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公開番号2025067975
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2025021584,2024092965
出願日2025-02-13,2009-11-12
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 86/60 20250101AFI20250417BHJP()
要約【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
半導体装置。
続きを表示（約 9,600 文字）【請求項２】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第１の配線は、信号を出力する機能を有し、
前記第２の配線は、クロック信号を伝達する機能を有し、
前記第３の配線は、電源電位を伝達する機能を有し、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第１の配線は、信号を出力する機能を有し、
前記第２の配線は、クロック信号を伝達する機能を有し、
前記第３の配線は、電源電位を伝達する機能を有し、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
前記第４のトランジスタのゲートとしての機能を有する第３の導電膜は、前記第３の配線としての機能を有する第４の導電膜と、交差する領域を有する、
半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
前記第４のトランジスタのゲートとしての機能を有する第３の導電膜は、前記第３の配線としての機能を有する第４の導電膜と、交差する領域を有する、
半導体装置。
【請求項７】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第１の配線は、信号を出力する機能を有し、
前記第２の配線は、クロック信号を伝達する機能を有し、
前記第３の配線は、電源電位を伝達する機能を有し、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
前記第４のトランジスタのゲートとしての機能を有する第３の導電膜は、前記第３の配線としての機能を有する第４の導電膜と、交差する領域を有する、
半導体装置。
【請求項８】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタと、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と常に導通しており、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通しており、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と常に導通しており、
前記第１の配線は、信号を出力する機能を有し、
前記第２の配線は、クロック信号を伝達する機能を有し、
前記第３の配線は、電源電位を伝達する機能を有し、
前記第６のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電膜は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有し、かつ、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能を有しする第２の導電膜と、交差する領域を有し、
前記第４のトランジスタのゲートとしての機能を有する第３の導電膜は、前記第３の配線としての機能を有する第４の導電膜と、交差する領域を有する、
半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
酸化物半導体を用いる半導体装置及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等の平板に形成される薄膜トランジスタは
、アモルファスシリコン、多結晶シリコンによって作製されている。アモルファスシリコ
ンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対
応することができ、一方、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは電界効果移動度が
高いものの、レーザアニール等の結晶化工程が必要であり、ガラス基板の大面積化には必
ずしも適応しないといった特性を有している。
【０００３】
これに対し、酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、電子デバイスや光デバイ
スに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体膜として酸化亜鉛、Ｉｎ－Ｇ
ａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、画像表示装置のスイッ
チング素子などに用いる技術が特許文献１及び特許文献２で開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－０９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンを
用いた薄膜トランジスタよりも高い電界効果移動度が得られている。酸化物半導体膜はス
パッタリング法などによって３００℃以下の温度で膜形成が可能であり、多結晶シリコン
を用いた薄膜トランジスタよりも製造工程が簡単である。
【０００６】
このような酸化物半導体を用いてガラス基板、プラスチック基板等に薄膜トランジスタを
形成し、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイ又は電子ペーパ等の表
示装置への応用が期待されている。
【０００７】
また、表示装置の表示領域を大型化すると、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数
が増加する。加えて、表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信
号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆
動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コス
トが増大する。
【０００８】
そこで、画素部を駆動する駆動回路の少なくとも一部の回路に酸化物半導体を用いる薄膜
トランジスタを用い、製造コストを低減することを課題の一とする。
【０００９】
画素部を駆動する駆動回路の少なくとも一部の回路に酸化物半導体を用いる薄膜トランジ
スタを用いる場合、その薄膜トランジスタには、高い動特性（オン特性や周波数特性（ｆ
特性と呼ばれる））が要求される。高い動特性（オン特性）を有する薄膜トランジスタを
提供し、高速駆動することができる駆動回路を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
酸化物半導体層の上下にゲート電極を設け、薄膜トランジスタのオン特性及び信頼性の向
上を実現する。また、酸化物半導体層の下方に設けられたゲート電極と、酸化物半導体層
との間には、ソース電極層またはドレイン電極層が形成されており、ソース電極層または
ドレイン電極層の少なくとも一部は、上下に低抵抗な酸化物半導体層がソース領域又はド
レイン領域として設けられている。なお、ソース電極層及びドレイン電極層は上下に第１
のソース領域又は第１のドレイン領域、及び第２のソース領域又は第２のドレイン領域に
挟まれる構造となる。
（【００１１】以降は省略されています）

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