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公開番号2025071847
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-09
出願番号2023182217
出願日2023-10-24
発明の名称ビナフトール部位を有する光学活性化合物の製造方法、及び脱保護抑制用中間体組成物
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人
主分類C07C 67/08 20060101AFI20250430BHJP(有機化学)
要約【課題】光学活性化合物の効率的製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(II)と保護基導入剤とを反応させ、一般式(III)を合成する反応終了時に、pKaが4～10の含窒素塩基性化合物を添加して中間体組成物を調製する工程と、前記中間体組成物に一般式(IV)を反応させることにより、一般式(V)を得る工程と、(V)を脱保護することにより一般式(VI)を得る工程と、(VI)と置換基を有していてもよいビナフトールとを反応させる工程と、を有する製造方法。
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HOOC-A¹-OH(II)
PG-OOC-A¹-OH(III)
HOOC-A²-R¹(IV)
PG-OOC-A¹-OOC-A²-R¹(V)
HOOC-A¹-OOC-A²-R¹(VI)
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記一般式（Ｉ）
TIFF
2025071847000021.tif
30
113
（一般式（Ｉ）において、
Ａ
１
はそれぞれ独立して、４，４’－ビフェニレン基、１，４－フェニレン基、１，４－シクロへキシレン基、又はナフタレン－２，６－ジイル基を表し、
Ａ
２
はそれぞれ独立して、４，４’－ビフェニレン基、１，４－フェニレン基、１，４－シクロへキシレン基、又はナフタレン－２，６－ジイル基を表し、
Ａ
１
及びＡ
２
はそれぞれ独立して、置換基Ｅを有していてもよく、
Ｒ
１
はそれぞれ独立して、前記一般式（Ｒ－１）から選ばれる基を表し、
一般式（Ｒ－１）：－Ｌ
ｒ１
－Ｒ
ｓｐ１
－Ｚ
１
一般式（Ｒ－１）中、Ｌ
ｒ１
は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、又は、単結合を表し、Ｒ
ｓｐ１
は、１個の－ＣＨ
２
－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ
２
－が各々独立して－Ｏ－、－ＣＯＯ－、又は－ＯＣＯ－に置き換えられても良い炭素原子数１～２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ｚ
１
は重合性官能基を表す。
置換基Ｅ、Ｅ
１
及びＥ
２
はそれぞれ独立して、炭素数１～３のアルキル基、又はハロゲンであり、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して、０～２を表す。）
で表されるビナフトール部位を有する光学活性化合物の製造方法であって、
下記一般式（ＩＩ）
TIFF
2025071847000022.tif
14
58
（式中、Ａ
１
は、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物と、カルボン酸保護基導入剤とを反応させることにより、下記一般式（ＩＩＩ）
TIFF
2025071847000023.tif
15
68
（式中、ＰＧは保護基を表し、Ａ
１
は、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を合成する保護基導入反応終了時に、ｐＫａが４～１０の含窒素塩基性化合物を添加して、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物とｐＫａが４～１０の含窒素塩基性化合物とを含有する脱保護抑制用中間体組成物を調製する工程と、
前記脱保護抑制用中間体組成物に、下記一般式（ＩＶ）
TIFF
2025071847000024.tif
8
61
（式中、Ａ
２
、及びＲ
１
はそれぞれ、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を添加して、反応させることにより、下記一般式（Ｖ）
TIFF
2025071847000025.tif
15
86
（式中、ＰＧ、Ａ
１
、Ａ
２
、及びＲ
１
はそれぞれ、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を得る工程と、
前記一般式（Ｖ）で表される化合物における保護基を脱保護することにより、下記一般式（ＶＩ）
TIFF
2025071847000026.tif
14
81
（式中、Ａ
１
、Ａ
２
、及びＲ
１
はそれぞれ、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を得る工程と、
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記含窒素塩基性化合物は、４－ジメチルアミノピリジン、モルフォリン、ピリジン、１－ナフチルアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、Ｎ－メチルイミダゾール、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジエチルアニリン及びアニリンからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のビナフトール部位を有する光学活性化合物の製造方法。
【請求項３】
前記含窒素塩基性化合物は、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の１モルに対して、０．１モル～１．５モルの範囲で用いられる、請求項１又は２に記載のビナフトール部位を有する光学活性化合物の製造方法。
【請求項４】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物中の保護基が、エトキシメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、２，２，２－トリクロロエチル基、炭素数１～４のアルキル基、ベンジル基、及び、トリフェニルメチル基からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１又は２に記載のビナフトール部位を有する光学活性化合物の製造方法。
【請求項５】
下記一般式（ＩＩＩ）
TIFF
