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公開番号2025086424
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-09
出願番号2023200360
出願日2023-11-28
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250602BHJP(基本電子回路)
要約【課題】WLP構造の弾性波デバイスにおいて、放熱性を合理的に向上可能な新しい構造を提供する。
【解決手段】厚膜配線4及び囲繞金属層5上に接合されると共に、デバイスチップ2及び囲繞金属層5と共働して機能素子3を気密封止する封止空間10を形成するルーフ基板6と、デバイスチップ2を貫通する通過穴2f内に形成されると共に、厚膜配線4に固着された内端7aと、デバイスチップ2の他面2bの外方に位置される外端7bとを備えた接続用バンプ7と、デバイスチップ2の他面2bに形成された放熱層8と、放熱層8上に形成された放熱用バンプ9とを備えてる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
一面に少なくともＩＤＴ電極を含む複数の機能素子と、前記機能素子よりも厚さを大きくする厚膜配線と、前記機能素子及び前記厚膜配線の形成領域を囲繞すると共に前記厚膜配線と厚さを等しくする囲繞金属層とを備えてなるデバイスチップと、
前記厚膜配線及び前記囲繞金属層上にあってこれらに支持されると共に、前記デバイスチップ及び前記囲繞金属層と共働して前記機能素子を気密封止する封止空間を形成するルーフ基板と、
前記デバイスチップを貫通する通過穴内に形成されると共に、前記厚膜配線に固着された内端と、前記デバイスチップの他面の外方に位置される外端とを備えた接続用バンプと、
前記デバイスチップの前記他面に形成された放熱層と、
前記放熱層上に形成された放熱用バンプとを備えてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 270 文字）【請求項２】
前記ルーフ基板を、高抵抗シリコン、セラミック又はガラスから構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記デバイスチップの厚さを前記ルーフ基板の厚さよりも小さくさせてなる、請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記デバイスチップの前記一面及び前記他面に直交する向きから前記弾性波デバイスを見た状態において、前記機能素子の形成領域の直上又は直下に前記放熱層の形成領域の少なくとも一部が位置されるように、前記放熱層を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造を有する弾性波(Surface Acoustic Wave/SAW)デバイスとして、特許文献１に示されるものがある。
この特許文献１のものは、圧電性基板（デバイスチップ）の一面上に機能素子と、この機能素子の形成領域を囲繞する支持部と、支持部と共働して機能素子の封止空間を形成するカバー部を持つ。前記機能素子は、圧電性基板を貫通する貫通電極を介して外部に接続されるようになっている。
【０００３】
ここで、この種の弾性波デバイスにおいては、放熱性の向上が強く求められるところである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開２０１７／９８８０９号（図５参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種のＷＬＰ構造の弾性波デバイスにおいて、放熱性を合理的に向上可能な新しい構造を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、
一面に少なくともＩＤＴ電極を含む複数の機能素子と、前記機能素子よりも厚さを大きくする厚膜配線と、前記機能素子及び前記厚膜配線の形成領域を囲繞すると共に前記厚膜配線と厚さを等しくする囲繞金属層とを備えてなるデバイスチップと、
前記厚膜配線及び前記囲繞金属層上にあってこれらに支持されると共に、前記デバイスチップ及び前記囲繞金属層と共働して前記機能素子を気密封止する封止空間を形成するルーフ基板と、
前記デバイスチップを貫通する通過穴内に形成されると共に、前記厚膜配線に固着された内端と、前記デバイスチップの他面の外方に位置される外端とを備えた接続用バンプと、
前記デバイスチップの前記他面に形成された放熱層と、
前記放熱層上に形成された放熱用バンプとを備えてなる、ものとした。
【０００７】
前記ルーフ基板を、高抵抗シリコン、セラミック又はガラスから構成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。このようにした場合、さらに、前記デバイスチップの厚さを前記ルーフ基板の厚さよりも小さくさせることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記デバイスチップの前記一面及び前記他面に直交する向きから前記弾性波デバイスを見た状態において、前記機能素子の形成領域の直上又は直下に前記放熱層の形成領域の少なくとも一部が位置されるように、前記放熱層を形成させることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、弾性波デバイスを前記接続用バンプを利用して前記デバイスチップの前記他面をモジュール基板の実装面に向き合わせるようにしてモジュール基板に実装させることができる。デバイスチップにおける機能素子の形成領域に生じた熱は、前記放熱層とその上に形成された放熱用バンプとにより最短の放熱経路を形成させてモジュール基板側に伝達させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスの断面構成図であり、図２におけるＡ－Ａ線位置で第一例を断面にして示している。
図２は、図１におけるＢ－Ｂ線位置での切断端面構成図である。
図３は、前記第一例を構成するデバイスチップ上に形成される共振器の一例を示した構成図である。
図４は、前記第一例のデバイスチップ上に形成される回路の一例を示した構成図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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