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公開番号2025042204
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-27
出願番号2023149068
出願日2023-09-14
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人扶桑国際特許事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250319BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板の接合位置を制御する。
【解決手段】半導体装置は、隣接する絶縁回路基板11と、放熱ベース3とを有している。放熱ベース3は、おもて面3aに一方の絶縁回路基板11がはんだ層17aを介して接合されると共に、他方の絶縁回路基板11がはんだ層17bを介して接合される。また、隣接する絶縁回路基板11は間隙を空けて対向し、おもて面3aの当該間隙にはんだ層17a,17bに沿って間隙レジスト部4aが形成されている。間隙レジスト部4aは、はんだ層17aのはんだ層17bに面する縁部17a1とはんだ層17bのはんだ層17aに面する縁部17b1とにそれぞれ接している。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１基板及び第２基板と、
おもて面に前記第１基板が第１はんだ層を介して接合されると共に、前記第２基板が第２はんだ層を介して接合され、前記第１基板及び前記第２基板は間隙を空けて対向し、前記おもて面の前記間隙に前記第１はんだ層及び前記第２はんだ層に沿ってレジストが形成された放熱ベースと、
を有し、
前記レジストは、前記第１はんだ層の前記第２はんだ層に面する第１縁部と前記第２はんだ層の前記第１はんだ層に面する第２縁部とにそれぞれ接している、
半導体装置。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
前記第１基板は、第１絶縁板と前記第１絶縁板のおもて面に形成された第１導電板と前記第１絶縁板の裏面に形成され、前記第１はんだ層を介して前記放熱ベースの前記おもて面に接合される第１金属板とを有し、
前記第２基板は、第２絶縁板と前記第２絶縁板のおもて面に形成された第２導電板と前記第２絶縁板の裏面に形成され、前記第２はんだ層を介して前記放熱ベースの前記おもて面に接合される第２金属板とを有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１はんだ層と前記第２はんだ層との前記間隙の長さは、前記第１基板の前記第１絶縁板と前記第２基板の前記第２絶縁板との間の長さよりも長い、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記レジストは、炭素またはニッケル酸化膜を主成分として構成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記レジストの前記間隙の間隙方向に平行な幅は１ｍｍより長く、５ｍｍより短い、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記レジストの前記間隙の間隙方向に平行な幅は２ｍｍ以上、４ｍｍ以下である、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１はんだ層の前記第１縁部と前記第２はんだ層の前記第２縁部との距離は、１．５ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記レジストは、
前記第１はんだ層の前記第１縁部に接する第１レジスト部と、
前記第２はんだ層の前記第２縁部に接して、前記第１レジスト部に離隔された第２レジスト部と、
を含んでいる、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記レジストの厚さは、前記第１はんだ層及び前記第２はんだ層の厚さよりも薄い、
請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、ベース基板とベース基板上にはんだを介して設けられた絶縁回路基板と絶縁回路基板上にはんだを介して設けられた半導体チップとを含んでいる（例えば、特許文献１を参照）。このような半導体装置では、ベース基板上のはんだの周囲にレジストが形成される（例えば、特許文献２，３を参照）。または、絶縁回路基板上のはんだの周囲にレジストが形成される（例えば、特許文献４，５を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１６４９１９号公報
特開２０１０－２１２７２３号公報
特開２０１３－２０１２８９号公報
特開２０１３－２３６０３７号公報
特開２０１７－１１７８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、基板の接合位置が制御された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、第１基板及び第２基板と、おもて面に前記第１基板が第１はんだ層を介して接合されると共に、前記第２基板が第２はんだ層を介して接合され、前記第１基板及び前記第２基板は間隙を空けて対向し、前記おもて面の前記間隙に前記第１はんだ層及び前記第２はんだ層に沿ってレジストが形成された放熱ベースと、を有し、前記レジストは、前記第１はんだ層の前記第２はんだ層に面する第１縁部と前記第２はんだ層の前記第１はんだ層に面する第２縁部とにそれぞれ接している、半導体装置を提供する。
【０００６】
また、前記第１基板は、第１絶縁板と前記第１絶縁板のおもて面に形成された第１導電板と前記第１絶縁板の裏面に形成され、前記第１はんだ層を介して前記放熱ベースの前記おもて面に接合される第１金属板とを有し、前記第２基板は、第２絶縁板と前記第２絶縁板のおもて面に形成された第２導電板と前記第２絶縁板の裏面に形成され、前記第２はんだ層を介して前記放熱ベースの前記おもて面に接合される第２金属板とを有してよい。
【０００７】
また、前記第１はんだ層と前記第２はんだ層との前記間隙の長さは、前記第１基板の前記第１絶縁板と前記第２基板の前記第２絶縁板との間の長さよりも長くてよい。
また、前記レジストは、炭素またはニッケル酸化膜を主成分として構成されてよい。
【０００８】
また、前記レジストの前記間隙の間隙方向に平行な幅は１ｍｍより長く、５ｍｍより短くてよい。
また、前記レジストの前記間隙の間隙方向に平行な幅は２ｍｍ以上、４ｍｍ以下であってよい。
【０００９】
また、前記第１はんだ層の前記第１縁部と前記第２はんだ層の前記第２縁部との距離は、１．５ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下であってよい。
【００１０】
また、前記レジストは、前記第１はんだ層の前記第１縁部に接する第１レジスト部と、前記第２はんだ層の前記第２縁部に接して、前記第１レジスト部に離隔された第２レジスト部と、を含んでよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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