2025071847000027.tif
15
68
（式中、ＰＧは保護基を表し、Ａ
１
は、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物とｐＫａが４～１０の含窒素塩基性化合物とを含有する脱保護抑制用中間体組成物。
【請求項６】
前記含窒素塩基性化合物は、４－ジメチルアミノピリジン、モルフォリン、ピリジン、１－ナフチルアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、Ｎ－メチルイミダゾール、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジエチルアニリン及びアニリンからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項５に記載の脱保護抑制用中間体組成物。
【請求項７】
前記含窒素塩基性化合物を、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の１モルに対して、０．１モル～１．５モルの範囲で含有する、請求項５又は６に記載の脱保護抑制用中間体組成物。
【請求項８】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物中の保護基が、エトキシメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、２，２，２－トリクロロエチル基、炭素数１～４のアルキル基、ベンジル基、及び、トリフェニルメチル基からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項５又は６に記載の脱保護抑制用中間体組成物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、特定の構造を有するビナフトール部位を有する光学活性化合物の製造方法、及び、当該製造方法に用いられる脱保護抑制用中間体組成物に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、偏光板、偏光反射板、位相差板などの光学異方性膜に重合性の液晶化合物が利用されている。重合性液晶化合物は、液晶状態において光学異方性を示し、重合によりこの異方性が固定化されるためである。光学異方性膜に必要な光学的特性は目的によって異なるので、目的にあった特性を有するために、種々の化合物を組み合わせて重合性液晶組成物として利用されることがある。
【０００３】
光学活性化合物は、重合性液晶組成物に添加することにより螺旋構造が誘起される。光学活性化合物の種類や添加量を制御することにより、ツイスト配向を有する光学異方性膜の螺旋ピッチを変化させることで種々の用途への応用が可能となる。
重合性基を含むビナフトール部位を有する光学活性化合物は、例えば特許文献１に構造が開示され、製造方法も概略記載されている。しかしながら、特許文献１に記載されている製造方法では副生成物が多くなりやすく、カラムクロマトグラフィーで精製が行われており、工業化には適さない。重合性基を含む特定の構造を有するビナフトール部位を有する光学活性化合物には、副生成物が少なく、効率的に高い収率で製造することができる製造方法が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００５－２６３７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、前述のような実情を鑑み、副生成物が少なく、効率的に高い収率で、重合性基を含む特定の構造を有するビナフトール部位を有する光学活性化合物を製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示には、以下の態様が含まれる。
［１］下記一般式（Ｉ）
【０００７】
TIFF
2025071847000001.tif
30
113
（一般式（Ｉ）において、
Ａ
１
はそれぞれ独立して、４，４’－ビフェニレン基、１，４－フェニレン基、１，４－シクロへキシレン基、又はナフタレン－２，６－ジイル基を表し、
Ａ
２
はそれぞれ独立して、４，４’－ビフェニレン基、１，４－フェニレン基、１，４－シクロへキシレン基、又はナフタレン－２，６－ジイル基を表し、
Ａ
１
及びＡ
２
はそれぞれ独立して、置換基Ｅを有していてもよく、
Ｒ
１
はそれぞれ独立して、前記一般式（Ｒ－１）から選ばれる基を表し、
一般式（Ｒ－１）：－Ｌ
ｒ１
－Ｒ
ｓｐ１
－Ｚ
１
一般式（Ｒ－１）中、Ｌ
ｒ１
は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯＯ－、又は、単結合を表し、Ｒ
ｓｐ１
は、１個の－ＣＨ
２
－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ
２
－が各々独立して－Ｏ－、－ＣＯＯ－、又は－ＯＣＯ－に置き換えられても良い炭素原子数１～２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ｚ
１
は重合性官能基を表す。
置換基Ｅ、Ｅ
１
及びＥ
２
はそれぞれ独立して、炭素数１～３のアルキル基、又はハロゲンであり、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して、０～２を表す。）
で表されるビナフトール部位を有する光学活性化合物の製造方法であって、
下記一般式（ＩＩ）
【０００８】
TIFF
2025071847000002.tif
14
58
（式中、Ａ
１
は、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物と、カルボン酸保護基導入剤とを反応させることにより、下記一般式（ＩＩＩ）
【０００９】
TIFF
2025071847000003.tif
15
68
（式中、ＰＧは保護基を表し、Ａ
１
は、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を合成する保護基導入反応終了時に、ｐＫａが４～１０の含窒素塩基性化合物を添加して、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物とｐＫａが４～１０の含窒素塩基性化合物とを含有する脱保護抑制用中間体組成物を調製する工程と、
前記脱保護抑制用中間体組成物に、下記一般式（ＩＶ）
【００１０】
TIFF
2025071847000004.tif
8
61
（式中、Ａ
２
、及びＲ
１
はそれぞれ、前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を添加して、反応させることにより、下記一般式（Ｖ）
（【００１１】以降は省略されています）

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