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公開番号2025085005
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2025035926,2022511851
出願日2025-03-06,2021-03-17
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250527BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】リンギングを抑制し、スナバ回路の簡素化及び信頼性の向上を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A1は、スイッチング機能を有する少なくとも1つの半導体素子10と、半導体素子によってスイッチングされる電流の経路となり、且つ、第1素材(Cu等)からなる導通部材である第1パワーリード31及び第2パワーリード32と、導通部材の少なくとも一部を覆い、且つ、第2素材からなる被覆層90と、を備える。第2素材は、以下の3つのうち少なくとも1つの要件を満たす。(1)第1素材よりも透磁率が高い。(2)第1素材よりも電気抵抗率が高い。(3)誘電正接が0より大きい。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
スイッチング機能を有する少なくとも１つの半導体素子と、
前記半導体素子によってスイッチングされる電流の経路となり且つ第１素材からなる導通部材と、
前記導通部材の少なくとも一部を覆い且つ第２素材からなる被覆層と、
を備えており、
前記第２素材は、以下の３つの要件：
（ａ）前記第１素材よりも透磁率が高い、
（ｂ）前記第１素材よりも電気抵抗率が高い、および
（ｃ）誘電正接が０より大きい、
のうちの少なくとも１つの要件を満たす、半導体装置。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記第２素材は、前記第１素材よりも透磁率が高く且つ前記第１素材よりも電気抵抗率が高い磁性導電体である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２素材は、誘電正接が０より大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２素材は、前記第１素材よりも透磁率が高く且つ誘電正接が０より大きい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２素材は、前記第１素材よりも電気抵抗率が高く且つ誘電正接が０より大きい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記被覆層の厚さは、１μｍ～５μｍである、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２素材の比透磁率は、１０以上である、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２素材の電気抵抗率は、前記第１素材の電気抵抗率の２倍以上である、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２素材の誘電正接は、０．０１以上である、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
電気接続用の第１端および第２端を有するコンデンサをさらに備えており、
前記少なくとも１つの半導体素子は、少なくとも１組の上下アームを含むハーフブリッジを構成する複数の半導体素子であり、
前記複数の半導体素子は、前記上アームに含まれる第１半導体素子と、前記下アームに含まれる第２半導体素子と、を含み、
前記導通部材は、前記第１半導体素子のドレイン電極に接続された第１金属層と、前記第１金属層に接続された第１パワーリードと、前記第２半導体素子のソース電極に接続された第２パワーリードと、を含み、
前記コンデンサの前記第１端は、前記第１パワーリードに接続され、前記コンデンサの前記第２端は、前記第２パワーリードに接続されており、
前記被覆層は、前記第１パワーリードを覆う第１部と、前記第２パワーリードを覆う第２部とを含む、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体素子を備えた半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、従来の半導体装置を開示している。特許文献１に記載の半導体装置は、半導体素子、アイランド、リード、複数の接合材、接続板および封止樹脂を備えている。この半導体装置において、半導体素子は、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）などのトランジスタである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－２０４８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の通電時に、半導体素子によってスイッチングされる主回路電流は、アイランドやリードを経路として流れる。スイッチングが高速化するほど、主回路電流にリンギングが生じやすく、このリンギングが、たとえば周囲の機器の動作に悪影響を及ぼす電磁干渉ノイズ発生の原因となりうる。
【０００５】
上記課題に鑑み、本開示は、リンギングを抑制可能な半導体装置を提供することを一の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示によって提供される半導体装置は、スイッチング機能を有する少なくとも１つの半導体素子と、前記半導体素子によってスイッチングされる電流の経路となり且つ第１素材からなる導通部材と、前記導通部材の少なくとも一部を覆い且つ第２素材からなる被覆層と、を備えている。また、前記第２素材は、以下の３つの要件：（ａ）前記第１素材よりも透磁率が高い、（ｂ）前記第１素材よりも電気抵抗率が高い、および（ｃ）誘電正接が０より大きい、のうちの少なくとも１つの要件を満たす。
【０００７】
好ましくは、前記第２素材は、前記第１素材よりも透磁率が高く且つ前記第１素材よりも電気抵抗率が高い磁性導電体である。
【０００８】
好ましくは、前記第２素材は、誘電正接が０より大きい。
【０００９】
好ましくは、前記第２素材は、前記第１素材よりも透磁率が高く且つ誘電正接が０より大きい。
【００１０】
好ましくは、前記第２素材は、前記第１素材よりも電気抵抗率が高く且つ誘電正接が０より大きい。
（【００１１】以降は省略されています）

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