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公開番号2025099150
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023215583
出願日2023-12-21
発明の名称圧力調整方法、および基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20250626BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】回転テーブルとガス供給構造との隙間を適切に調整することで、基板処理の高品質化を促すことができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理容器と、前記処理容器の内部に回転可能に設けられ、回転中心から半径方向に離れた位置で複数の基板を載置する回転テーブルと、前記回転テーブルに載置された前記複数の基板に対してガスを供給し、かつ前記回転テーブルと相対的に変位可能なガス供給構造と、を含む。この基板処理装置の圧力調整方法は、(A)圧力検出部により前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間の圧力を検出する工程と、(B)前記圧力検出部により検出した前記圧力に基づき前記ガス供給構造を変位させて、前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間を調整する工程と、を有する。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
処理容器と、
前記処理容器の内部に回転可能に設けられ、回転中心から半径方向に離れた位置で複数の基板を載置する回転テーブルと、
前記回転テーブルに載置された前記複数の基板に対してガスを供給し、かつ前記回転テーブルと相対的に変位可能なガス供給構造と、を含む基板処理装置の圧力調整方法であって、
（Ａ）圧力検出部により前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間の圧力を検出する工程と、
（Ｂ）前記圧力検出部により検出した前記圧力に基づき前記ガス供給構造を変位させて、前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間を調整する工程と、を有する、
圧力調整方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記（Ａ）の工程では、前記回転テーブルの半径方向中心側の第１圧力と、前記回転テーブルの半径方向外側の第２圧力とをそれぞれ検出する、
請求項１に記載の圧力調整方法。
【請求項３】
前記（Ａ）の工程で検出した前記第１圧力と前記第２圧力とに基づき、前記ガス供給構造の変位の目標値を算出し、
前記（Ｂ）の工程では、前記ガス供給構造の変位の目標値に基づき前記ガス供給構造を変位させる、
請求項２に記載の圧力調整方法。
【請求項４】
前記ガス供給構造は、前記ガスを吐出する複数のガス吐出口、および前記圧力検出部を有する吐出部を備え、
前記（Ｂ）の工程では、前記回転テーブルと相対的に前記吐出部を変位させる、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧力調整方法。
【請求項５】
前記ガス供給構造は、前記吐出部の周方向の隣接位置に、当該吐出部とは非接触に配置される周辺ブロック部を有し、
前記（Ｂ）の工程では、前記周辺ブロック部と相対的に前記吐出部を変位させる、
請求項４に記載の圧力調整方法。
【請求項６】
前記（Ｂ）の工程では、前記圧力に基づく前記ガス供給構造の変位として、前記半径方向に沿った前記ガス供給構造のチルト角を調整する、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧力調整方法。
【請求項７】
前記（Ｂ）の工程では、前記圧力に基づく前記ガス供給構造の変位として、前記ガス供給構造の上下方向の位置を調整する、
請求項６に記載の圧力調整方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）の工程では、前記ガス供給構造のチルト角を調整した後に、前記ガス供給構造の上下方向の位置を調整する、
請求項７に記載の圧力調整方法。
【請求項９】
前記ガス供給構造を挟んで異なる種類の処理ガスを供給するガス導入部を備え、
前記ガス供給構造は、前記ガスとして前記異なる種類の処理ガスを分離するための分離ガスを前記隙間に供給する、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧力調整方法。
【請求項１０】
処理容器と、
前記処理容器の内部に回転可能に設けられ、回転中心から半径方向に離れた位置で複数の基板を載置する回転テーブルと、
前記回転テーブルに載置された前記複数の基板に対してガスを供給し、かつ前記回転テーブルと相対的に変位可能なガス供給構造と、
前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間の圧力を検出する圧力検出部と、
前記圧力検出部の検出情報を処理する制御部と、を含む基板処理装置であって、
前記制御部は、
（Ａ）前記圧力検出部により前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間の前記圧力を検出する工程と、
（Ｂ）前記圧力検出部により検出した前記圧力に基づき前記ガス供給構造を変位させて、前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間を調整する工程と、を制御する、
基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、圧力調整方法、および基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理容器に設けられた回転テーブルに複数の基板を載置して、回転テーブルを回転させながら複数種類の処理ガスを処理容器内に供給することで、基板に成膜等の基板処理を施す基板処理装置（成膜装置）が開示されている。この基板処理装置は、複数種類の処理ガスの混合を抑制するために、扇状の凸状部により低い天井面を形成し、かつ回転テーブルと凸状部の間の隙間に分離ガスを供給することで、処理容器内の空間を周方向に分離した分離領域としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－５６４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、回転テーブルとガス供給構造との間の隙間を適切に調整可能とすることで、基板処理の品質向上を促すことができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によれば、処理容器と、前記処理容器の内部に回転可能に設けられ、回転中心から半径方向に離れた位置で複数の基板を載置する回転テーブルと、前記回転テーブルに載置された前記複数の基板に対してガスを供給し、かつ前記回転テーブルと相対的に変位可能なガス供給構造と、を含む基板処理装置の圧力調整方法であって、（Ａ）圧力検出部により前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間の圧力を検出する工程と、（Ｂ）前記圧力検出部により検出した前記圧力に基づき前記ガス供給構造を変位させて、前記回転テーブルと前記ガス供給構造との間の隙間を調整する工程と、を有する、圧力調整方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一態様によれば、回転テーブルとガス供給構造との間の隙間を適切に調整可能とすることで、基板処理の品質向上を促すことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す縦断面図である。
図１の基板処理装置における処理容器内の構成を示す平面図である。
図１の基板処理装置における回転テーブルおよび載置台の構成を示す斜視図である。
分離領域のガス供給構造を下面側から見た図である。
図４のＶ－Ｖ線に対応した回転テーブルおよびガス供給構造の断面図である。
吐出部を変位させる変位機構を示す斜視図である。
図７（Ａ）は、半径方向に沿ったガス供給構造の動作を概略的に示す第１側面図である。図７（Ｂ）は、半径方向に沿ったガス供給構造の動作を概略的に示す第２側面図である。図７（Ｃ）は、半径方向に沿ったガス供給構造の動作を概略的に示す第３側面図である。図７（Ｄ）は、半径方向に沿ったガス供給構造の動作を概略的に示す第４側面図である。
実施形態に係る圧力調整方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［基板処理装置の構成］
図１～図３を参照して、実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成例を示す縦断面図である。図２は、図１の基板処理装置１における処理容器１１内の構成を示す平面図である。なお、図２においては、説明の便宜上、処理容器１１の天板１１２の図示を省略している。図３は、図１の基板処理装置１における回転テーブル２１および載置台２１１の構成を示す斜視図である。
【００１０】
基板処理装置１は、原子層堆積法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）や分子層堆積法（Molecular Layer Deposition：ＭＬＤ）により基板Ｗの表面に膜を成膜する基板処理（成膜処理）を行う装置に構成される。この基板処理装置１は、処理部１０、回転駆動装置２０、リフタ部３０および制御部９０を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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