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公開番号2025026510
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-21
出願番号2024210974,2023045303
出願日2024-12-04,2011-09-12
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20250214BHJP(光学)
要約【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減
して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと
、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリ
ソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高
い第1の支持体に移し替え、第1の支持体及びじん性の高い第2の支持体で液晶素子を挟
持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅
に削減して低コストで作製できる。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記画素の一は、トランジスタと、表示素子と、容量素子と、を有する表示装置であって、
前記トランジスタのゲート電極としての機能と、第１の配線としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層と同じ材料を有し、且つ前記容量素子の一方の電極としての機能を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層の上面と接する領域と、前記第２の導電層の上面と接する領域と、を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置する領域を有し、且つ前記トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上に位置する領域を有し、且つ前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記半導体層上に位置する領域を有し、且つ前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能と、第２の配線としての機能とを有する第４の導電層と、
前記半導体層上に位置する領域を有し、且つ前記容量素子の他方の電極としての機能を有する第５の導電層と、
前記第３の導電層の上面と接する領域と、前記第４の導電層の上面と接する領域と、前記第５の導電層の上面と接する領域と、を有する第２の絶縁層と、を有し、
前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層とは、互いに同じ材料を有し、
平面視において、前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層とは、互いに分離した形状を有し、
平面視において、前記第２の導電層は、前記第４の導電層と交差する領域を有する、表示装置。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記画素の一は、トランジスタと、表示素子と、容量素子と、を有する表示装置であって、
前記トランジスタのゲート電極としての機能と、第１の配線としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層と同じ材料を有し、且つ前記容量素子の一方の電極としての機能を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層の上面と接する領域と、前記第２の導電層の上面と接する領域と、を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置する領域を有し、且つ前記トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上に位置する領域を有し、且つ前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記半導体層上に位置する領域を有し、且つ前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能と、第２の配線としての機能とを有する第４の導電層と、
前記半導体層上に位置する領域を有し、且つ前記容量素子の他方の電極としての機能を有する第５の導電層と、
前記第３の導電層の上面と接する領域と、前記第４の導電層の上面と接する領域と、前記第５の導電層の上面と接する領域と、を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に位置する領域を有し、且つ前記第２の絶縁層の開口部を介して前記第３の導電層と電気的に接続された第６の導電層と、を有し、
前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層とは、互いに同じ材料を有し、
平面視において、前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層とは、互いに分離した形状を有し、
平面視において、前記第２の導電層は、前記第４の導電層と交差する領域を有し、
前記第６の導電層は、画素電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第６の導電層と重なる領域を有する、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の作製方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置に対して、低価格化、薄型化、軽量化のニーズが非常に高まっている
。
【０００３】
液晶表示装置の低価格化を実現させる方法の１つとして、液晶表示装置作製時の工程を簡
略化する事が挙げられる。
【０００４】
液晶表示装置の駆動方式は、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型の２つに大
別されるが、近年では高画質化や高速応答への対応に優れたアクティブマトリクス型の液
晶表示装置が主流となっている。
【０００５】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、各画素毎にスイッチング素子が設けられている
。スイッチング素子には主に薄膜トランジスタが用いられており、そのような薄膜トラン
ジスタとしては例えば、チャネル形成領域がゲート電極より下層に設けられるトップゲー
ト型のトランジスタと、チャネル形成領域がゲート電極より上層に設けられるボトムゲー
ト型のトランジスタが挙げられる。これらの薄膜トランジスタは、少なくとも５枚以上の
フォトマスクを用いて作製されることが一般的である。
【０００６】
液晶表示装置を安価に作製するためには、フォトマスクの枚数をいかに少なくできるかが
、重要な要素の一つとなっている。フォトマスクの使用枚数を削減するには、裏面露光（
例えば特許文献１を参照）、レジストリフロー又はリフトオフ法といった複雑な技術を用
いるものが多く、特殊な装置を必要とするものが多い。このような複雑な技術を用いるこ
とで、これに起因する様々な問題が生じ、液晶表示装置の歩留まり低下や薄膜トランジス
タの電気特性悪化の一因となり得てしまう。
【０００７】
また、液晶表示装置の薄型化、軽量化を実現する方法の１つとして、液晶材料を挟持する
ための基板を、機械的研磨や化学的研磨などの手法により薄くする事が挙げられる。
【０００８】
液晶材料を挟持するための基板は主としてガラス基板が用いられており、基板を機械的研
磨や化学的研磨などの手法により薄くするには限界があり、さらに、薄くするほど基板の
強度が低下し、外部からの衝撃により液晶表示装置が破壊され易くなるといった課題があ
るため、液晶材料を挟持するための基板としては、高いじん性を備えた支持体（例えば樹
脂フィルムや金属フィルムなど）を用いて液晶表示装置を作製することが理想とされてい
る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特開平０５－２０３９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、その目的は
、複雑な技術や特殊な装置を用いることなくフォトマスクの使用枚数を従来よりも少なく
することを課題の一とする。また、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置
の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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