TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025056483
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-08
出願番号
2023165987
出願日
2023-09-27
発明の名称
半導体装置
出願人
ラピスセミコンダクタ株式会社
代理人
弁理士法人レクスト国際特許事務所
主分類
H01L
23/50 20060101AFI20250401BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】
ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させた構成において、ダイパッドの下面にフラッシュバリが形成されることを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】
一方の主面に半導体チップを搭載する搭載領域を有し、かつ一方の主面に沿って庇状に側方に突出しておりかつ上面視において枠形状の凸部を側部に有する平板状のダイパッド及びリードからなるリードフレームと、搭載領域に搭載された半導体チップと、ダイパッドの他方の主面を露出しつつダイパッドの側面を覆いかつダイパッドの一方の主面において半導体チップを封止してダイパッドを保持し、かつリードを保持する封止体と、を有し、ダイパッドには、凸部を一方の主面と交差する方向において貫通する貫通孔が形成されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
一方の主面に半導体チップを搭載する搭載領域を有し、かつ前記一方の主面に沿って庇状に側方に突出しておりかつ上面視において枠形状の凸部を側部に有する平板状のダイパッド及びリードからなるリードフレームと、
前記搭載領域に搭載された半導体チップと、
前記ダイパッドの他方の主面を露出しつつ前記ダイパッドの側面を覆いかつ前記ダイパッドの前記一方の主面において前記半導体チップを封止して前記ダイパッドを保持し、かつ前記リードを保持する封止体と、を有し、
前記ダイパッドには、前記凸部を前記一方の主面と交差する方向において貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示(約 700 文字)
【請求項2】
前記貫通孔は、前記凸部の付け根の部分を貫通する様に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記貫通孔は、前記ダイパッドの前記一方の主面の前記凸部の付け根より内側の部分から前記ダイパッドの前記他方の主面に至らずに終端する切欠き部分を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記貫通孔は、前記凸部を前記一方の主面に垂直な方向に貫通していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記貫通孔は、前記一方の主面を上から見た上面視において、前記半導体チップの外縁に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記半導体チップは上面形状が矩形を有し、
前記貫通孔は、前記半導体チップのそれぞれの辺に沿った方向を長手方向とする長方形状を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記半導体チップは上面形状が矩形を有し、
前記貫通孔は、前記半導体チップのそれぞれの辺に沿った方向に垂直な方向を長手方向とする長方形状を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記半導体チップは上面形状が矩形を有し、
前記貫通孔は、前記半導体チップのそれぞれの辺に沿った方向を長手方向とする長方形状を有しかつ当該長手方向の長さが前記半導体チップの辺の長さと同じであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)
【背景技術】
【0002】
ダイパッド及びリードを含むリードフレームとダイパッドに搭載された半導体チップとリードフレーム及び半導体チップを封止する封止樹脂とからなる半導体装置が開示されている。例えば、特許文献1には、ダイパッドの下面が封止樹脂から露出しておりかつ当該下面において複数の溝が形成された溝部を有する半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2011-082446号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載の半導体装置において、例えば、半導体装置の製造時に金型に半導体チップが搭載されたダイパッド及びリードを設置して金型内に封止樹脂を注入した際には、当該封止樹脂はダイパッドの下面に形成された溝に沿って案内される。
【0005】
しかしながら、封止樹脂の注入時の圧力によっては、金型とダイパッドの下面との間の溝以外の部分、すなわち本来封止樹脂から露出したい部分にも封止樹脂が流入してしまうことが起こり得る。
【0006】
このようなことが生じた場合、ダイパッドの下面の溝以外の部分に付着した樹脂が硬化してフラッシュバリとして残ってしまうことにより、例えば半導体チップの駆動時に半導体チップに生じた熱をダイパッドの下面から逃がそうとする際の放熱性が低下してしまう。
【0007】
本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させた構成において、ダイパッドの下面にフラッシュバリが形成されることを抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係る半導体装置は、一方の主面に半導体チップを搭載する搭載領域を有し、かつ一方の主面に沿って庇状に側方に突出しておりかつ上面視において枠形状の凸部を側部に有する平板状のダイパッド及びリードからなるリードフレームと、搭載領域に搭載された半導体チップと、ダイパッドの他方の主面を露出しつつダイパッドの側面を覆いかつダイパッドの一方の主面において半導体チップを封止してダイパッドを保持し、かつリードを保持する封止体と、を有し、ダイパッドには、凸部を一方の主面と交差する方向において貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【0009】
実施例1に係る半導体装置の上面図である。
実施例1に係る半導体装置の断面図である。
実施例1に係る半導体装置の製造時における樹脂注入時の様子を示す断面図である。
実施例1の変形例1に係る半導体装置の上面図である。
実施例1の変形例2に係る半導体装置の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施例における説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。
【実施例】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
個人
超音波接合
7日前
日星電気株式会社
平型電線
16日前
キヤノン株式会社
通信装置
20日前
株式会社FLOSFIA
半導体装置
13日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
株式会社GSユアサ
蓄電設備
15日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
キヤノン株式会社
無線通信装置
8日前
株式会社村田製作所
電池
13日前
株式会社村田製作所
電池
13日前
株式会社村田製作所
電池
13日前
トヨタ自動車株式会社
二次電池
6日前
シチズン電子株式会社
発光装置
6日前
富士通株式会社
冷却モジュール
21日前
日星電気株式会社
ケーブルの接続構造
13日前
株式会社村田製作所
電池
14日前
トヨタ自動車株式会社
二次電池
15日前
TDK株式会社
コイル部品
20日前
トヨタバッテリー株式会社
組電池
今日
株式会社東京精密
ワーク保持装置
19日前
オムロン株式会社
回路部品
21日前
日本電気株式会社
光学モジュール
20日前
ローム株式会社
半導体装置
14日前
住友電装株式会社
コネクタ
14日前
住友電装株式会社
コネクタ
13日前
オムロン株式会社
スイッチング素子
14日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
三菱電機株式会社
半導体装置
21日前
オムロン株式会社
電磁継電器
21日前
富士電機株式会社
半導体モジュール
14日前
富士電機株式会社
回路遮断器
21日前
三菱電機株式会社
半導体装置
今日
続きを見る
他の特許を見る