TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025087539
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2023202273
出願日2023-11-29
発明の名称光電変換素子
出願人株式会社エネコートテクノロジーズ
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H10K 30/50 20230101AFI20250603BHJP()
要約【課題】優れた光電変換特性を示す光電変換素子の提供を目的とする。
【解決手段】光電変換素子は、下記一般式(I)で表されるビシクロ化合物、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含有する。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025087539000019.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">47</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">161</com:WidthMeasure> </com:Image>
前記一般式(I)において、Z1及びZ2は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれC-Rまたは窒素原子を表す。X1、X2、およびX3は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ中央のビシクロ環と共に環状構造を形成する二価の連結基を表す。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
下記一般式(I)で表されるビシクロ化合物、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含有する光電変換素子。
TIFF
2025087539000015.tif
47
161
前記一般式(I)において、Z

及びZ

は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれC-Rまたは窒素原子を表し、ただし、Cは炭素原子であり、Rは水素原子または置換基であり、


、X

、およびX

は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ中央のビシクロ環と共に環状構造を形成する二価の連結基を表し、中央のビシクロ環において、二つの環に共通する二つの炭素原子同士の結合は、単結合であっても二重結合であってもよい。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記一般式(I)で表される化合物が、下記一般式(II)で表される請求項1記載の光電変換素子。
TIFF
2025087539000016.tif
76
159
前記一般式(II)において、R
1
、及びR
2
は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、カルボキシ基、エステル基、アミノ基、ハロゲン原子、又はハロゲン化金属を表し、ただし何れか一方は水素ではなく、前記アルキル基、前記アルコキシ基、前記アリール基、前記ヘテロアリール基、及び前記アミノ基の水素の1個以上は置換基により置換されていても置換されていなくてもよく、前記カルボキシ基は負電荷を有していてもよく、前記アミノ基は正電荷を有していてもよく、


、X

、およびX

は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ環状構造を形成する二価の連結基を表す。
【請求項3】
前記一般式(I)で表される化合物が、下記一般式(III)で表される請求項1記載の光電変換素子。
TIFF
2025087539000017.tif
74
155
前記一般式(III)において、R
1
、およびR
2
は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子、ハロゲン化スズ、ハロゲン化鉛、ハロゲン化アンチモン、またはハロゲン化ビスマスを表し、ただし何れか一方は水素ではなく、
各R
3
は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子を表す。
【請求項4】
前記一般式(I)で表される化合物が、下記一般式(IV)で表される請求項1記載の光電変換素子。
TIFF
2025087539000018.tif
56
153
前記一般式(IV)において、R
1
はハロゲン化スズ、ハロゲン化鉛、ハロゲン化アンチモン、またはハロゲン化ビスマスを表す。
【請求項5】
第1の電極、正孔輸送層、光電変換層、電子輸送層、及び第2の電極が、この順序で直接または間接に積層され、前記光電変換層が、ペロブスカイト化合物を含み、前記光電変換層、または、光電変換層と電子輸送層界面における光電変換層主表面に、前記一般式(I)で表されるビシクロ化合物を含有する請求項1記載の光電変換素子。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換素子に関する。
続きを表示(約 1,600 文字)【背景技術】
【0002】
近年、クリーンエネルギーとして、太陽光発電が注目を浴びており、太陽電池の開発が進んでいる。その一つとして、低コストで製造可能な次世代型の太陽電池として、ペロブスカイト材料を光吸収層に用いた太陽電池が急速に注目を集めている。例えば、非特許文献1では、ペロブスカイト材料を光吸収層に用いた溶液型の太陽電池が報告されている。また、非特許文献2には、固体型のペロブスカイト型太陽電池が高効率を示すことも報告されている。
【0003】
ペロブスカイト太陽電池の光電変換効率を更に高めるため、ペロブスカイト層表面をヨウ化フェニルエチルアミンでパッシベーション(不働態化)する方法が報告されている(非特許文献3)。また、チオール化合物を用いた方法も報告されている(非特許文献4)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
Journal of the American Chemical Society, 2009, 131, 6050-6051.
Science, 2012, 388, 643-647.
Nature Photonics, 2019, 13, 460-466.
Nanoscale, 2015, 7, 9443-9447.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来のペロブスカイト型太陽電池は、その光電変換効率が十分とは言えない。
【0006】
そこで、本発明は、優れた光電変換特性を示す光電変換素子の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前記目的を達成するために、本発明の光電変換素子は、下記一般式(I)で表されるビシクロ化合物、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含有する光電変換素子である。
TIFF
2025087539000001.tif
47
161
前記一般式(I)において、Z

及びZ

は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれC-Rまたは窒素原子を表し、ただし、Cは炭素原子であり、Rは水素原子または置換基であり、


、X

、およびX

は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ中央のビシクロ環と共に環状構造を形成する二価の連結基を表し、中央のビシクロ環において、二つの環に共通する二つの炭素原子同士の結合は、単結合であっても二重結合であってもよい。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、優れた光電変換特性を示す光電変換素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1は、本発明の光電変換素子における構成の一例を示す断面図である。
図2は、本発明の光電変換素子における構成の一例を示す断面図である。
図3は、実施例で製造した化合物の

H-NMRチャートである。
図4は、実施例で製造した化合物の
119
Sn-NMRチャートである。
図5は、実施例で製造した化合物の

H-NMRチャートである。
図6は、実施例で製造した化合物の
119
Sn-NMRチャートである。
図7は、実施例で製造した化合物の

H-NMRチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
つぎに、本発明について、例を挙げてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の説明により限定されない。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

株式会社クラベ
感圧導電体
27日前
学校法人東北学院
半導体装置
1か月前
東レ株式会社
太陽電池の製造方法
1日前
個人
FIN TFT電極基板
22日前
富士電機株式会社
半導体装置
29日前
富士電機株式会社
半導体装置
15日前
ローム株式会社
半導体発光装置
今日
キヤノン株式会社
放射線撮像装置
29日前
ローム株式会社
半導体装置
8日前
三菱電機株式会社
半導体装置
23日前
富士電機株式会社
半導体装置
21日前
三菱電機株式会社
半導体装置
1日前
株式会社村田製作所
電子部品
1日前
株式会社村田製作所
半導体装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
26日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
26日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
今日
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
5日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
6日前
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
1か月前
日亜化学工業株式会社
発光モジュール
23日前
株式会社エネコートテクノロジーズ
太陽電池
1日前
三安ジャパンテクノロジー株式会社
半導体装置
27日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
23日前
ローム株式会社
半導体装置
12日前
ローム株式会社
MEMS温度センサ
23日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
1か月前
ローム株式会社
半導体装置
27日前
株式会社カネカ
ペロブスカイト薄膜太陽電池の製造方法
27日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
26日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
今日
ローム株式会社
半導体装置
1か月前
ローム株式会社
半導体装置
19日前
ローム株式会社
半導体装置
15日前
ローム株式会社
半導体装置
23日前
ローム株式会社
縦型ホール素子
14日前
続きを見る