある。そこで、マスクを厚さが大きいフレームに貼り付けることにより、フレームおよびマスクを備えるマスク装置の強度を高めることが考えられる。しかしながら、平坦度が異なるマスクとフレームを貼り合わせた場合、マスク固有の平坦度とフレーム固有の平坦度の影響が大きくなり、スパッタリングにより形成される電極パターンの直線性に影響を及ぼすという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、マスクに貼り合わせて用いられ、スパッタリングにより、直線性に優れる電極パターンを形成することができるフレーム、およびそのフレームを備えたマスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の態様を有する。
［１］平面視にて外形が矩形状のフレームであって、
前記フレームの４つの隅部にて、前記フレームの各辺部の長さ方向の中心線同士が交わる４つの交点を設定し、前記フレームを平坦面上に配置して、前記４つの交点、前記４つの交点のうち前記フレームの同一の辺部上にある２つの交点の中間点である第１の中間点、および前記交点と前記第１の中間点の中間点である第２の中間点にて、平坦面からの高さＺ１を測定し、前記４つの交点および前記第１の中間点および前記第２の中間点のうち、前記高さＺ１が最も小さい点を基準点（ゼロ）とした場合、前記交点の高さＺ１の最大値と最小値の差が２５μｍ以下である、フレーム。
［２］前記４つの交点のうち前記フレームの同一の辺部上にある２つの交点の高さＺ１の差が２５μｍ以下である、［１］に記載のフレーム。
［３］前記フレームの同一の辺部上にある、前記交点の高さＺ１、前記第１の中間点の高さＺ１および前記第２の中間点の高さＺ１の最大値と最小値の差が２５μｍ以下である、［１］または［２］に記載のフレーム。
［４］前記４つの交点の高さＺ１の平均値が１６μｍ以下である、［１］～［３］のいずれかに記載のフレーム。
［５］［１］～［４］のいずれかに記載のフレームと、前記フレームの一方の面に貼り合わされたマスクと、を備える、マスク装置。
［６］前記マスクが平坦面に接するように、前記マスク装置を前記平坦面上に配置して、前記平坦面からの前記マスクまでの高さＺ２を測定し、得られた高さのうち最小となる１点を基準点（ゼロ）とした場合、前記高さＺ２の平均値が３５μｍ以下である、［５］に記載のマスク装置。
［７］前記マスクが平坦面に接するように、前記マスク装置を前記平坦面上に配置して、前記平坦面からの前記マスクまでの高さＺ２を測定した場合、前記高さＺ２の最大値と最小値の差が８５μｍ以下である、［５］または［６］に記載のマスク装置。
［８］前記フレームおよび前記マスクのうち少なくとも一方は、ステンレス合金、鉄－ニッケル系合金、または鉄－ニッケル－コバルト系合金からなる、［５］～［７］のいずれかに記載のマスク装置。
［９］前記フレームおよび前記マスクのうち少なくとも一方は、ＳＵＳ４３０、インバー、またはスーパーインバーからなる、［８］に記載のマスク装置。
［１０］スパッタリングによる成膜に用いられる、［９］に記載のマスク装置。
［１１］積層セラミックコンデンサの電極の形成に用いられる、［９］に記載のマスク装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、マスクに貼り合わせて用いられ、スパッタリングにより、直線性に優れる電極パターンを形成することができるフレーム、およびそのフレームを備えたマスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の一実施形態に係るフレームを模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線に沿う断面図である。
本発明の一実施形態に係るマスク装置を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。
実験例におけるマスク装置の製造方法を模式的に示す図である。
実験例におけるマスク装置の製造方法を模式的に示す図である。
実験例におけるマスク装置の製造方法を模式的に示す図である。
実験例におけるマスク装置の製造方法を模式的に示す図である。
実験例におけるマスク装置の製造方法を模式的に示す図である。
実験例におけるマスク装置の製造方法を模式的に示す図である。
実験例におけるフレームの高さの測定位置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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