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公開番号2025067858
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2024176870
出願日2024-10-09
発明の名称基板処理装置及び基板処理方法
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人弁理士法人共生国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250417BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板処理の均一性を向上させうる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、処理空間を含む工程チャンバ、工程チャンバ内において基板を支持するように構成された基板支持台、工程チャンバの下部に配される流体供給管、及び流体供給管を介して、処理空間に超臨界流体を供給するように構成された流体供給装置を含み、該基板支持台は、中心部に配され、基板が載着されるプレート構造体、プレート構造体の外郭に接合されたリング形状の乱流低減ボディ部、及び乱流低減ボディ部の外郭に接合され、工程チャンバの下部に向けて所定角度に傾いた乱流低減ウィング部を含む。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
処理空間を含む工程チャンバと、
前記工程チャンバ内において基板を支持するように構成された基板支持台と、
前記工程チャンバの下部に配される流体供給管と、
前記流体供給管を介して、前記処理空間に超臨界流体を供給するように構成された流体供給装置と、を含み、
前記基板支持台は、
前記基板支持台の中心部に配され、前記基板が載着されるプレート構造体と、
前記プレート構造体の外郭に接合されたリング形状の乱流低減ボディ部と、
前記乱流低減ボディ部の外郭に接合され、前記工程チャンバの下部に向けて所定角度に傾いた乱流低減ウィング部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記プレート構造体の上面と、前記乱流低減ウィング部の上面とがなす前記所定角度は、０゜よりも大きく、９０゜よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記プレート構造体の上面と、前記乱流低減ウィング部の上面とがなす前記所定角度は、２０゜であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記プレート構造体の直径は、前記基板の直径よりも小さく、
前記乱流低減ボディ部の直径は、前記基板の直径と同じであるか、あるいはそれよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記プレート構造体と前記乱流低減ボディ部との総直径は、３００ｍｍ～３３５ｍｍの範囲のうちから決定されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記プレート構造体は、第１直径を有する下部構造体、及び前記第１直径よりも大きい第２直径を有する上部構造体を含み、
前記乱流低減ボディ部の厚みは、前記上部構造体の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記プレート構造体の前記上部構造体の上面レベル、前記乱流低減ボディ部の上面レベル、及び前記乱流低減ウィング部の最上面のレベルは、同一であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記乱流低減ウィング部は、前記乱流低減ボディ部から遠くなるほど、上面のレベルが低くなり、
前記乱流低減ウィング部は、前記乱流低減ボディ部から遠くなるほど、厚みが薄くなることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記超臨界流体は、前記プレート構造体の下部から、前記乱流低減ボディ部及び前記乱流低減ウィング部を過ぎて、前記処理空間に流入されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理空間において、前記超臨界流体が高圧で流入されることによって生じる乱流の中心は、前記基板の縁から外郭に離れた位置に形成されることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、超臨界流体を利用する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体素子の微細化が要求されるにつれ、非常に短い波長を有する極紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）リソグラフィ方法が提案された。そのようなＥＵＶリソグラフィを利用すれば、小さい水平寸法、及び高い縦横比を有するフォトレジストパターンを利用して、微細パターンを形成することができる。このような微細パターンを形成する過程において、微細パターンが倒れるか、あるいは崩壊することを最小化させるために、超臨界流体を使用する乾燥工程が使用されているが、改善されなければならない事項がいまだに残っているのが実情である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、基板の縁における、微細パターンのリーニング（ｌｅａｎｉｎｇ）現象を防止し、基板処理の均一性を向上させうる基板処理装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及された課題に限定されるものではなく、言及されていない他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されうるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による基板処理装置は、処理空間を含む工程チャンバと、前記工程チャンバ内において基板を支持するように構成された基板支持台と、前記工程チャンバの下部に配される流体供給管と、前記流体供給管を介して、前記処理空間に超臨界流体を供給するように構成された流体供給装置と、を含み、前記基板支持台は、中心部に配され、前記基板が載着されるプレート構造体と、前記プレート構造体の外郭に接合されたリング形状の乱流低減ボディ部と、前記乱流低減ボディ部の外郭に接合され、前記工程チャンバの下部に向けて所定角度に傾いた乱流低減ウィング部と、を含むことを特徴とする。
【０００５】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による基板処理装置は、処理空間を含む工程チャンバと、前記工程チャンバ内において基板を支持するように構成された基板支持台と、前記工程チャンバの側部に配される流体供給管と、前記流体供給管を介して、前記処理空間に超臨界流体を供給するように構成された流体供給装置と、を含み、前記基板支持台は、中心部に配され、前記基板が載着されるプレート構造体と、前記プレート構造体の外郭に接合されたリング形状の乱流低減ボディ部と、前記乱流低減ボディ部の外郭に接合され、前記工程チャンバの上部に向けて所定角度に傾いた乱流低減ウィング部と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明のさらに他のによる基板処理装置は、超臨界流体を利用して基板を乾燥させる基板処理装置において、前記基板が載着されるプレート構造体と、前記プレート構造体の外郭に接合されたリング形状の乱流低減ボディ部と、前記乱流低減ボディ部の外郭に接合され、傾いた上面を有する乱流低減ウィング部と、を含む基板支持台を利用し、前記超臨界流体が高圧で流入されることによって生じる乱流の中心が、前記基板の縁から外郭に離れた位置に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の技術的思想による基板処理装置は、所定角度に傾いた乱流低減ウィング部を含む基板支持台を利用し、乱流の中心を基板の縁から外郭に離れた位置に形成することにより、基板の縁における、微細パターンのリーニング現象を防止し、基板処理の均一性を向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の一実施形態による基板処理装置を示す断面図である。
図１のII部分を拡大して示す拡大図である。
図１の流体供給方向に沿った基板支持台の形状を示す図である。
本発明の一実施形態による基板処理装置の流体供給装置を示す構成図である。
本発明の実験例による、乱流の方向を示すシミュレーション図である。
本発明の実験例による、基板の不良範囲を示すシミュレーション図である。
本発明とは異なる比較例による、乱流の方向を示すシミュレーション図である。
本発明とは異なる比較例による、基板の不良範囲を示すシミュレーション図である。
本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図である。
本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図である。
本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図である。
本発明の実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
基板処理が進められる間、工程チャンバ内部における圧力変化を示すグラフである。
本発明の実施形態による基板処理装置の全体的な配置を示す平面図である。
本発明の実施形態による基板処理装置を利用した微細パターンの形成方法を示すフローチャートである。
図１３の微細パターンの形成方法について説明するために工程順序によって示す断面図である。
図１３の微細パターンの形成方法について説明するために工程順序によって示す断面図である。
図１３の微細パターンの形成方法について説明するために工程順序によって示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本発明の技術的思想による実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置を示す断面図であり、図２は、図１のII部分を拡大して示す拡大図であり、図３は、図１の流体供給方向に沿った基板支持台の形状を示す図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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