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公開番号2025018517
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-06
出願番号2023122291
出願日2023-07-27
発明の名称振動デバイス
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H03H 9/10 20060101AFI20250130BHJP(基本電子回路)
要約【課題】電気的接続の信頼性に優れた振動デバイスを提供する。
【解決手段】振動デバイス1は、第1面10aを有するベース10と、第1面10aに配置されている第1導電層43と、第1面10a側に位置し、素子基板30及び素子基板30のベース10側の面に位置する第2導電層44を含む振動素子25と、ベース10と振動素子25との間に配置し、ベース10と振動素子25とを接合し、第1導電層43と第2導電層44とを電気的に接続する金属バンプ41と、第1導電層43とベース10との間に配置する樹脂層42と、を有し、第1導電層43は、ベース10に配置する第1部分61と、金属バンプ41が接合する第2部分62と、第1部分61と第2部分62との間に位置する中間部分63と、を含み、樹脂層42は、第2部分62及び中間部分63とベース10との間に配置され、中間部分63とベース10との間の角度θ1は、θ1<90°を満たす。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
表裏関係にある第１面及び第２面を有するベースと、
前記第１面に配置されている第１導電層と、
前記ベースの前記第１面側に位置し、素子基板及び前記素子基板の前記ベース側の面に位置している第２導電層を含む振動素子と、
前記ベースと前記振動素子との間に配置され、前記ベースと前記振動素子とを接合すると共に前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する金属バンプと、
前記第１導電層と前記ベースとの間に配置されている樹脂層と、
を有し、
前記第１導電層は、
前記ベースに配置されている第１部分と、
前記金属バンプが接合されている第２部分と、
前記第１部分と前記第２部分との間に位置する中間部分と、
を含み、
前記樹脂層は、前記第２部分及び前記中間部分と前記ベースとの間に配置され、
前記中間部分と前記ベースとの間の角度θ１は、θ１＜９０°を満たす、
振動デバイス。
続きを表示（約 510 文字）【請求項２】
前記中間部分は、断面視において、曲線形状である、
請求項１に記載の振動デバイス。
【請求項３】
前記金属バンプの前記ベース側の側面は、断面視において、前記振動素子側から前記ベース側に向うに従って、前記金属バンプの中心軸に近づく外形部を有し、
前記第１導電層の前記第２部分における前記中間部分側の端部は、前記外形部に接合されている、
請求項１に記載の振動デバイス。
【請求項４】
前記外形部は、円弧形状である、
請求項３に記載の振動デバイス。
【請求項５】
前記中間部分は、断面視において、第１直線部及び第２直線部を含み、
前記第１直線部と前記第２直線部との間の角度θ２は、θ２＞９０°を満たす、
請求項１に記載の振動デバイス。
【請求項６】
前記ベースに接合され、前記ベースとの間に前記振動素子を収容している蓋体を有し、
前記ベースは、前記振動素子と電気的に接続された発振回路が形成されている半導体基板を含む、
請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の振動デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動デバイスに関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、ベースと、ベースの上面側に位置する振動素子と、上面に配置されている導電層と、ベースと振動素子との間に配置され、ベースと振動素子とを接合する金属バンプと、ベースと導電層との間に介在し、金属バンプよりも弾性率が小さい低弾性率層と、を有する振動デバイスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－０８５８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の振動デバイスでは、導電層がベース上に配置された樹脂層を覆うように形成される。そのため、樹脂層の形状によっては、断面視において、導電層にほぼ垂直の角部が形成されてしまう。その結果、角部において導電層が断線することで、電気的接続の信頼性が十分得られないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
振動デバイスは、表裏関係にある第１面及び第２面を有するベースと、前記第１面に配置されている第１導電層と、前記ベースの前記第１面側に位置し、素子基板及び前記素子基板の前記ベース側の面に位置している第２導電層を含む振動素子と、前記ベースと前記振動素子との間に配置され、前記ベースと前記振動素子とを接合すると共に前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する金属バンプと、前記第１導電層と前記ベースとの間に配置されている樹脂層と、を有し、前記第１導電層は、前記ベースに配置されている第１部分と、前記金属バンプが接合されている第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に位置する中間部分と、を含み、前記樹脂層は、前記第２部分及び前記中間部分と前記ベースとの間に配置され、前記中間部分と前記ベースとの間の角度θ１は、θ１＜９０°を満たす。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す斜視図。
第１実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。
図２中のＡ１－Ａ１線断面図。
図３中のＢ部拡大図。
第２実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す断面拡大図。
第３実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。
図６中のＡ２－Ａ２線断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
１．第１実施形態
先ず、第１実施形態に係る振動デバイス１として、振動素子２５を備えた発振器を一例として挙げ、図１～図４を参照して説明する。
尚、図２において、振動デバイス１の内部構成を説明する便宜上、蓋体２０を取り外した状態を図示している。また、説明の便宜上、以降の斜視図、平面図、及び断面図には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸を図示している。また、Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」と言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」、矢印と反対側を「マイナス側」とも言う。また、Ｚ方向プラス側を「上」、Ｚ方向マイナス側を「下」とも言う。
【０００８】
振動デバイス１は、図１、図２、及び図３に示すように、表裏関係にある第１面１０ａ及び第２面１０ｂを有するベース１０と、第１面１０ａに配置されている第１導電層４３と、ベース１０の第１面１０ａ側に位置し、素子基板３０及び素子基板３０のベース１０側の面に位置している第２導電層４４を含む振動素子２５と、ベース１０と振動素子２５との間に配置され、ベース１０と振動素子２５とを接合すると共に第１導電層４３と第２導電層４４とを電気的に接続する金属バンプ４１と、第１導電層４３とベース１０との間に配置されている樹脂層４２と、ベース１０に接合され、ベース１０との間に振動素子２５を収容している蓋体２０と、を有する。尚、ベース１０と蓋体２０とで、振動素子２５を収容するパッケージ２を構成している。
【０００９】
ベース１０は、半導体基板であり、特に、シリコン基板である。但し、ベース１０としては、特に限定されず、例えば、Ｇｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等のシリコン以外の半導体材料で構成された基板を用いてもよい。
【００１０】
ベース１０は、Ｚ方向からの平面視で、矩形状の平板であり、表裏関係にある第１面１０ａ及び第２面１０ｂを有し、第１面１０ａに樹脂層４２が配置され、樹脂層４２を覆うように内部端子１２となる第１導電層４３が形成されている。つまり、樹脂層４２は、ベース１０と第１導電層４３との間に配置されている。また、第１導電層４３上に金属バンプ４１を介して振動素子２５が接合されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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