特許ウォッチ

公開番号2025011894
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023114306
出願日2023-07-12
発明の名称撮像装置
出願人シャープディスプレイテクノロジー株式会社
代理人弁理士法人暁合同特許事務所
主分類H10F 39/18 20250101AFI20250117BHJP()
要約【課題】撮像装置において静電破壊を抑制する。
【解決手段】撮像装置12は、画像が撮像される撮像領域IAと撮像領域IA外にある非撮像領域NIAとを含む主面20Aを有する基板20と、撮像領域IAに配され、第1導電膜からなる電極25A1を有する撮像素子25と、少なくとも非撮像領域NIAに配され、第2導電膜からなる第1配線40と、撮像領域IAと非撮像領域NIAとにわたって配され、第1導電膜と第2導電膜との間に介在する絶縁膜31と、少なくとも非撮像領域NIAに配される第2配線41と、を備え、第2配線41は、第1導電膜のうちの電極25A1とは別の部分からなり、第1配線40と少なくとも一部が重畳して配される。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
画像が撮像される撮像領域と前記撮像領域外にある非撮像領域とを含む主面を有する基板と、
前記撮像領域に配され、第１導電膜からなる電極を有する撮像素子と、
少なくとも前記非撮像領域に配され、第２導電膜からなる第１配線と、
前記撮像領域と前記非撮像領域とにわたって配され、前記第１導電膜と前記第２導電膜との間に介在する絶縁膜と、
少なくとも前記非撮像領域に配される第２配線と、を備え、
前記第２配線は、前記第１導電膜のうちの前記電極とは別の部分からなり、前記第１配線と少なくとも一部が重畳して配される撮像装置。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
前記撮像領域に配され、前記撮像素子に接続されるスイッチング素子と、
少なくとも前記撮像領域に配され、前記スイッチング素子及び前記第１配線に接続され、第３導電膜からなる第３配線と、
前記第１配線に接続され、前記第１配線により伝送される信号を検出する信号検出部と、を備え、
前記第２配線は、前記信号検出部とは直接的に非接続とされる請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記絶縁膜のうち、前記第１配線及び前記第２配線の双方と重畳する位置には、前記第１配線と前記第２配線とを接続するコンタクトホールが設けられる請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりもシート抵抗が低い請求項２または請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第３導電膜は、前記第２導電膜よりもシート抵抗が低い請求項２または請求項３記載の撮像装置。
【請求項６】
少なくとも前記撮像領域に配され、前記スイッチング素子に接続されて、前記スイッチング素子に走査信号を供給する第４配線を備え、
前記第４配線は、前記第２導電膜のうちの前記第１配線とは別の部分からなる請求項２または請求項３記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第２配線は、前記第２配線の面積を前記非撮像領域の面積にて除した第１面積比率が、前記電極の面積を前記撮像領域の面積にて除した第２面積比率以上となるよう設けられる請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像素子は、下部電極と、前記下部電極の上層側に積層される光電変換層と、前記下部電極との間に前記光電変換層を挟むよう積層される上部電極と、を有しており、
前記下部電極は、前記電極を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第２導電膜は、金属材料を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、撮像装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、撮像装置には、撮像素子として光電変換素子（フォトダイオード）を用いたものがある。光電変換素子には、半導体層が含まれており、半導体層を備えた半導体装置として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された半導体装置は、同一平面上に第１の領域と、第２の領域と、を有する半導体装置であって、第１の領域は、トランジスタを有し、第２の領域は、ダミートランジスタを有し、トランジスタは、第１の配線層と、第１の配線層の上方に配置された酸化物を含む半導体層と、半導体層の上方に配置された第２の配線層と、第２の配線層の上方に配置された第３の配線層と、を有し、ダミートランジスタは、第１の配線層、第２の配線層、半導体層、及び第３の配線層の中から選ばれた一または複数と同じ面積を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１９／１７１１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、撮像素子として光電変換素子を用いた撮像装置は、光電変換素子が配されていて画像を撮像するための撮像領域と、光電変換素子等に接続される配線が引き回される非撮像領域と、を有する。このうちの非撮像領域には、複数の配線が高密度でもって引き回されているため、上記した特許文献１に記載されたようなダミートランジスタを配置するスペースを確保するのが難しい、という問題がある。このため、撮像装置における撮像領域と非撮像領域とで導電膜からなるパターンの密度に差がある場合には、チャージアップに起因する静電破壊が生じるおそれがあった。
【０００５】
本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、撮像装置において静電破壊を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本明細書に記載の技術に関わる撮像装置は、画像が撮像される撮像領域と前記撮像領域外にある非撮像領域とを含む主面を有する基板と、前記撮像領域に配され、第１導電膜からなる電極を有する撮像素子と、少なくとも前記非撮像領域に配され、第２導電膜からなる第１配線と、前記撮像領域と前記非撮像領域とにわたって配され、前記第１導電膜と前記第２導電膜との間に介在する絶縁膜と、少なくとも前記非撮像領域に配される第２配線と、を備え、前記第２配線は、前記第１導電膜のうちの前記電極とは別の部分からなり、前記第１配線と少なくとも一部が重畳して配される。
【０００７】
（２）また、上記撮像装置は、上記（１）に加え、前記撮像領域に配され、前記撮像素子に接続されるスイッチング素子と、少なくとも前記撮像領域に配され、前記スイッチング素子及び前記第１配線に接続され、第３導電膜からなる第３配線と、前記第１配線に接続され、前記第１配線により伝送される信号を検出する信号検出部と、を備え、前記第２配線は、前記信号検出部とは直接的に非接続とされてもよい。
【０００８】
（３）また、上記撮像装置は、上記（２）に加え、前記絶縁膜のうち、前記第１配線及び前記第２配線の双方と重畳する位置には、前記第１配線と前記第２配線とを接続するコンタクトホールが設けられてもよい。
【０００９】
（４）また、上記撮像装置は、上記（２）または上記（３）に加え、前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりもシート抵抗が低くてもよい。
【００１０】
（５）また、上記撮像装置は、上記（２）から上記（４）のいずれかに加え、前記第３導電膜は、前記第２導電膜よりもシート抵抗が低くてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許